一种金属配位组合物，特征在于包含具有由式（１）表示的重复单元的聚合物和以其三重态受激态发光的金属配合物；和一种高分子配位化合物，特征在于包含由下式（１）表示的重复单元并且以其三重态受激态发光的金属配合物结构，并且特征在于显示固态可见光发射：（其中，Ａｒ↓［１］和Ａｒ↓［２］各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基；Ａｒ↓［３］表示芳族烃基或杂环基，所述的Ａｒ↓［３］在环上具有选自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、单价杂环基和氰基中的基团；Ｘ表示单键或连接基团）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种配位组合物、一种高分子配位化合物和一种高分子发光器件(以下可以称为高分子LED)。
技术介绍
已知使用由三重态受激态显示发光的金属配合物(以下可以称为三重态发光配合物)作为发光器件的发光层用的发光材料的器件具有高有发光效率。至于三重态发光配合物，例如三(2-苯基吡啶)铱配合物Ir(ppy)3(Appl.Phys.Lett.，75，4(1999))，2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基21H，23H-Pt(II)卟吩，PtOEP(Nature，395，151(1998))等。并且为了改善这种器件的特性，公开了作为将三重态发光材料用作发光层，其中所述的三重态发光材料是一种组合物，其中向上面所述的三重态发光配合物(Ir(ppy)3或PtOEP)中加入由下式表示的聚(N-苯基咔唑)，所述的聚(N-苯基咔唑)包含重复单元的在氮原子上含苯基的咔唑二基(JP2003-7467 A)。 但是，当使用上面所述的三重态发光材料进行发光层的成膜时，存在的问题是，发光器件不能得到稳定光度、发光效率、驱动电压等所期望的性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有咔唑二基作为重复单元的三重态发光材料，并且当使用所述的发光材料形成发光器件的发光层时，该器件可以稳定地显示所期望的性能。作为本专利技术人深入细致地研究以解决了上述问题的结果，发现，当通过使用下面的物质形成发光器件的发光层时一种配位组合物，所述的配位组合物包含高分子化合物和三重态发光配合物，其中所述的高分子化合物包含作为重复单元的取代咔唑二基，所述的取代咔唑二基在氮原子上含有苯基或杂环，并且在它们的环上含有取代基，或一种高分子配位化合物，所述的高分子配位化合物含有作为重复单元的上面的取代咔唑二基，并且含有三重态发光配合物结构，所述的发光器件可以稳定地显示所期望的性能，并且完成了本专利技术。即，本专利技术涉及一种配位组合物，其包含含由下式(1)表示的重复单元的高分子化合物和显示从三重态受激态发光的金属配合物 其中，Ar1和Ar2各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基。Ar3表示芳族烃基或杂环基，并且在环上，Ar3具有选自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、单价杂环基和氰基中的基团。X表示单键或连接基团。本专利技术还涉及一种高分子配合化合物，所述的高分子配合化合物含有由式(1)表示的重复单元并且含有显示从三重态受激态发光的金属配合物结构，并且所述的高分子配合化合物显示固态可见光发射。附图说明图1是本专利技术的配位组合物1的薄膜PL光谱。图2是本专利技术的配位组合物3的薄膜PL光谱。图3是本专利技术的配位组合物4的薄膜PL光谱。图4是本专利技术实施例3的器件结构。图5所示为本专利技术实施例3和4的电流密度-外部量子-产额特性曲线。图6所示为本专利技术实施例5的电流密度-外部量-产额特性曲线。图7所示为本专利技术实施例6的电流密度-外部量-产额特性曲线。具体实施例方式本专利技术的配位组合物包含含由式(1)表示的重复单元的高分子化合物，和显示从三重态受激态发光的金属配合物。在式(1)，Ar1和Ar2各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基。三价芳族烃基是指一种其中从苯环或稠环中去除了三个氢原子的原子团，并且所述的三价芳族烃基的实例包括下面的基团 上面所述的三价芳族烃基可以在芳族环含有一个或多个取代基。至于取代基，示例的是卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基氨基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷基氨基、酰基、酰氧基、酰胺基、亚氨基、取代的甲硅烷基、取代的甲硅烷氧基、取代的甲硅烷硫基、取代的甲硅烷基氨基、单价杂环基、芳基烯基、芳基乙炔基和氰基。构成三价芳族烃基的环的碳原子的数量通常为6至60，并且优选为6至20。三价杂环基是指其中从杂环化合物中去除三个氢原子的原子团。杂环化合物是指具有环状结构的有机化合物，其中在环状结构中包含至少一个杂原子如氧、硫、氮、磷、硼等作为除了碳原子外的元素。所述的三价杂环的实例包括下列 上面所述的三价杂环基团可以在环上含有一个或多个取代基。至于取代基，示例的是卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基氨基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷基氨基、酰基、酰氧基、酰胺基、亚氨基、取代的甲硅烷基、取代的甲硅烷氧基、取代的甲硅烷硫基、取代的甲硅烷基氨基、单价杂环基、芳基烯基、芳基乙炔基或氰基。构成三价芳族烃基的环的碳原子的数量通常为4至60，优选为4至20。在上式中，R′各自独立地表示氢原子、卤原子(例如，氯、溴、碘)、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基氨基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷基氨基、酰氧基、酰胺基、芳基烯基、芳基炔基、单价杂环基或氰基。R″各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、芳基烷基、取代的甲硅烷基、酰基或单价杂环基。烷基可以是任何线性、支链或环状的，并且可以含有一个或多个取代基。碳原子的数量通常为约1至20，并且其具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基等；优选戊基、异戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基和3，7-二甲基辛基。烷氧基可以是任何线性、支链或环状的，并且可以含有一个或多个取代基。碳原子的数量通常为约1至20，其具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基等；优选戊氧基、异戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基和3，7-二甲基辛氧基。烷硫基可以是任何线性、支链或环状的，并且可以含有一个或多个取代基。碳原子的数量通常为约1至20，其具体实例包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基等；优选戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基和3，7-二甲基辛硫基。烷基甲硅烷基可以是任何线性、支链或环状的，并且可以含有一个或多个取代基。碳原子的数量通常为约1至20，其具体实例包括甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基、丙基甲硅烷基、异丙基甲硅烷基、丁基甲硅烷基、异丁基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基、戊基甲硅烷基、己基甲硅烷基、环己基甲硅烷基、庚基甲硅烷基、辛基甲硅烷基、2-乙基己基甲硅烷基、壬基甲硅烷基、癸基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基甲硅烷基、十二烷基甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、异丙基二甲基甲硅烷基、丁基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基等；优选戊基甲硅烷基、己基甲硅烷基、辛基甲硅烷基、2-乙基己基甲硅烷基、癸基甲硅烷基、3，7-二甲本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种包含含由下式（１）表示的重复单元的高分子化合物和显示从三重态受激态发光的金属配合物的配位组合物： ＊＊＊ （１） （其中，Ａｒ↓［１］和Ａｒ↓［２］各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基；Ａｒ↓［３］表示芳族烃基或杂环基，所述的Ａｒ↓［３］在环上具有选自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、单价杂环基和氰基中的基团；Ｘ表示单键或连接基团）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：三上智司，横山正明，河村祐一郎，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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