电致发光显示板的减光化方法及电致发光显示板技术

本发明专利技术提供一种电致发光显示板的减光化方法及电致发光显示板，可有效地将亮点缺陷像素进行减光，其特征是在对像素第二ＴＦＴ４０的有源层（半导体层）（４０ａ）等，选择性地照射ＵＶ激光。由此，能使有源层（４０ａ）的结晶劣化而将其导电性切断。因此，可在不致带来其它不良影响的情况下将像素进行减光化。此外，并能以栅极（４０ｃ）下方的有源层（４０ａ）为对象，以栅极（４０ｃ）将激光进行反射，进行更为有效的激光照射。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电致发光(electroluminescence；EL)显示板的缺陷像素的修复。此有机EL显示器以有机EL元件为像素，并将此像素配置成多数矩阵状。此外，以此有机EL元件的驱动方法而言，虽与LCD同样地具有无源方式与有源方式，但与LCD同样以有源矩阵方式为佳。换言之，在每一像素设置开关用元件，并控制该开关用元件，而控制各像素显示的有源矩阵方式，与在每一像素不具有开关用元件的无源方式相比较，能获致分辨率更高精细的画面，故极为理想。一般使用LCD的显示器采用1个开关元件(薄膜晶体管，TFT，ThinFilm Transistor)，并使之直接与像素电极连接，但使用有机EL的显示板则采用2个TFT与1个电容。在图5中，表示利用薄膜晶体管(TFT)的有机EL显示板中像素电路的构成例。此例中有机EL显示板将此种像素配置成矩阵状。在向行方向延伸的栅极线上，连接有通过栅极线所选择的作为n沟道薄膜晶体管的第一TFT10的栅极。在此第一TFT10的漏极上连接有向列方向延伸的数据线DL，而在该源极则连接有保持电容CS，该保持电容CS的另一端连接至作为低电压电源的电容线SL。此外，第一TFT10的源极与保持电容CS的连接点连接至作为p沟道薄膜晶体管的第二TFT40的栅极。然后，此第二TFT40的源极连接至电源线VL，漏极连接至有机EL元件EL。另外，有机EL元件EL的另一端连接至阴极电源CV。因此，当栅极线GL为H水平的时第一TFT10即呈导通，而此时的数据线DL的数据保持在保持电容CS。然后，按照维持在此保持电容CS的数据(电位)而控制第二TFT40的电流，同时随此第二TFT40的电流使电流流动于有机EL元件EL而发光。然后，在当第一TFT10导通时对于数据线DL供给与其像素对应的影像信号。因此，按照供给至数据线DL的影像信号而使保持电容CS充电，并由此使第二TFT40所对应的电流流动，且同时进行有机EL元件EL的亮度控制。即，控制第二TFT40的栅极电位并控制流动于有机EL元件的电流，以进行各像素的谐调显示。在此种有机EL显示板中，会有在设置于各像素的第一TFT10或是第二TFT40产生缺陷的情况。当TFT产生固定为切断流入有机EL元件电流的缺陷等，其像素仅会暗点化，故即使在亮点中存有1个暗点亦难以辨认而不会造成问题。另一方面，当产生流向有机EL元件电流为经常导通的缺陷时，则其像素将会形成亮点。当周围的像素呈现黑色时若有1像素为亮点，则会被观察者辨认出，故将成为不妥的问题。因此，目前乃将已成为亮点的有缺陷的像素加以减光(暗点化)处理。换言之，含有某一定数量的暗点的有机EL显示板作成制品并不会有问题，这是因为可采用将亮点减光的方法而达到成品率的大幅提升的缘故。在此，此种暗点化的施行方式为将到达像素的配线进行断线。即，与LCD的情形相同，以可视光YAG激光等，将第二TFT40与电源线或是像素电极间的配线进行切断。由此，可将亮点进行暗点化，以解决整体显示上的问题。但是，当进行此可视光YAG(钇铝石榴石)激光的暗点化处理时，即可能对阴极以及其它像素的显示造成影响。即，在有源矩阵型有机EL显示板的情况下，TFT形成于玻璃基板上，并在此TFT上方形成氧化铟锡ITO(Indium Tin Oxide)的阳极，同时在该上方层积有由空穴传输层、有机发光层、电子传输层等的有机层，又在其上方形成有金属的阴极。因此，在TFT的上方具备有机层的一部分及阴极。尤其是阴极在显示板的大约整个表面上形成而当作共享电极。因此，以可视光YAG激光切断TFT的配线时，其激光将到达阴极，而在阴极亦产生烧蚀(ablation)因此，阴极将在该部分形成开孔。并且，因此烧蚀产生阴极变质，并可能影响周边像素的显示。此外，通过激光的切断使在该处的物质蒸发而飞散，有机EL元件的有机层其侧面亦将直接曝露在阴极上方空间。于是，从该暴露的部分容易因水分及氧等渗入造成有机层恶化等，而使有缺陷的像素有扩大的虞。此外，通过烧蚀切断配线时，一旦吹散的配线材料(通常为金属)黏附在其它配线部分时，亦可能出现产生短路的情况。本专利技术EL显示板的减光化方法是，对于在配置成矩阵形的每一像素中具有EL发光元件、以及控制流入至该EL发光元件的电流的薄膜晶体管的EL显示板中的缺陷像素进行减光化的方法，其特征在于对构成上述薄膜晶体管的半导体层的至少一部分进行选择性地照射激光，并使该区域的半导体层的电阻值提高，将该像素进行减光化。因此，依据本专利技术，通过对半导体层照射激光，而可进行该像素的减光化处理。尤其在此处理中，以微量地破坏半导体层的结晶结构并使电阻增加的方式，切断导电性，因此，基本上不会对其他部分造成损害，即可将缺陷像素进行减光，故可施行理想的减光化处理。此外，对于在上述半导体层的上方配置有金属层的部分，以从下方照射激光，并通过金属层以使所照射的激光反射为理想。由此，反射的激光亦将照射到半导体层，除可进行有效的照射之外，并同时可使激光到达上方，而不致对该部分产生不良影响。再且，上述薄膜晶体管以于玻璃基板上具有半导体层，并具有在其上隔着栅极绝缘膜配置栅极的构成，除隔着玻璃基板对半导体层照射激光外，并同时用栅极将所照射的激光进行反射者为佳。由此，可防止激光照射到其它部分，并可确实防止对其他部分带来不良影响。上述激光以紫外线(UV)激光为佳。例如，以308、355nm的激光，在不致对金属带来不良影响情况下，即可将使半导体层电性切断的导电性切断。此外，有关本专利技术的EL显示板，其特征是以上述EL显示板的减光化方法对有缺陷的像素进行减光化。图2是表示一例设定激光照射量范例的流程图。图3是表示像素的平面构成图。图4是表示激光照射部分的图。图5是表示在有机EL显示板中像素电路的构成例的图。符号说明10第一TFT，6、16、40a有源层，16c-1、16c-2沟道区域，16d-1、16d-2、401、32e漏极，16s-1、16s-2、32d、40d源极，25、40c栅极，30玻璃基板，34层间绝缘膜，36第一平坦化膜，40第二TFT，40b栅极绝缘膜，50阳极；透明电极，52空穴传输层，54有机发光层，56电子传输层，58阴极，60第二平坦化膜，CS保持电容，CV阴极电源，DL数据线，GL栅极线，R紫外线激光，SL电容线，VL电源线。在本实施方式中，从栅极的下方照射激光，并通过此激光而在存在于TFT的栅极的下方的多晶硅所构成的半导体层，产生微量的烧蚀，并通过此使半导体层的结晶性恶化，同时使阻抗增大，而将TFT固定在切断状态。尤其是，激光由于栅极而反射，故可有效地对半导体层照射激光，而使栅极上层不致受到激光的不良影响。以此时的激光而言，以355nm的YAG激光及308nm的准分子激光等的紫外线(UV)激光为佳。换言之，如果长于该波长时，则在欲使半导体层劣化时，栅极亦将产生烧蚀，且如果短于该波长时，则会难以透过玻璃基板。附图说明图1表示像素的构成。在此，虽在元件基板，于1像素形成图5所示TFT10、40与电容CS、有机EL元件EL，但在此图中，仅表示第二TFT40与有机EL元件EL。在图中，元件基板具有形成在玻璃基板30上的第二TFT40。显示此第二TFT40与有机EL元件EL的构成。如此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＥＬ显示板的减光化方法，其是对于在配置成矩阵形的每一像素中具有ＥＬ发光元件、以及控制流入至该ＥＬ发光元件的电流的薄膜晶体管的ＥＬ显示板中的缺陷像素进行减光化的方法，其特征在于： 对构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少一部分进行选择性地照射激光，并使该区域的半导体层的电阻值提高，将该像素进行减光化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：神野优志，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]