被成形用于物理气相沉积室中的线圈构造和形成线圈构造的方法技术

本发明专利技术包括被构造用于物理气相沉积室中的线圈构造，且还包括形成适用于物理气相沉积室的线圈构造的方法。所述线圈构造可包括从线圈本体的外周延伸出来的一个或多个隔套凸出部。所述隔套凸出部与所述线圈本体结合成一体，且具有在其中延伸的凹部，凸出唇缘整体围绕所述凹部延伸。所述隔套凸出部进一步包括在凹部内的紧固件接收器，所述接收器被构造以接收用于使所述线圈与所述室连接的紧固件。形成所述线圈构造的方法可包括确定与线圈更换套件相关的组件的独立部件以及形成可替换至少两个所述部件的一件式构造。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及被成形用于物理气相沉积室中的线圈构造，且还涉及形成线圈构造的方法。
技术介绍
物理气相沉积(PVD)通常用于形成薄层。例如，物理气相沉积通常用于沉积半导体结构中所使用的薄层，且物理气相沉积对于沉积金属材料特别有用。物理气相沉积工艺通常被称作溅射工艺，这是由于该工艺包括从靶中溅射出所需材料。溅射材料被沉积到基板上以形成所需薄膜。结合图1中的设备110对典型的物理气相沉积操作进行描述。设备110是离子金属等离子体(IMP)设备的实例，且包括具有侧壁114的室112。室112通常是高真空室。靶10被设置在室的上部区域中，且基板118被设置在室的下部区域中。基板118被保持在保持器120上，所述保持器通常包括静电卡盘。靶10将通过适当的支承构件(未示出)被保持，所述支承构件可包括动力源。可设置上部罩(未示出)以罩住靶10的边缘。靶10例如可包括铝、镉、钴、铜、金、铟、钼、镍、铌、钯、铂、铼、钌、银、锡、钽、钛、钨、钒和锌中的一种或多种。这些元素可以元素、化合物或合金的形式存在。靶可以是单块靶或可以是靶/靶座组件的一部分。基板118可包括例如半导体晶片，例如，例如单晶硅晶片。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种被构造用于物理气相沉积室中的线圈构造，包括：环形线圈本体，所述环形线圈本体具有内周和相对的外周；从所述环形线圈本体的所述外周中延伸出来的一个或多个隔套凸出部；和与所述环形线圈本体结合成一体且未通过延伸通过所述环形 线圈本体的销被联接到所述环形本体上的至少一个所述隔套凸出部，所述至少一个隔套凸出部具有在其中延伸的凹部，凸出唇缘整体围绕所述凹部延伸，且具有在所述凹部内且被构造以接收用于使所述线圈与所述室连接的紧固件的紧固件接收器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JD迈兹，KI尼梅拉，L霍姆，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]