磁传感器制造技术

本发明专利技术的磁传感器具有：绝缘层、配置在绝缘层之上的线圈要素、以及第一绝缘膜。绝缘层具有第一倾斜面和第二倾斜面。线圈要素具有第一侧面和第二侧面。第一侧面包含：第一部分、和配置于比第一部分距基板的上表面更远的位置的第二部分。第一部分以与第一及第二倾斜面交叉的方式倾斜，且以随着靠近基板的上表面而靠近第二侧面的方式倾斜。第一绝缘膜覆盖第一部分。分。分。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器


[0001]本专利技术涉及具备配置在倾斜面之上的金属层的磁传感器。

技术介绍

[0002]近年来，以各种用途利用使用了磁阻效应元件的磁传感器。在包含磁传感器的系统中，有时想要通过设置于基板上的磁阻效应元件检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。在该情况下，通过设置将与基板的面垂直的方向的磁场转换成与基板的面平行的方向的磁场的软磁性体，或在形成于基板上的倾斜面上配置磁阻效应元件，能够检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。
[0003]在日本专利申请公开2006
‑
194733号公报中公开有一种具备形成在斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器。在该磁传感器中，设置有磁阻效应元件的基板的表面被由绝缘材料构成的保护膜覆盖。
[0004]而且，在磁传感器中，以各种用途设置有线圈。例如，在国际公开第2016/021260号中公开有：设置了被测量电流流过的线圈的磁传感器、和具备磁传感器和反馈线圈的磁平衡式电流传感器。在国际公开第2016/021260中公开的磁传感器中，线圈形成在磁测量元件的上方的平面之上。
[0005]在此，考虑：在如日本专利申请公开2006
‑
194733号公报中公开的磁传感器那样具备形成在倾斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器中，如国际公开第2016/021260号中公开的磁传感器那样，在磁阻效应元件的上方的附近的位置设置线圈。在该情况下，在磁阻效应元件和线圈之间，设置有具有大致恒定的厚度的绝缘层。绝缘层具有与配置有磁阻效应元件的倾斜面对应的形状的倾斜面。线圈也形成在绝缘层的倾斜面之上。通常，线圈以截面形状为矩形的方式形成。但是，线圈的至少一部分，由于绝缘层的倾斜面的影响，有时截面形状未成为矩形。例如，有时线圈的至少一部分的截面形状成为随着靠近线圈的下表面而宽度变小的倒梯形形状。
[0006]通常，线圈的表面被由绝缘材料构成的保护膜覆盖。如上所述，在线圈的截面形状为倒梯形形状的情况下，在线圈的下表面的附近，与线圈的上表面的附近相比，保护膜难以附着。其结果，在保护膜的成膜时形成的接缝(seam)形成在更靠近线圈的位置。当接缝存在于线圈的附近时，产生因从接缝浸入的抗蚀剂剥离液等而引起的线圈腐蚀这样的问题。
[0007]上述问题不限于线圈，也适用于形成在倾斜面之上的配线等。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于，提供一种能够防止配置在倾斜面之上的金属层腐蚀的磁传感器。
[0009]本专利技术的磁传感器具备：具有基准平面的基板、设置在基板之上的磁检测元件及绝缘层、以及配置在绝缘层之上的至少一个金属层及多个第一绝缘膜。绝缘层具有相对于基准平面倾斜的至少一个倾斜面。至少一个金属层具有在规定的方向上长的形状，并且具
有位于至少一个金属层的短边方向的两侧的第一侧面及第二侧面。第一侧面和第二侧面各自包含：第一部分、和配置于比第一部分距基准平面更远的位置的第二部分。第一部分以与至少一个倾斜面交叉的方式倾斜。第一侧面的第一部分还以随着靠近基准平面而靠近第二侧面的方式倾斜。第二侧面的第一部分还以随着靠近基准平面而靠近第一侧面的方式倾斜。多个第一绝缘膜包含：覆盖第一侧面的第一部分且沿与至少一个倾斜面交叉的方向延伸的部分、和覆盖第二侧面的第一部分且沿与至少一个倾斜面交叉的方向延伸的部分。
[0010]在本专利技术的磁传感器中，多个第一绝缘膜覆盖第一侧面的第一部分和第二侧面的第一部分。由此，根据本专利技术，能够防止配置在倾斜面之上的金属层腐蚀。
[0011]本专利技术的其它目的、特征及好处将通过以下的说明变得充分清晰。
附图说明
[0012]图1是示出本专利技术的第一实施方式的磁传感器的立体图。
[0013]图2是示出包含本专利技术的第一实施方式的磁传感器的磁传感器装置的结构的功能框图。
[0014]图3是示出本专利技术的第一实施方式的第一检测电路的电路结构的电路图。
[0015]图4是示出本专利技术的第一实施方式的第二检测电路的电路结构的电路图。
[0016]图5是示出本专利技术的第一实施方式的磁传感器的一部分的俯视图。
[0017]图6是示出本专利技术的第一实施方式的磁传感器的一部分的截面图。
[0018]图7是示出本专利技术的第一实施方式的磁阻效应元件的侧视图。
[0019]图8是示出本专利技术的第一实施方式的磁传感器的主要部分的截面图。
[0020]图9是示出图8所示的线圈要素的第一侧面的附近的部分的截面图。
[0021]图10是示出图8所示的线圈要素的第二侧面的附近的部分的截面图。
[0022]图11是示出本专利技术的第一实施方式的磁传感器的制造方法中的一个工序的截面图。
[0023]图12是示出接着图11所示的工序的工序的截面图。
[0024]图13是示出接着图12所示的工序的工序的截面图。
[0025]图14是示出接着图13所示的工序的工序的截面图。
[0026]图15是示出本专利技术的第二实施方式的磁传感器的一部分的截面图。
具体实施方式
[0027][第一实施方式][0028]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行详细地说明。首先，参照图1及图2，对本专利技术的第一实施方式的磁传感器的结构进行说明。图1是示出本实施方式的磁传感器的立体图。图2是示出包含本实施方式的磁传感器的磁传感器装置的结构的功能框图。
[0029]如图1所示，磁传感器1具有长方体形状的芯片的形态。磁传感器1具有：相互位于相反侧的上表面1a及下表面、以及将上表面1a及下表面连接的4个侧面。另外，磁传感器1具有：设置在上表面1a上的多个电极焊盘(pad)。
[0030]在此，参照图1，对本实施方式的基准坐标系进行说明。基准坐标系是以磁传感器1为基准的坐标系，是由三个轴定义的正交坐标系。在基准坐标系中，定义有X方向、Y方向、Z
方向。X方向、Y方向、Z方向相互正交。在本实施方式中，特别地，将与磁传感器1的上表面1a垂直的方向，即，从磁传感器1的下表面朝向上表面1a的方向设为Z方向。另外，将与X方向相反的方向设为
‑
X方向，将与Y方向相反的方向设为
‑
Y方向，将与Z方向相反的方向设为
‑
Z方向。定义基准坐标系的三个轴是与X方向平行的轴、与Y方向平行的轴、以及与Z方向平行的轴。
[0031]以下，将相对于基准位置处于Z方向的前方的位置称为“上方”，将相对于基准位置处于“上方”的相反侧的位置称为“下方”。另外，关于磁传感器1的构成要素，将位于Z方向端的面称为“上表面”，将位于
‑
Z方向端的面称为“下表面”。另外，“从Z方向观察时”这样的表达是从沿Z方向分离的位置观察对象物。
[0032]如图2所示，磁传感器1具备：第一检测电路20和第二检测电路30。第一及第二检测电路20、30各自包含多个磁检测元件，构成为检测对象磁场并生成至少一个检测信号。在本实施方式中，特别地，多个磁检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，具备：具有基准平面的基板；设置在所述基板之上的磁检测元件；设置在所述基板之上的绝缘层；以及配置在所述绝缘层之上的至少一个金属层及多个第一绝缘膜，所述绝缘层具有相对于所述基准平面倾斜至少一个倾斜面，所述至少一个金属层具有在规定方向上长的形状，并且具有位于所述至少一个金属层的短边方向的两侧的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面各自包含：第一部分、和配置于比所述第一部分距所述基准平面更远的位置的第二部分，所述第一部分以与所述至少一个倾斜面交叉的方式倾斜，所述第一侧面的所述第一部分还以随着靠近所述基准平面而靠近所述第二侧面的方式倾斜，所述第二侧面的所述第一部分还以随着靠近所述基准平面而靠近所述第一侧面的方式倾斜，所述多个第一绝缘膜包含：覆盖所述第一侧面的所述第一部分且沿与所述至少一个倾斜面交叉的方向延伸的部分、和覆盖所述第二侧面的所述第一部分且沿与所述至少一个倾斜面交叉的方向延伸的部分。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，还具备：覆盖所述至少一个金属层及所述多个第一绝缘膜的第二绝缘膜。3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述多个第一绝缘膜还包含：覆盖所述第一侧面的所述第二部分的部分、和覆盖所述第二侧面的所述第二部分的部分。4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述至少一个金属层还具有：位于远离所述基准平面的方向的前方的上表面，所述多个第一绝缘膜中的各个不覆盖所述至少一个金属层的所述上表面。5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，所述多个第一绝缘膜还包含：存在于比存在于所述第一侧面和所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员：川森启太，平林启，梅原弘道，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：