低压输出接口短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低压输出接口短路保护电路，包括MOS管Q1、三极管Q2、Q4、电阻R2、R3、R5、R6及电容C1，所述MOS管Q1的源极与电阻R3的一端电性连接，电阻R3的另一端及MOS管Q1的栅极分别与三极管Q4的集极电芯连接，三极管Q4的基极分别与电阻R6的一端、三极管Q2的集极电性连接，所述三极管Q4的射极接地，所述MOS管Q1的漏极与三极管Q2的射极电性连接，电阻R6的另一端与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端分别与三极管Q2的基极、电阻R2的一端及电容C1的一端连接，所述电阻R2的另一端与电容C1的另一端接地。本实用新型专利技术在具备较少、结构较为简单元器件的情况下即可实现对电源的短路保护。件的情况下即可实现对电源的短路保护。件的情况下即可实现对电源的短路保护。

【技术实现步骤摘要】
低压输出接口短路保护电路


[0001]本技术涉及接口电源
，特别是涉及一种低压输出接口短路保护电路。

技术介绍

[0002]市面上的一些电源短路保护电路虽然具备一定的短路保护效果，但由于涉及到较多、较复杂的电子元器件，会使得产品的成本增加，使得产品造价较高，不利于产品的大众化，不利于产品对市场的占有率的增加。
[0003]因此，现有技术存在不足，需要改进。

技术实现思路

[0004]针对上述现有技术存在的缺陷，本技术的目的在于提供一种低压输出接口短路保护电路。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种低压输出接口短路保护电路，包括包括MOS管Q1、三极管Q2、Q4、电阻R2、R3、R5、R6及电容C1，所述MOS管Q1的源极与电阻R3的一端电性连接，电阻R3的另一端及MOS管Q1的栅极分别与三极管Q4的集极电芯连接，三极管Q4的基极分别与电阻R6的一端、三极管Q2的集极电性连接，所述三极管Q4的射极接地，所述MOS管Q1的漏极与三极管Q2的射极电性连接，电阻R6的另一端与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端分别与三极管Q2的基极、电阻R2的一端及电容C1的一端连接，所述电阻R2的另一端与电容C1的另一端接地。
[0006]优选地，所述MOS管Q1为P型沟道MOS管。
[0007]优选地，所述三极管Q2及三极管Q4均为npn型三极管。
[0008]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0009]通过本技术采用的方案，在具备较少、结构较为简单元器件的情况下即可实现对电源的短路保护，无需设置造价较高的芯片、检测电路、采样电路等，实现了制造成本的降低。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本技术中的方案，下面将对本技术实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1是本技术提供的一种低压输出接口短路保护电路的具体电路图。
具体实施方式
[0012]下面结合附图对本技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本技术的优点
和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施例，都属于本技术所保护的范围。
[0013]本技术的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本技术的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
[0014]请参阅图1，本技术提供一种低压输出接口短路保护电路，包括MOS管Q1、三极管Q2、Q4、电阻R2、R3、R5、R6及电容C1，MOS管Q1的源极与电阻R3的一端电性连接，电阻R3的另一端及MOS管Q1的栅极分别与三极管Q4的集极电芯连接，三极管Q4的基极分别与电阻R6的一端、三极管Q2的集极电性连接，三极管Q4的射极接地，MOS管Q1的漏极与三极管Q2的射极电性连接，电阻R6的另一端与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端分别与三极管Q2的基极、电阻R2的一端及电容C1的一端连接，电阻R2的另一端与电容C1的另一端接地。其中，电阻R6的另一端与外界EM控制信号端电芯连接，电阻R3的一端与外界VCC端连接，MOS管Q1的漏极与外界VOUT端连接。
[0015]优选地，MOS管Q1为P型沟道MOS管；三极管Q2及三极管Q4均为npn型三极管。
[0016]本技术的工作原理为：刚上电时，MOS管Q1处于关闭状态，EM控制信号发送高电平，由于电容C1的设置使得充电延时，三极管Q4快速打开，MOS管的栅极电压被三极管Q4下拉，三极管Q1打开，此时VOUT端与VCC端电平相当，由于三极管Q2的射极与基极未形成电压正偏，三极管Q2处于关闭状态，此时电路正常输出；当VOUT端对地短路时，三极管Q2的射极与基极形成电压正偏，三极管Q2打开，同时锁死三极管Q4的驱动电压，三极管Q4关闭，实现对电路的保护。
[0017]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0018]通过本技术采用的方案，在具备较少、结构较为简单元器件的情况下即可实现对电源的短路保护，无需设置造价较高的芯片、检测电路、采样电路等，实现了制造成本的降低。
[0019]以上仅用以说明本技术的技术方案，而非对其进行限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压输出接口短路保护电路，其特征在于：包括MOS管Q1、三极管Q2、Q4、电阻R2、R3、R5、R6及电容C1，所述MOS管Q1的源极与电阻R3的一端电性连接，电阻R3的另一端及MOS管Q1的栅极分别与三极管Q4的集极电芯连接，三极管Q4的基极分别与电阻R6的一端、三极管Q2的集极电性连接，所述三极管Q4的射极接地，所述MOS管Q1的漏极与三极管Q2的射极电性连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎钦，
申请(专利权)人：深圳瑞德创新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：