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磁传感器制造技术

技术编号:36977280 阅读:49 留言:0更新日期:2023-03-25 17:57
本发明专利技术的磁传感器具备:具有上表面的基板、具有倾斜面的绝缘层、以及配置在倾斜面之上的磁检测元件。磁检测元件具有第一侧面和第二侧面。第一侧面位于沿着倾斜面的一个方向即第一方向的前方。第二侧面位于沿着倾斜面的另一个方向即第二方向的前方。磁检测元件包含:第一变化部分,其中,沿着磁检测元件的长边方向,第一侧面的上端和第二侧面的上端的间隔变小。小。小。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器


[0001]本专利技术涉及具备配置在倾斜面之上的磁检测元件的磁传感器。

技术介绍

[0002]近年来,以各种用途利用使用了磁阻效应元件的磁传感器。在包含磁传感器的系统中,有时想要通过设置于基板上的磁阻效应元件检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。在该情况下,通过设置将与基板的面垂直的方向的磁场转换成与基板的面平行的方向的磁场的软磁性体,或在形成于基板上的倾斜面上配置磁阻效应元件,能够检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。
[0003]作为磁阻效应元件,例如使用自旋阀型的磁阻效应元件。自旋阀型的磁阻效应元件具有:磁化固定层,其具有方向被固定的磁化;自由层,其具有方向可根据施加磁场的方向而变化的磁化;以及间隙层,其配置于磁化固定层和自由层之间。另外,关于自由层,已知有使用线圈来设置/重置自由层的磁化的方向的技术。
[0004]在日本专利申请公开2006

194733号公报中公开有一种具备形成在斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器。在日本国公表专利公报第2001

>516031号中公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器,其特征在于,具备:基板,其具有基准平面;支承构件,其配置在所述基板之上,具有相对于所述基准平面倾斜的倾斜面;以及磁检测元件,其配置在所述倾斜面之上,且具有在一个方向上长的形状,所述磁检测元件具有:第一侧面及第二侧面,它们位于所述磁检测元件的短边方向的两侧,且分别具有上端,所述第一侧面位于沿着所述倾斜面的方向且远离所述基准平面的第一方向的前方,所述第二侧面位于沿着所述倾斜面的方向且靠近所述基准平面的第二方向的前方,所述磁检测元件包含:第一变化部分,其中,所述第一侧面的所述上端和所述第二侧面的所述上端各自的至少一部分成为直线状,且沿着所述磁检测元件的长边方向,所述第一侧面的所述上端和所述第二侧面的所述上端的间隔变小。2.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述磁检测元件还具有:所述第一侧面和所述第二侧面相交而成的边缘。3.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述第一变化部分的所述第一侧面的所述上端相对于在所述第一侧面和所述第二侧面之间延伸且与所述长边方向平行的假想直线形成第一角度,所述第一变化部分的所述第二侧面的所述上端相对于所述假想直线形成第二角度,所述第一角度和所述第二角度互不相同。4.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述第一变化部分的所述第一侧面的所述上端相对于在所述第一侧面和所述第二侧面之间延伸且与所述长边方向平行的假想直线形成第一角度,所述第一变化部分的所述第二侧面的所述上端相对于所述假想直线形成第二角度,所述第一角度和所述第二角度彼此相等。5.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述第一侧面和所述第二侧面各自还具有下端,从所述第一侧面的所述上端观察,所述第一侧面的所述下端位于所述第一方向的前方,从所述第二侧面的所述上端观察,所述第二侧面的所述下端位于所述第二方向的前方。6.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述磁检测元件还包含:恒定部分,其中,沿着所述长边方向,所述第一侧面及所述第二侧面各自的所述上端成为直线状,且所述第一侧面和所述第二侧面的间隔为恒定。7.根据权利要求6所述的磁传感器,其特征在于,在所述第一变化部分的所述上端和所述恒定部分的所述上端之间,形成有边缘。8.根据权利要求6所述的磁传感器,其特征在于,所述磁检测元件还包含:第二变化部分,其配置于将所述恒定部分夹持在与所述第一变化部分之间的位置,沿着所述长边方向,所述第一侧面及...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡部司也牧野健三
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:

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