一种电源变换器芯片限流校准方法及电路技术

本发明专利技术公开一种电源变换器芯片限流校准方法及电路，涉及电源领域，包括根据电源变换器芯片输出电压调整外灌电源输出电压；设置电源变换器芯片限流值为第一电源变换器芯片限流值；获取第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值；设置电源变换器芯片限流值为第二电源变换器芯片限流值；获取第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值；根据第一电源变换器芯片限流值、第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值、第二电源变换器芯片限流值和第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值确定限流增益和限流偏置。本发明专利技术在芯片测试阶段，在芯片处于极小电流工作状态，对限流值进行准确的校准，从而满足快充协议等各种应用对电源限流精度的要求。度的要求。度的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种电源变换器芯片限流校准方法及电路


[0001]本专利技术涉及电源领域，特别是涉及一种电源变换器芯片限流校准方法及电路。

技术介绍

[0002]电源变换器，如降压变换器、升压变换器及升降压变换器，一般都要有限流功能，当负载超过设置的最大电流时，限制输出的最大电流，用于对后级供电设备或自身的保护。随着各种快速充电协议的兴起，尤其是步进调压协议在手机等消费类电子设备的广泛应用，对电源变换器的限流精度提出了越来越高的要求，如PD协议，要求限流精度在正负3%以内。
[0003]电源变换器的限流做法，一般采用外部限流电阻，采集限流电阻两端压差，经过放大后与设计基准值比较，通过运放控制，控制输出电压，达到限流的目的。在整个限流控制环路中，外部限流电阻精度、采集限流电阻压差及放大器、运放等，都会引入误差。尤其是随着输出功率的不断增大，限流电阻越来越小，采集的限流电阻压差信号幅度也越小，更需要进行精确控制。
[0004]一般来说，为了实现精确限流，需要对每颗电源变换器芯片在芯片测试阶段引入限流的校准环节。由于限流功能一般在电源变换器工作并输出负载达到限流值时才起作用，输出电流会很大。然而在芯片测试阶段，芯片是放置在测试座上，通过测试座的插针将芯片引脚引到外部器件如功率管、电感及电容器件，形成可工作的电路。在此种连接状态下，芯片处于大电流的开关及输出状态，芯片引脚将引入寄生电感及电阻，不仅引入很大的开关噪声，甚至导致芯片工作异常或芯片损坏现象。所以在芯片测试阶段，不适合大电流工作，一般工作在很小电流如空载状态。所以在芯片测试系统中无法让芯片工作在正常的限流状态对限流值进行校准，只能工作在小电流工作状态，通过特殊的测试模式将影响限流的限流环路设计参数放置出来，进行间接的校准。由于不是直接对限流值进行校准，所以校准出来的限流值相对实际值还是有较大偏差，可能不能满足应用的要求。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种电源变换器芯片限流校准方法及电路，可在芯片测试阶段，在芯片处于极小电流工作状态，对限流值进行准确的校准，从而满足快充协议等各种应用对电源限流精度的要求。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0007]一种电源变换器芯片限流校准方法，包括：
[0008]获取电源变换器芯片输出电压；
[0009]根据所述电源变换器芯片输出电压调整外灌电源输出电压；
[0010]设置电源变换器芯片限流值为第一电源变换器芯片限流值；
[0011]获取所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值；
[0012]设置所述电源变换器芯片限流值为第二电源变换器芯片限流值；
[0013]获取所述第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值；
[0014]根据所述第一电源变换器芯片限流值、所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值、所述第二电源变换器芯片限流值和所述第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值确定限流增益和限流偏置。
[0015]可选地，获取所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值，具体包括：
[0016]打开输出负载；
[0017]获取电源变换器芯片的限流状态信号并抽取所述输出负载的电流值；
[0018]判断所述限流状态信号是否处于限流状态，得到第一判断结果；
[0019]若所述第一判断结果为是，则调低抽取所述输出负载的电流值并根据所述输出负载的电流值和所述限流状态信号确定第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值；
[0020]若所述第一判断结果为否，则调高抽取所述输出负载的电流值并根据所述输出负载的电流值和所述限流状态信号确定第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值。
[0021]可选地，调低抽取所述输出负载的电流值并根据所述输出负载的电流值和所述限流状态信号确定第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值，具体包括：
[0022]调低抽取所述输出负载的电流值并获取所述限流状态信号；
[0023]判断所述限流状态信号是否处于限流状态，得到第二判断结果；
[0024]若所述第二判断结果为是，则返回步骤“调低抽取所述输出负载的电流值并获取所述限流状态信号”；
[0025]若所述第二判断结果为否，则确定抽取的所述输出负载的电流值为第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值。
[0026]可选地，调高抽取所述输出负载的电流值并根据所述输出负载的电流值和所述限流状态信号确定第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值，具体包括：
[0027]调高抽取所述输出负载的电流值并获取所述限流状态信号；
[0028]判断所述限流状态信号是否处于限流状态，得到第三判断结果；
[0029]若所述第三判断结果为否，则返回步骤“调高抽取所述输出负载的电流值并获取所述限流状态信号”；
[0030]若所述第三判断结果为是，则确定抽取的所述输出负载的电流值为第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值。
[0031]可选地，根据所述第一电源变换器芯片限流值、所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值、所述第二电源变换器芯片限流值和所述第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值确定限流增益和限流偏置，具体包括：
[0032]根据所述第一电源变换器芯片限流值、所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值、所述第二电源变换器芯片限流值和所述第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值确定当前增益误差；
[0033]根据所述当前增益误差确定限流增益；
[0034]根据所述当前增益误差、所述第一电源变换器芯片限流值和所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值确定当前偏置误差；
[0035]根据所述当前偏置误差确定限流偏置。
[0036]本专利技术提供一种电源变换器芯片限流校准电路，所述电源变换器芯片限流校准电
路应用上述所述的电源变换器芯片限流校准方法，所述电源变换器芯片限流校准电路包括：输入电源、外灌电源、输出负载、控制模块、电源变换器芯片和测试系统；
[0037]所述输入电源与所述电源变换器芯片连接；所述外灌电源、所述输出负载、所述控制模块均与所述测试系统连接；所述外灌电源和所述输出负载还均与所述控制模块连接；所述外灌电源与所述输出负载连接。
[0038]可选地，所述电源变换器芯片为降压变换器芯片。
[0039]可选地，所述电源变换器芯片为升压变换器芯片。
[0040]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0041]根据所述电源变换器芯片输出电压调整外灌电源输出电压；设置电源变换器芯片限流值为第一电源变换器芯片限流值；获取所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值；设置所述电源变换器芯片限流值为第二电源变换器芯片限流值；获取所述第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值；根据所述第一电源变换器芯片限流值、所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值、所述第二电源变换器芯片限流值和所述第二电源变换器芯片限流值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源变换器芯片限流校准方法，其特征在于，包括：获取电源变换器芯片输出电压；根据所述电源变换器芯片输出电压调整外灌电源输出电压；设置电源变换器芯片限流值为第一电源变换器芯片限流值；获取所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值；设置所述电源变换器芯片限流值为第二电源变换器芯片限流值；获取所述第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值；根据所述第一电源变换器芯片限流值、所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值、所述第二电源变换器芯片限流值和所述第二电源变换器芯片限流值下的限流实际值确定限流增益和限流偏置。2.根据权利要求1所述的电源变换器芯片限流校准方法，其特征在于，获取所述第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值，具体包括：打开输出负载；获取电源变换器芯片的限流状态信号并抽取所述输出负载的电流值；判断所述限流状态信号是否处于限流状态，得到第一判断结果；若所述第一判断结果为是，则调低抽取所述输出负载的电流值并根据所述输出负载的电流值和所述限流状态信号确定第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值；若所述第一判断结果为否，则调高抽取所述输出负载的电流值并根据所述输出负载的电流值和所述限流状态信号确定第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值。3.根据权利要求2所述的电源变换器芯片限流校准方法，其特征在于，调低抽取所述输出负载的电流值并根据所述输出负载的电流值和所述限流状态信号确定第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值，具体包括：调低抽取所述输出负载的电流值并获取所述限流状态信号；判断所述限流状态信号是否处于限流状态，得到第二判断结果；若所述第二判断结果为是，则返回步骤“调低抽取所述输出负载的电流值并获取所述限流状态信号”；若所述第二判断结果为否，则确定抽取的所述输出负载的电流值为第一电源变换器芯片限流值下的限流实际值。4.根据权利要求2所述的电源变换器芯片限流校准方法，其特征在于，调高抽取所述输出负载的电流值并根据所述输出负载的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘晓明，招子键，
申请(专利权)人：珠海智融科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：