磁传感器制造技术

一种磁传感器，其具备：基板，其具有上表面；绝缘层，其配置于基板之上，且具有分别相对于基板的上表面倾斜的第一及第二倾斜面；以及MR元件结构体。MR元件配置于第一倾斜面或第二倾斜面之上。MR元件具有与第一倾斜面或第二倾斜面相对的下表面、上表面、以及连接下表面和上表面且包含两个台阶的第一面。上表面且包含两个台阶的第一面。上表面且包含两个台阶的第一面。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器


[0001]本专利技术涉及具备配置于倾斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器。

技术介绍

[0002]近年来，在各种用途中利用使用了磁阻效应元件的磁传感器。在包含磁传感器的系统中，有时想要利用设置于基板上的磁阻效应元件检测包含垂直于基板的面的方向的分量的磁场。在该情况下，通过设置将垂直于基板的面的方向的磁场转换成平行于基板的面的方向的磁场的软磁性体，或在形成于基板上的倾斜面上配置磁阻效应元件，从而能够检测包含垂直于基板的面的方向的分量的磁场。
[0003]在日本国专利申请公开2006
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194733号公报、中国专利申请公开第101325211A号说明书中公开有具备形成在斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器。在中国专利申请公开第101325211A号说明书中公开的磁传感器中，磁阻效应元件的侧面相对于斜面成为正锥形形状。
[0004]作为磁阻效应元件，例如可使用TMR(隧道磁阻效应)元件或GMR(巨磁阻效应)元件。在TMR元件中，电流在相对于构成TMR元件的各层的一面大致垂直的方向上流通。另外，作为GMR元件，已知本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，具备：基板，其具有基准平面；支承构件，其配置于所述基板之上，且具有相对于所述基准平面倾斜的倾斜面；以及磁检测元件结构体，其配置于所述倾斜面之上，且具有：与所述倾斜面相对的下表面、与所述下表面相反侧的上表面、及连接所述下表面和所述上表面且包含两个台阶的第一面。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测元件结构体还具有：第二面，其在沿着所述倾斜面远离所述第一面的方向的前方连接所述下表面和所述上表面。3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述第二面具有以与所述磁检测元件结构体交叉且与所述倾斜面垂直的假想的平面为中心相对于所述第一面非对称的形状。4.根据权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，所述第二面包含比所述第一面数量少的台阶。5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测元件结构体包含下部电极和配置于所述下部电极之上的磁检测元件，并构成为电流在所述下部电极及所述磁检测元件的层叠方向上流通。6.根据权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测元件包含：自由层，其具有方向能够根据外部磁场变化的磁化；和磁化固定层，其具有方向被固定的磁化并且介于所述自由层和所述倾斜面之间。7.根据权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，所述两个台阶的一方存在于所述磁检测元件，且所述两个台阶的另一方存在于所述磁检测元...

【专利技术属性】
技术研发人员：小嶋秀和，梅原弘道，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：