传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种传感器。磁传感器具备包含平坦部和突出部的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。突出部具有第一倾斜面和第二倾斜面。第一MR元件配置在第一倾斜面之上。第二MR元件配置在第二倾斜面之上。突出部沿着与基板的上表面平行的第一方向延伸，并且包含在突出部中的第一方向的端部分别向与基板的上表面平行的方向凹陷的多个凹部。平行的方向凹陷的多个凹部。平行的方向凹陷的多个凹部。

【技术实现步骤摘要】
传感器


[0001]本专利技术涉及在倾斜面上配置有传感器元件的传感器。

技术介绍

[0002]近年来，在各种用途中利用使用了磁阻效应元件的磁传感器。在包含磁传感器的系统中，有时想要利用设置于基板上的磁阻效应元件检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。在该情况下，通过设置将与基板的面垂直的方向的磁场转换成与基板的面平行的方向的磁场的软磁性体，或在形成于基板上的倾斜面上配置磁阻效应元件，能够检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。
[0003]在日本专利申请公开2006－261401号公报中公开有将X轴传感器、Y轴传感器以及Z轴传感器设置在基板上的磁传感器。构成Z轴传感器的磁阻效应元件设置在形成于基板的基底膜的突起部的斜面上。突起部通过对由氧化硅构成的厚膜进行干法蚀刻而形成。磁阻效应元件通过采用光刻对形成于槽部的斜面的多层金属薄膜进行蚀刻而形成。
[0004]在如日本专利申请公开2006－261401号公报中公开的磁传感器那样使用相对于基板的面倾斜的磁阻效应元件的磁传感器中，为了提高磁传感器的灵敏度，优选在倾斜面上形成更多的磁阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种传感器，其特征在于，是以检测规定的物理量的方式构成的传感器，具备：基板，其具有上表面；支撑部件，其配置在所述基板之上；传感器元件，其构成为物性根据所述规定的物理量而变化，所述支撑部件包含具有与所述基板的所述上表面平行的平坦面的平坦部、和具有从所述平坦面突出的形状的至少一个突出部，所述至少一个突出部具有相对于所述基板的所述上表面倾斜的倾斜面，所述传感器元件包含构成所述传感器元件的至少一部分的功能层，所述功能层配置在所述倾斜面之上，所述至少一个突出部沿着与所述基板的所述上表面平行的第一方向延伸，并且包含在所述至少一个突出部中的所述第一方向的端部上分别向与所述基板的所述上表面平行的方向凹陷的多个凹部。2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述至少一个突出部包含第一部分、和相对于所述第一部分处于所述第一方向的前方并且包含所述多个凹部的第二部分，与所述基板的所述上表面垂直的第二方向上的所述第二部分的尺寸随着远离所述第一部分而变小。3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述第二方向上的所述第二部分的尺寸为所述第二方向上的所述第一部分的尺寸以下。4.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述功能层配置在所述第一部分之上。5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述多个凹部的至少一部分的凹部具有相互相对的两个侧壁。6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述两个侧壁的间隔沿着所述第一方向变大。7.根据权利要求5所述的传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅原弘道，高杉圭祐，礒田刚大，稻毛健治，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：