基于氧化镓-氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法技术

本申请涉及一种基于氧化镓

【技术实现步骤摘要】
基于氧化镓
‑
氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法


[0001]本申请涉及紫外探测器
，特别涉及一种基于氧化镓
‑
氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法。

技术介绍

[0002]紫外(IR)光电传感系统可用于森林火灾、导弹预警、紫外成像、保密通信、空间探测、电气放电检测以及刑事侦探等方面。日盲紫外探测器不需要使用制冷装置，对环境适应性较好。
[0003]在以氧化镓(Ga2O3)焦平面阵列为核心光电探测器的日盲型紫外成像技术中，β
‑
Ga2O3材料因具有超宽禁带宽度(～4.9eV)、高击穿电场(～9MV/cm)、优异的热稳定性以及对紫外光的高吸收系数等特点，被认为是深紫外光电探测器应用的最佳候选材料之一。
[0004]采用纯氧化镓的光电探测器的结构及制备工艺简单，且成本低廉，受到广泛的关注和研究，但是，其仍然存在开关比低、响应度低、的问题，严重制约了其光电性能的优化与提升。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种基于氧化镓
‑
氧化铝的日本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于氧化镓
‑
氧化铝的日盲型紫外探测器，其特征在于，其包括：衬底(1)；生长于所述衬底(1)上的Ga2O3纳米线(2)；沉积于所述Ga2O3纳米线(2)表面上的Al2O3纳米层，且所述Al2O3纳米层与Ga2O3纳米线(2)形成Ga2O3/Al2O3纳米线(3)，所有的所述Ga2O3/Al2O3纳米线(3)构成复合材料层；两个电极(4)，其设于所述复合材料层上。2.如权利要求1所述的基于氧化镓
‑
氧化铝的日盲型紫外探测器，其特征在于：所述Ga2O3纳米线(2)的宽度为5nm～50nm，长度为100nm～1mm。3.如权利要求1所述的基于氧化镓
‑
氧化铝的日盲型紫外探测器，其特征在于：所述Al2O3纳米层的厚度为5nm～20nm。4.如权利要求1所述的基于氧化镓
‑
氧化铝的日盲型紫外探测器，其特征在于：所述衬底(1)采用氧化铝、硅或者蓝宝石；和/或，所述衬底(1)的厚度为50μm～300μm；和/或，所述电极(4)采用Ag、Au、C、Cu、Ti和In其中一种或多种。5.一种基于氧化镓
‑
氧化铝的日盲型紫外探测器的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：在预设生长温度下，在衬底(1)上生长出Ga2O3纳米线(2)；在所述Ga2O3纳米线(2)表面上沉积Al2O3纳米层，以形成Ga2O3/Al2O3纳米线(3)，且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜天才，陶金，肖希，
申请(专利权)人：武汉邮电科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：