【技术实现步骤摘要】
一种双变压器式谐振变换器及其调制方法
[0001]本专利技术涉及电力电子变换
,具体为一种双变压器式谐振变换器及其调制方法。
技术介绍
[0002]在可再生能源发电、储能系统、电动汽车等领域,DC
‑
DC谐振变换器是必不可少的电能转换装置。其中双有源桥谐振变换器由于其高功率密度、电气隔离和易于实现零电压开关(ZVS)等优点应用最为广泛。传统双有源桥谐振变换器通常由两个有源全桥、谐振槽和一个高频变压器组成,通过控制两个高频电压的移相角来控制变换器由输入侧到输出侧输送的功率。
[0003]双有源桥谐振变换器常用的调制方法为移相调制,例如单移相调制(SPS)、扩展移相调制(EPS)、双移相调制(DPS)、三移相调制(TPS)等。虽然这些调制方法可以在一定程度上优化变换器的无功功率、循环电流、软开关特性等性能,但也不可避免的存在轻载下无法保证ZVS的问题,增加了变换器的开关损耗,从而导致变换器的效率降低。基于此,本专利技术设计了一种双变压器式谐振变换器及其调制方法,以解决上述问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种双变压器式谐振变换器及其调制方法,以解决现有技术中所存在的低功率下变换器会丢失ZVS,从而导致开关损耗增加,效率低下的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种双变压器式谐振变换器,包括:
[0006]本专利技术提出了一种双变压器式谐振变换器及其调制方法,包括:
[0007]一次侧三桥臂电路,所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双变压器式谐振变换器及其调制方法,其特征在于:包括:一次侧三桥臂电路,所述一次侧三桥臂电路包括4个MOSFET开关管,每个开关管处并联1个体二极管以及1个寄生电容,视为两个半桥电路并联;二次侧全桥电路,所述二次侧全桥电路由4个二极管组成,谐振电感L
r
和谐振电容C
r
在二次侧串联;所述一次侧三桥臂电路与二次侧全桥电路通过两个高频变压器T1和T2相连接,变压器原边侧为一次侧三桥臂电路,作为双变压器式变换器的输入端,副边侧为二次侧全桥电路,作为变换器的输出端,变压器一次侧并联,二次侧串联;通过设计选择变压器变比k,在全负载范围下软开关运行。2.根据权利要求1所述的一种双变压器式谐振变换器及其调制方法,其特征在于:V
H
和V
L
分别是输入电压和输出电压,i
r
和i
L
分别是谐振电流和输出电流,C
r
和C
L
分别是外接谐振电容和滤波电容,L
r
为外接谐振电感和变压器漏感之和,M
A
到M
D
为一次侧三桥臂电路的开关管元件,d1到d4为二次侧全桥的二极管元件,一次侧三桥臂电路4个开关管元件每个都是由一个体二极管d
A
到d
D
和一个寄生电容C
MA
到C
MD
组成,n1和n2分别是变压器T1和T2变比,并令k为两个变压器变比的比值,k=n2/n1。3.根据权利要求2所述的一种双变压器式谐振变换器及其调制方法,其特征在于:双变压器式谐振变换器的一次侧三桥臂电路视为由两个半桥电路M
A
、M
B
、T1和M
C
、M
D
、T2并联组成,直流电源V
H
并联两个均压电容C1、C2,并由两个半桥电路共享;寄生电容C
MA
到C
MD
与开关管并联,减少关断损失;一次侧三桥臂电路中的两个半桥电路在高频变压器T1、T2的原边侧并联;高频变压器与谐振电感L
r
和谐振电容C
r
串联后与二次侧全桥电路的4个二极管相连,变换器的输出端采用滤波电容。4.根据权利要求3所述的一种双变压器式谐振变换器及其调制方法,其特征在于,调节一次侧三桥臂开关管M
A
到M
D
的移相角,由此产生中点交流电压v
xz
和v
yz
的波形:开关M
A
、M
B
、M
C
、M
D
的占空比均为50%,且开关M
A
和M
B
,M
C
和M
D
互补导通;调节开关M
C
滞后M
A
角度α,因此,产生了两个中点交流电压v
xz
和v
yz
波形。5.根据权利要求4所述的一种双变压...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡松,李翼男,李晓东,朱培逸,黄贤明,
申请(专利权)人:常熟理工学院,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。