【技术实现步骤摘要】
触控显示结构及其制备方法
[0001]本专利技术一般涉及显示
,具体涉及一种触控显示结构及其制备方法。
技术介绍
[0002]柔性多层一体化集成触控(Flexible Multi Layer On Cell;FMLOC)是指,在显示面板薄膜封装(Thin Film Encapsulation;TFE)层外侧制作互容触控器件的触控显示面板,FMLOC能够将显示结构和触控结构集成在一起,具有轻薄、可折叠等优点,可以满足柔性折叠、窄边框等产品需求。
[0003]随着显示技术向柔性化方向的推进,为了更好的适应弯折的需要,传统的无机FMLOC已经不能满足需要,因此,应运产生了有机FMLOC,有机FMLOC的主体结构是将传统的无机FMLOC中的无机层替换为了有机层,也即有机FMLOC的主体结构包括层叠设置的第一金属层、有机绝缘层以及第二金属层。目前,在对有机FMLOC制备过程中,对第二金属层进行图案化时,一般采用光刻工艺,在光刻工艺中,对光刻胶进行剥离时,剥离液会对有机绝缘层造成破坏。
技术实现思路
[0004]本申请期望提供一种触控显示结构及其制备方法,至少用于解决形成触控显示结构的电极层时,会对有机绝缘层造成破坏的问题。第一方面,本专利技术提供一种触控显示结构,包括:
[0005]层叠设置的显示结构、封装结构和触控结构;其中,所述触控结构包括至少一层非刻蚀化的图案化电极层和与所述图案化电极层直接接触的图案化电极层形成层;所述图案化电极层形成层包括沉积抑制区和沉积区,所述图案化电极层中的被 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种触控显示结构,其特征在于,包括:层叠设置的显示结构、封装结构和触控结构;其中,所述触控结构包括至少一层非刻蚀化的图案化电极层和与所述图案化电极层直接接触的图案化电极层形成层;所述图案化电极层形成层包括沉积抑制区和沉积区,所述图案化电极层中的被图案化的电极设置在沉积区。2.根据权利要求1所述的触控显示结构,其特征在于,所述至少一层非刻蚀化的图案化电极层包括第一金属层和第二金属层;所述图案化电极层形成层包括在所述第一金属层和所述第二金属层之间的第一有机层;所述第一有机层包括第一金属沉积抑制区和第一金属沉积区;所述第二金属层包括第二金属图案,所述第二金属图案沉积于所述第一金属沉积区。3.根据权利要求2所述的触控显示结构,其特征在于,所述第一金属沉积区包括第一有机图案,所述第一金属沉积抑制区包括第二有机图案,所述第一有机图案和所述第二有机图案为同层的有机图案,所述第一有机图案被配置为使所述第二金属图案形成在所述第一金属沉积区,所述第二有机图案被配置为排斥所述第二金属层形成在所述第一金属沉积抑制区,进而通过非刻蚀工艺形成所述第二金属图案。4.根据权利要求2或3所述的触控显示结构,其特征在于,所述第一金属层与所述第一有机层之间形成有第三有机层。5.根据权利要求2或3所述的触控显示结构,其特征在于,还包括阻挡层和设置在所述阻挡层上的第二有机层,所述第二有机层包括第二金属沉积抑制区和第二金属沉积区;所述第一金属层包括第一金属图案,所述第一金属图案沉积于所述第二金属沉积区。6.根据权利要求5所述的触控显示结构,其特征在于,所述第二金属沉积区包括第三有机图案,所述第二金属沉积抑制区包括第四有机图案,所述第三有机图案和所述第四有机图案为同层的有机图案,所述第三有机图案被配置为使所述第一金属图案形成在所述第二金属沉积区,所述第四有机图案被配置为排斥所述第一金属层形成在第二金属沉积抑制区,进而通过非刻蚀工艺形成所述第一金属图案;或者,所述第二金属沉积区包括开口,所述第二金属沉积抑制区包括第四有机图案,所述开口被配置为使所述第一金属图案形成在所述第二金属沉积区,所述第四有机图案被配置为排斥所述第一金属层形成在第二金属沉积抑制区,进而通过非刻蚀工艺形成所述第一金属图案。7.根据权利要求3所述的触控显示结构,其特征在于,所述第一有机层上形成有过孔;所述过孔中形成有与所述第一金属图案导电连接的导电件。8.根据权利要求3或4所述的触控显示结构,其特征在于,所述第一有机层和所述所述第二有机层至少包括聚四氟乙烯、二芳基乙烯化合物、3
‑
(4
‑
联苯)
‑4‑
苯基
‑5‑
叔丁基苯基
‑
1,2,4
‑
三唑、双(2
‑
甲基
‑8‑
羟基喹啉对羟基(quninolinato))
‑4‑
联苯酚铝(III)、2
‑
(4
‑
(9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽
‑2‑
基)苯基)
‑1‑
苯基
‑
1H
‑
苯并
‑
[D]咪唑、8
‑
羟基喹啉锂、N(联苯
‑4‑
基)9,9
‑
二甲基
‑
N
‑
(4(9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑
‑3‑
基)苯基)
‑
9H
‑
芴
‑2‑
胺中的至少任一种材料。9.一种触控显示结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:制备显示结构;
在所述显示结构上制备封装结构;在所述封装结构上制备触控结构;制备所述触控结构的步骤至少包括:形成图案化电极层形成层,所述图案化电极层形成层包括沉积抑制区和沉积区;形成至少一层非刻蚀化的图案...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹席磊,冯靖伊,朱莉,吴桐,杨栋芳,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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