【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管集成电路装置，另外涉及使用薄膜晶体管(FET)的有源矩阵液晶显示装置及它们的制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管集成电路装置是在玻璃等的绝缘体基板或至少表面为绝缘体的基板之上，将相互连接多个薄膜晶体管及这些晶体管，或向电源及输入输出端子连接的配线层配置为单层或多层，构成微处理器及系统LSI(Large scale integration)电路等的结构。其实施例的一个中具有有源矩阵液晶显示装置及有机电致发光元件(electroluminescence)显示装置等的有源矩阵显示装置。有源矩阵显示装置基本上具有配置成矩阵状的像素，与各像素对应而配置成矩阵状的作为与开关元件而使用的薄膜晶体管(以下，简称为TFT)，构成行列的矩阵的行方向的线及列方向的线。行方向的线作为将传送写入信号的时间的扫描信号向各TFT的栅电极施加的扫描线而使用，列方向的线作为将与显示图像相应的信号经由TFT开关提供各像素的信号线而使用。因此，信号线与TFT的源电极或漏电极中的一个连接，TFT的源电极或漏电极的另一个与像素电极连接。通过从扫描线向栅电极施加的时间信号TFT开...
【技术保护点】
一种有源矩阵显示装置，其具有以矩阵状配置在绝缘性基板之上的多个薄膜晶体管和连接这些薄膜晶体管的配线，其特征在于，具有包围上述配线的平坦化层，上述配线的表面与上述平坦化层的表面实质上形成同一平面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，森本明大，铃木辉彦，加藤丈佳，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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