一种单路光电半导体元件、光电调制器及电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种单路光电半导体元件、光电调制器及电子设备，属于图像传感器领域。本发明专利技术通过采用一个单侧调制栅电极，来获得两个不同相位的积分信号(0,180或者90，270)，与现有技术相比，节省了一个条调制栅的面积，同时也减少了驱动调制栅所需要的驱动相位信号的个数，减小了功耗。采用的调制栅数量减少的同时还能降低功耗简化工作时序。因此，本发明专利技术提出的半导体元件能够解决现有技术指出的现有图像传感器需要两个调制栅，不利于器件的小型化，且功耗大，时序复杂的问题。时序复杂的问题。时序复杂的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种单路光电半导体元件、光电调制器及电子设备


[0001]本专利技术属于图像传感器领域，涉及一种单路光电半导体元件、光电调制器及电子设备。

技术介绍

[0002]在探测
越来越多的技术不断被推出，为了保证图像或者测距等应用领域的高效快速探测的目标信息，探测信息的获得效率也越来越受到关注，探测器的像素单元对于光的吸收率将直接影响探测器获得的图像质量或者测距过程中数据的准确性，通常这类型的探测器包含光电转化元件，其可将入射光转化成电信号，可以大致分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)两种类型，其中CMOS是将电荷转化为每个单位像素的电压，并通过切换操作从信号线输出信号，通过上述两种光电转化器件的至少一种转化形成的光生电荷需要通过器件内部传输到浮动扩散节点上输出，近年来，随着半导体技术的进步，用于测量到物体的距离的测距模块的小型化已经取得了进展。因此，例如，已经实现了在诸如所谓的智能电话等移动终端中安装测距模块，所述智能电话是具有通信功能的小型信息处理装置随着科技的进步，在距离或者深度信息探测过程中，经常使用的方法为飞行时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单路光电半导体元件，其特征在于，包括外延片(EPI)、第一浮动扩散节点(FD1)、第二浮动扩散节点(FD2)、单侧调制栅(PG)、两个背景光消除栅(TD)和两个复位电压(VDD)；所述第一浮动扩散节点(FD1)和所述第二浮动扩散节点(FD2)对称设置，且嵌入在所述外延片(EPI)的两边；两个所述复位电压(VDD)嵌入在所述外延片(EPI)的另两个边，且两个所述复位电压(VDD)对称设置；所述单侧调制栅(PG)和两个所述背景光消除栅(TD)均设置在所述外延片(EPI)的上表面，所述单侧调制栅(PG)位于所述第一浮动扩散节点(FD1)的旁侧，两个所述背景光消除栅(TD)分别位于两个复位电压(VDD)的旁侧。2.根据权利要求1所述的单路光电半导体元件，其特征在于，所述第一浮动扩散节点(FD1)、所述第二浮动扩散节点(FD2)和两个复位电压(VDD)分别位于所述外延片(EPI)四个边的中心位置。3.一种单路光电调制器，其特征在于，采用权利要求1～2中任意一项所述的单路光电半导体元件，包括第一电源电压(VDD1)、第二电源电压(VDD2)、第一复位晶体管(RST1)、第二复位晶体管(RST2)、第一源极跟随器(SF1)、第二源极跟随器(SF2)、第一晶体管(SEL1)、第二晶体管(SEL2)、第一电容(Cap_1)、第二电容(Cap_2)、第一电流源和第二电流源；光电二极管(PD)感测光产生电子空穴对，并将电子空穴对施加到单侧调制栅(PG)的栅极电压形成耗尽区，电子空穴对的电子和空穴被分离，经分离的电子累积在单侧调制栅(PG)下方，第一浮动扩散节点(FD1)连接到第一源极跟随器(SF1)的栅极，第一电源电压(VDD1)连接到第一源极跟随器(SF1)的漏极，第一晶体管(SEL1)的漏极连接到第一源极跟随器(SF1)的源极，第一晶体管(SEL1)的源极连接第一电流源，第一电流源的另一端接地；第一电源电压(VDD1)连接到第一复位晶体管(RST1)的漏极，第一复位晶体管(RST1)的源极连接第一电容(Cap_1)，第一电容(Cap_1)的另一端接地；第二浮动扩散节点(FD2)连接到第二源极跟随器(SF2)的栅极，第二电源电压(VDD2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张冰，胡从振，辛有泽，耿莉，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：