一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺制造技术

一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺，包括如下步骤；于激光光源输出四种不同波长的光；将激光光源所产生的光通过9/125SMF光纤线进行传输；9/125SMF光纤线与AWG芯片进行耦合，且AWG芯片将不同波长的光根据其波长分到对应的波导内；电路板设有四个PD阵列，每个PD阵列与四种波长的光一一对应，电路板接收光信号以后转换为电信号进行传输；信号处理单元接收上述电信号；PC端功率监控单元接收信号处理单元的电信号以对AWG芯片的光信号进行可视化监控，降低了芯片耦合过程中芯片破损比例；解决了常规使用酒精或甘油残留在产品表面的问题；耦合、测试与客户端使用场景一致，测得的数据更准确；调节简单，即使芯片输出端与PD对得不精准，也能测试出准确数据。也能测试出准确数据。也能测试出准确数据。

【技术实现步骤摘要】
一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺


[0001]本专利技术涉及AWG芯片测试领域，尤其涉及一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺。

技术介绍

[0002]近年来，受益于应用场景的发展及市场需求的快速增长，全球和中国数据中心光模块市场规模均实现加速扩张并在未来一段时间保持较快的发展势头。作为QSFP28光模块RX端重要组成部分的CWDM4 AWG Demux/LR4 AWG Demux组件，市场需求量巨大。
[0003]以41
°
FA为例，将波长为：λ1，λ2，λ3，λ4的光用9/125单模光纤分别在光功率计1,2,3，4中记录下参考值(即为基准值)，完成后再使用这条9/125单模光纤将需要的工作波长的光(λ1，λ2，λ3，λ4)同时传输至光芯片处，光芯片将光按照不同的波长分别输出至相应波导通道内，62.5/125多模光纤阵列完全将光接收后会把光芯片输出端通道内的光(λ1，λ2，λ3，λ4)分别传输至光功率计1,2,3,4处进行测量，现有技术如图1所示，考虑到生产成本与生产效率，主要采用0
°
、8
°
、41
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、43
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、45
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多模FA作为芯片输出端的光接收和传输部分，由于FA表面为光学研磨后的镜面，光由空气入射到光纤时，将会有一部分光产生镜面反射回到空气中，造成一部分光功率损耗，同时多模光纤的数值孔径也不满足将入射后所有的光都收入至纤芯中，而终端客户端直接使用PD进行收光，无去除FA收光与传输光部分，使得光功率的损耗偏大，造成光芯片测试光功率测试不准确。
[0004]2.在使用41
°
、43
°
、45
°
多模FA时会使用到酒精及甘油作为传输介质，酒精挥发后残留的杂质会附着在光芯片表面，FA端酒精及甘油残留物会影响到生产效率，芯片端残留物会影响到客户使用，从而需要对FA输入端与芯片输出端进行清洁，带来附加人工成本；
[0005]3.同时使用多模FA收光和传输过程中要求FA中多模光纤纤芯与芯片光输出端的距离较近和对准才可将光功率测得较高，此过程最终会不可避免的使芯片与FA产生物理接触，最终造成一部分芯片尖端破损问题。

技术实现思路

[0006]为解决上述问题，本技术方案提供一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺，解决了使用FA测试损耗偏大问题、耦合场景与客户实际应用场景不一致，使用酒精/甘油匹配液带来的产品脏污问题。
[0007]为实现上述目的，本技术方案如下：
[0008]一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺，其特征在于，包括如下步骤；
[0009]于激光光源输出四种不同波长的光，分别为λ1，λ2，λ3，λ4；
[0010]将激光光源所产生的光通过9/125SMF光纤线进行传输；
[0011]9/125SMF光纤线与AWG芯片进行耦合，且所述AWG芯片将不同波长的光根据其波长分到对应的波导内；
[0012]电路板设有四个PD阵列，每个PD阵列与四种波长的光一一对应，所述电路板接收光信号以后转换为电信号进行传输；
[0013]信号处理单元接收上述电信号；
[0014]PC端功率监控单元接收所述信号处理单元的电信号以对所述AWG芯片的光信号进行可视化监控。
[0015]在一些实施例中，所述9/125SMF光纤线与AWG芯片之间通过UV胶进行耦合。
[0016]在一些实施例中，通过调节机台找到波导与PD的最佳耦合位置再通过UV胶进行耦合。
[0017]在一些实施例中，所述PD阵列的孔径尺寸为
[0018]在一些实施例中，还包括如下步骤；
[0019]所述电路板首先记录每种波长在每个PD阵列下的基准值，再接入光源进行比较。
[0020]在一些实施例中，所述AWG芯片通过空气作为介质给所述电路板进行光源传输。
[0021]本申请有益效果为：
[0022]1.降低了芯片耦合过程中芯片破损比例；
[0023]2.解决了常规使用酒精或甘油残留在产品表面的问题；
[0024]3.耦合、测试与客户端使用场景一致，测得的数据更准确；
[0025]4.调节简单，即使芯片输出端与PD对得不精准，也能测试出准确数据。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0027]图1是现有技术的结构示意图；
[0028]图2是本专利技术实施例的结构示意图主视图；
[0029]图3是本专利技术实施例的结构示意图顶视图；
[0030]图4是本专利技术实施例的PCB装配示意图。
具体实施方式
[0031]为了使本专利技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0032]请参照图1
‑
3所示，一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺，包括如下步骤；
[0033]于激光光源输出四种不同波长的光，分别为λ1，λ2，λ3，λ4；
[0034]将激光光源所产生的光通过9/125SMF光纤线进行传输；
[0035]9/125SMF光纤线与AWG芯片进行耦合，且所述AWG芯片将不同波长的光根据其波长分到对应的波导内；
[0036]电路板设有四个PD阵列，每个PD阵列与四种波长的光一一对应，所述电路板接收光信号以后转换为电信号进行传输；
[0037]信号处理单元接收上述电信号；
[0038]PC端功率监控单元接收所述信号处理单元的电信号以对所述AWG芯片的光信号进行可视化监控。
[0039]将波长为：λ1，λ2，λ3，λ4的光用9/125单模光纤分别在4颗120um PD阵列中记录下
光功率参考值(四颗PD和四个波长为一一对应关系，每颗PD对应一种波长，分别记录下每种波长在每颗PD下的基准值)，完成后再使用这条9/125单模光纤将需要的工作波长的光(λ1，λ2，λ3，λ4)同时传输至光芯片处，光芯片将光按照不同的波长分别输出至相应波导通道内，PD阵列会将接收的四束光分别转换为电流信号，光越强，产生的电流信号越大，通过信号处理单元将电流信号转换为光强显示在PC端的监控单元中，实现对四束光的实时监控。由于耦合过程中将会产生光能量损耗，光功率接收到的光功率会低于参考值，即为负值，通过调节机台找到波导与PD的最佳耦合位置，即光功率最大，进行UV固化操作，此工序完成。
[0040]在本实施例中，所述9/125SMF光纤线与AWG芯片之间通过UV胶进行耦合。
[0041]在本实施例中，通过调节机台找到波导与PD的最佳耦合位置再通过UV胶进行耦合。
[0042]在本实施例中，所述PD阵列的孔径尺寸为使用PD阵列代替多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺，其特征在于，包括如下步骤；于激光光源输出四种不同波长的光，分别为λ1，λ2，λ3，λ4；将激光光源所产生的光通过9/125SMF光纤线进行传输；9/125SMF光纤线与AWG芯片进行耦合，且所述AWG芯片将不同波长的光根据其波长分到对应的波导内；电路板设有四个PD阵列，每个PD阵列与四种波长的光一一对应，所述电路板接收光信号以后转换为电信号进行传输；信号处理单元接收上述电信号；PC端功率监控单元接收所述信号处理单元的电信号以对所述AWG芯片的光信号进行可视化监控。2.根据权利要求1所述的一种基于PD阵列光耦合和测试芯片工艺，其特征在于：所述9/...

【专利技术属性】
技术研发人员：何祺昌，熊小敏，王善伟，
申请(专利权)人：广东安捷康光通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：