电子镇流器中灯管寿终时的保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电子镇流器中灯管寿终时的保护电路。它括第一比较器、第二比较器和用于灯管自动重启的ＭＯＳ管，所述的第一比较器的正端采样灯管电压的负半周，其负端为基准点；所述的第二比较器的正端连接到所述的第一比较器的负端，其负端采样灯管电压的正半周；所述两个比较器的输出端通过可控硅连接到振荡驱动电路的电源端。在灯管在寿终时在正负半周电压会下降，两个比较器会检测到该变化并触发导通可控硅，使振荡驱动电路停振，产品一直处于受保护状态，直到换灯管时，由于无灯管保护的启动，使控制ＭＯＳ管开通，从而切断可控硅导通的维持电流，可控硅截止，换灯管后产品实现自动重起功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子镇流器的保护电路，具体地说是一种电子镇流器中灯管寿终时的保护电路。
技术介绍
当今电子镇流器的应用越来越广，对电子镇流器的要求也越来越高，尤其是一些保护方面的功能，特别是T5等细管径产品的出现，其对寿终和无灯管时的保护要求尤为突出，目前灯管寿终或无灯管接入时的保护及换灯管后能自动重起技术，通常采用芯片电路，例如PHILPS的镇流器保护电路采用2010T芯片技术，但该电路较复杂。
技术实现思路
本专利技术要解决的是现有技术中存在的上述问题，旨在提供一种结构相对简单的电子镇流器中灯管寿终时的保护电路，且该保护电路在换灯管前一直处在保护状态，直到换灯管后重启。解决上述问题采用的技术方案是电子镇流器中灯管寿终时的保护电路，包括第一比较器、第二比较器和用于灯管自动重启的MOS管，所述的第一比较器的正端采样灯管电压的负半周，其负端为基准点；所述的第二比较器的正端连接到所述的第一比较器的负端，其负端采样灯管电压的正半周；所述两个比较器的输出端通过可控硅连接到振荡驱动电路的电源端；并且所述两个比较器的输入端满足常态时负端电压高于正端电压，寿终时负端电压低于正端电压；所述的MOS管的漏极接地，源极连接到振荡驱动电路的电源端，栅极连接一控制信号，所述的控制信号满足有灯管时为低电平，无灯管时为高电平。所述基准点的电压通过两个电阻分压获得，所述第一比较器的输入正端电压以及所述第二比较器的输入负端电压是通过以下电路获得的在第一灯丝的电源引入端接第一电阻，所述的第一电阻的另一端连接第一二极管的阳极和第二二极管的阴极，所述第一二极管的阴极连接到第三电阻与第一电容并联电路的一端以及所述第二比较器的输入负端，所述并联电路的另一端接地；所述第二二极管的阳极连接到第四电阻与第二电容并联电路的一端以及稳压管的阳极，所述并联电路的另一端接地；所述稳压管的阴极连接到第五电阻、第六电阻、第三电容以及所述第一比较器的输入正端，所述第五电阻的另一端接电源，所述第六电阻和第三电容的另一端接地。所述可控硅是以如下方式实现控制的所述可控硅阴级接地，阳极接一电阻和MOS管的源极，电阻的另一端串联一电阻后连接到电源，所述MOS管关断时电源通过电阻向可控硅提供维持电流，MOS管开通时源极电压为0V切断电源向可控硅提供维持电流的回路，可控硅关断。众所周知在灯管在寿终时(漏气和灯丝断除外)表现为整流态效应，即灯管两端阴极发射电子的能力不平衡，表现为一边强一边弱，这样在产品上的表现就是灯管电压正负半周至少有一边由于灯丝电子发射能力的下降而使灯管电压出现较大下滑现象，故本设计寿终保护就采样灯管电压正负半周。常态时，两个比较器的负端电压高于正端电压，比较器输出低电平，可控硅截止，振荡驱动电路正常工作。当灯管的正半周电压下降到设定值时，第二比较器的输入负端电压低于正端电压，比较器输出高电平，可控硅触发导通，将振荡驱动电路的电源端电压拉为零，振荡驱动电路停振，电路处在保护状态。可控硅触发导通后，在续流电阻的续流作用下仍维持导通，因而振荡驱动电路的电源端电压保持为零，产品一直处于受保护状态，直到换灯管时，由于无灯管保护的启动，使控制MOS管开通，从而切断可控硅导通的维持电流，可控硅截止，换灯管后产品实现自动重起功能。而当灯管的负半周电压下降到设定值时，由于电压负值减小而导致第二比较器的输入正端电压高于负端电压，第二比较器输出高电平，可控硅触发导通。其续流保护和换灯重启原理同上。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。图1是本专利技术的电子镇流器中灯管寿终时的保护电路的电路图。图2是本专利技术MOS管Q3控制信号获得的一种实施方式的电路图。图3是本专利技术MOS管Q3控制信号获得的另一种实施方式的电路图。具体实施例方式参照图1，虚框I、II、III分别为电子镇流器的振荡驱动电路、镇流电路和本专利技术的保护电路，其中振荡芯片采用L6569。在本实施例中，电路中接入单根灯管LAMP1，具有第一灯丝DS1和第二灯丝DS2。虚框II中为本专利技术的电子镇流器中灯管寿终时的保护电路，包括第一比较器A1、第二比较器A2和用于灯管自动重启的MOS管Q3，所述的第一比较器A1的正端D采样灯管电压的负半周，其负端E为基准点；所述的第二比较器A2的正端连接到所述的第一比较器A1的负端E，其负端F采样灯管电压的正半周；所述两个比较器A1、A2的输出端通过可控硅Q4连接到振荡驱动电路的电源端Y；并且所述两个比较器A1、A2的输入端满足常态时负端电压高于正端电压，寿终时负端电压低于正端电压；所述的MOS管Q3的漏极接地，源极连接到振荡驱动电路的电源端Y，栅极连接一控制信号，所述的控制信号满足有灯管时为低电平，无灯管时为高电平。所述基准点E的电压通过两个电阻R13、R14分压获得，所述第三比较器A3的输入正端D电压以及所述第四比较器A4的输入负端F电压是通过以下电路获得的在第一灯丝的电源引入端U接第一电阻R5，所述的第一电阻R5的另一端连接第一二极管D1的阳极和第二二极管D2的阴极，所述第一二极管D1的阴极连接到第三电阻R7与第一电容C5并联电路的一端以及所述第四比较器A4的输入负端F，所述并联电路的另一端接地；所述第二二极管D2的阳极W连接到第四电阻R10与第二电容C6并联电路的一端以及稳压管DZ2的阳极，所述并联电路的另一端接地；所述稳压管DZ2的阴极连接到第五电阻R11、第六电阻R12、第三电容C7以及所述第三比较器A3的输入正端D，所述第五电阻R11的另一端接电源，所述第六电阻R12和第三电容C7的另一端接地。所述可控硅Q4是以如下方式实现控制的所述可控硅Q4阴级接地，阳极接一电阻R24和MOS管Q3的源极，电阻R24的另一端串联一电阻R25后连接到电源，所述MOS管Q3关断时电源通过电阻R24、R25向可控硅Q4提供维持电流，MOS管Q3开通时源极电压为0V切断电源向可控硅Q4提供维持电流的回路，可控硅关断。灯管的寿终即整流态保护，此时灯管两端或一端发射电子的能力下降，在电路上的表现就是灯管电压下降，即灯丝DS1引入端U点对地的电压下降，正常工作的时候灯丝DS1U点对地应为上下对称的高频正弦波或者接近正弦波，即对地是有正压也有负压，且正负压幅值相等。本设计中用电阻R5、二极管D2、电阻R10和电容C6取样出一个负压即W点，初始设为负15V，电阻R5、二极管D1、电容C5和电阻R7取样出一个正压即F点，设15V，基准点E通过电阻R13和R14分压初始设为10V，比较器A3的输入正端D点是电源通过电阻R11、R12和电容C7产生一个电压，初始设计为20V，同时输入正端D点通过稳压管DZ2(稳压15V)连接于负压点W，故正常工作时正端D点电压为5V(因为负压点W为负15V，接稳压管DZ2后将D点电压下拉为5V)，所以正常工作的时候F、E、D三点的电压分别为15、10、5V，比较器3、4输出低电平，不影响电路工作。当灯管电压正半周下降时F点电位下降，负半周幅值下降时W点负值变小，带动D点电压上升。当F点下降到10V以下或D点上升到10V以上，比较器3、4就会输出高电平，通过二极管D7、D8、电阻R21、可控硅Q4、电阻R24将振荡芯片L6569电源端拉为0V，从而起到保护作用。由于可控硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子镇流器中灯管寿终时的保护电路，包括第一比较器（Ａ１）、第二比较器（Ａ２）和用于灯管自动重启的ＭＯＳ管（Ｑ３），所述的第一比较器（Ａ１）的正端（Ｄ）采样灯管电压的负半周，其负端（Ｅ）为基准点；所述的第二比较器（Ａ２）的正端连接到所述的第一比较器（Ａ１）的负端（Ｅ），其负端（Ｆ）采样灯管电压的正半周；所述两个比较器（Ａ１、Ａ２）的输出端通过可控硅（Ｑ４）连接到振荡驱动电路的电源端（Ｙ）；并且所述两个比较器（Ａ１、Ａ２）的输入端满足：常态时负端电压高于正端电压，寿终时负端电压低于正端电压；所述的ＭＯＳ管（Ｑ３）的漏极接地，源极连接到振荡驱动电路的电源端（Ｙ），栅极连接一控制信号，所述的控制信号满足：有灯管时为低电平，无灯管时为高电平。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马锦洪，
申请(专利权)人：东阳得邦照明有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]