【技术实现步骤摘要】
传感器
[0001]本专利技术涉及在金属层和传感器元件之间存在绝缘层的传感器。
技术介绍
[0002]近年来，在各种用途中利用使用了磁阻效应元件的磁传感器。在包含磁传感器的系统中，有时想要利用设置于基板上的磁阻效应元件检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。在该情况下，通过设置将与基板的面垂直的方向的磁场转换成与基板的面平行的方向的磁场的软磁性体，或在形成于基板上的倾斜面上配置磁阻效应元件，能够检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。
[0003]日本国专利申请公开2006－261401号公报中公开有在基板上设置有X轴传感器、Y轴传感器以及Z轴传感器的磁传感器。构成Z轴传感器的磁阻效应元件设置于在基板的基底膜上形成的突起部的斜面上。
[0004]在日本国专利申请公开2006－261401号公报中公开的磁传感器中，在基板上预先设置配线层等。基底膜由形成于配线层上的多个绝缘膜构成。如日本国专利申请公开2006－261401号公报所公开的基底膜那样，在金属层之上形成绝缘层，且形成磁阻效应元件的支承部件的情况下，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种传感器，其构成为检测规定的物理量，其特征在于，具备：第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层，它们沿着第一方向依次配置；金属层，其配置于所述第一绝缘层的与所述第二绝缘层相反的一侧；传感器元件，其构成为物性根据所述规定物理量而变化，所述传感器元件包含构成所述传感器元件至少一部分的功能层，所述功能层配置于所述第三绝缘层的与所述第二绝缘层相反的一侧，所述第一绝缘层及所述第三绝缘层各自包含第一绝缘材料，所述第二绝缘层包含第二绝缘材料。2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述第二绝缘层包含第一部分和在与所述第一方向正交第二方向上配置于与所述第一部分不同的位置的第二部分，所述第一方向上的所述第二部分的最大尺寸大于所述第一方向上的所述第一部分的最大尺寸。3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述第二部分具有相对于所述第一方向倾斜的倾斜面。4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述功能层沿着所述倾斜面配置。5.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，在从所述第一方向观察时，所述金属层以与所述第一部分和所述第二部分的边界交叉的方式延伸。6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述第二绝缘层包含所述第一方向上的尺寸恒定的平坦部。7.根据权利要求6所述的传感器，其特征在于，所述功能层沿着所述平坦部配置。8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述第二绝缘材料的破坏韧...
【专利技术属性】
技术研发人员：高杉圭祐，牧野健三，平林启，酒井正则，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：
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