主动屏蔽件结构制造技术

本文所述的各种具体实施涉及一种设备，该设备具有用于主动屏蔽件的第一线圈形状螺旋结构和缠绕在该第一线圈形状螺旋结构的绕组之间的第二线圈形状螺旋结构。该第一线圈形状螺旋结构可以提供基于线圈的电磁(EM)屏蔽件作为用于保护底层电路的对抗措施电路。作为用于保护底层电路的对抗措施电路。作为用于保护底层电路的对抗措施电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】主动屏蔽件结构

技术介绍

[0001]本节旨在提供与理解本文所述的各种技术相关的信息。如本节的标题所暗示的，这是对相关技术的讨论，绝不应当暗示其是现有技术。一般来讲，相关技术可被认为是或可不被认为是现有技术。因此，应当理解，本节中的任何陈述均应按此意义来理解，并且不作为对现有技术的任何认可。
[0002]有时，集成电子电路可能需要篡改保护，这通常涉及检测金属互连件中的切口并且基于行进穿过所绘制的金属屏蔽件的活动信号来报告警报。这种检测技术通常可涉及形成有紧密节距的金属线，该紧密节距防止在不中断信号传输的情况下切割开口。此外，在一些情况下，电磁侧信道分析可涉及使用在集成电路的前表面或后表面上扫描的微观线材，以便从内部电路操作拾取电磁能量，该电磁能量通常用于在密码操作中发现秘密密钥。遗憾的是，单独的标准主动屏蔽件可能无法防止来自电磁侧信道分析的侧信道攻击。因此，需要改进常规的主动屏蔽件以便保护敏感电路免受电磁侧信道分析和/或各种类似类型的侧信道攻击。
附图说明
[0003]本文参考附图描述了各种技术的具体实施。然而，应当理解，附图仅示出了本文所述的各种具体实施，并且不旨在限制本文所述的各种技术的实施方案。
[0004]图1A至图1C示出了根据本文所述的各种具体实施的主动屏蔽件线圈结构的图。
[0005]图2A至图2C示出了根据本文所述的各种具体实施的组合的主动屏蔽件结构的各种图。
[0006]图3示出了根据本文所述的各种具体实施的控制逻辑电路的图。
[0007]图4示出了根据本文所述的各种具体实施的用于向受保护电路馈送电力的不同方案。
[0008]图5示出了根据本文所述的具体实施的用于提供主动屏蔽件结构的方法的流程图。
[0009]图6示出了根据本文所述的具体实施的用于提供主动屏蔽件结构的方法的另一流程图。
具体实施方式
[0010]本文所述的各种具体实施涉及用于各种篡改保护应用的主动屏蔽件(ASH)方案和技术。例如，本文所述的各种方案和技术提供统一的基于线圈的主动篡改保护屏蔽件和电磁(EM)分析对抗措施电路。本文所述的各种方案和技术将针对电路的物理修改和探测的保护对策与针对电磁(EM)侧信道分析和/或各种其他类型的类似攻击的对策相结合。
[0011]本文所述的各种方案和技术可用于以将生成强电磁(EM)特征的方式来修改主动屏蔽件(ASH)的物理布局设计，以便掩蔽来自内部逻辑操作的辐射，而不消耗集成电路(IC)上的任何附加的电路面积。为了实现这一点，本文所述的各种方案和技术可以通过以电感
器的形状因数(例如，线圈或环路结构)形成线圈形状主动篡改保护屏蔽件来布置金属线。因此，可以感应这些盘绕的金属线以发出强磁场，该强磁场用于掩蔽设置在下方的敏感电路(或密码安全引擎)的电磁泄漏。
[0012]本文所述的各种主动屏蔽件(ASH)方案和技术可以用于组合的主动屏蔽件篡改保护和电磁侧信道减轻。例如，为了保护敏感信息不受探测由内部操作生成的电磁(EM)场的影响，本文所述的各种方案和技术提供了对形成为覆盖敏感电路的线圈形状单元的主动屏蔽件。此外，主动线圈形状屏蔽件具有互连线，这些互连线承载在安全电路内生成的信号，并且被布置成如果盘绕的线在篡改尝试中被中断或短路则生成警报信号。主动线圈形状屏蔽件可以将主动屏蔽件的保护功能与针对EM侧信道分析的对策相结合。主动线圈形状屏蔽件还涉及对主动屏蔽件(ASH)设计的修改，其方式是寻求最大化从主动屏蔽件(ASH)的操作中获得的EM特征，从而掩蔽来自内部逻辑操作的辐射，而不消耗集成电路(IC)上的附加的功率或电路面积。
[0013]本文所述的各种方案和技术通过将主动屏蔽件(ASH)成形为线圈(或环路)而不是常规的网格布置(包括标准的向外和向后布局)来提供EM噪声主动屏蔽件(ASH)。EM噪声主动屏蔽件(ASH)在由相邻线材区段生成的EM场之间生成相长干涉，以便增强相对于用于驱动主动屏蔽件(ASH)的电力生成的EM噪声。线圈之间的空间可以通过标准或规则的网状布局进行篡改保护。VDD和VSS用于将电力传送到ASH下方的电路，以及防止作为相同环路的一部分的相邻ASH区段短路。在一些情况下，Vss或Vdd线的使用可称为跳闸线。跳闸线的目的是在篡改攻击涉及使相邻ASH线短路以停用短路之外的环路的情况下防止信号传播。将线圈的ASH线加宽并且使跳闸线变窄可用于减少每单位长度的RC线负载，以允许用相同的ASH传输(Tx)驱动器驱动较长的线。此外，在不需要传输电力的情况下，Vss线(或Vdd线)可以单独用作跳闸线并且保持在窄的宽度以便保持篡改保护，同时最大化线圈线匝的可用面积。此外，主动屏蔽件(ASH)的信令和/或延迟可以与底层密码电路的活动配准，并且时钟频率和/或相位可以配准，使得主动屏蔽件线圈的信号延迟可以配准以覆盖密码电路内的各种数据路径延迟，这可以确保主动屏蔽件(ASH)在正确的时间生成EM噪声。
[0014]本文将参考图1A至图5详细描述主动屏蔽件保护方案和技术的各种具体实施。
[0015]图1A至图1C示出了根据本文所述的各种具体实施的主动屏蔽件线圈结构102的各种图。具体地，图1A示出了主动屏蔽件线圈结构102的顶视图100A，图1B示出了主动屏蔽件线圈结构102的另一顶视图100B，并且图1C还示出了主动屏蔽件线圈结构102的顶视图100C。
[0016]在各种具体实施中，主动屏蔽件结构102可被实施为具有各种部件的设备或电路，这些部件被布置和耦合在一起作为提供物理电路布局设计和相关结构的部分的组装或组合。在一些情况下，将主动屏蔽件线圈结构102设计、提供和构建为集成设备或电路的方法可涉及使用本文所述的各种部件，以便由此实施与其相关联的各种主动屏蔽件技术。主动屏蔽件线圈结构102可以与各种控制电路和相关部件集成在单个芯片上，并且主动屏蔽件线圈结构102可以在用于汽车、电子、移动、计算和物联网(IoT)应用的各种嵌入式系统中实施。
[0017]如图1A所示，主动屏蔽件线圈结构102可包括承载屏蔽件的信号的第一线圈形状螺旋结构104。在一些情况下，主动屏蔽件可以指用于在发射节点(Tx)和接收节点(Rx)之间
收发特征模拟信号或数字代码的导电互连线。此外，主动屏蔽件可被设置成使得多个导电互连线覆盖(或叠加于)设置在主动屏蔽件下方的路由层级和设备层级处的敏感电路(例如，密码电路)的区域。第一线圈形状螺旋结构104可以由第一导线形成，并且第一线圈形状螺旋结构104可以形成在导电层诸如金属层中。此外，第一线圈形状螺旋结构104可以形成为第一连续线圈形状螺旋结构。
[0018]主动屏蔽件线圈结构102可包括缠绕在第一线圈形状螺旋结构104的绕组之间的第二线圈形状螺旋结构108。第二线圈形状螺旋结构108可以由类似于第一导线的第二导线形成，并且第二线圈形状螺旋结构108可以形成在与第一导线相同的层中。此外，在一些情况下，第一导线的宽度可以大于第二导线的宽度。此外，第二线圈形状螺旋结构108可以形成为第二连续线圈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，包括：第一线圈形状螺旋结构，所述第一线圈形状螺旋结构用于主动屏蔽件；和第二线圈形状螺旋结构，所述第二线圈形状螺旋结构被缠绕在所述第一线圈形状螺旋结构的绕组之间，其中所述第一线圈形状螺旋结构提供基于线圈的电磁(EM)屏蔽件作为用于保护底层电路的对抗措施电路。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述主动屏蔽件涉及用于在发射节点和接收节点之间收发特征码的导电互连线，其中所述主动屏蔽件被设置成使得多个所述导电互连线覆盖设置在所述主动屏蔽件下方的路由层级和设备层级处的敏感电路的区域。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一线圈形状螺旋结构由第一导线形成，并且其中所述第二线圈形状螺旋结构由类似于所述第一导线的第二导线形成，并且其中所述第一线圈形状螺旋结构和所述第二线圈形状螺旋结构形成在相同的层中。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一线圈形状螺旋结构包括第一连续线圈形状螺旋结构。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一线圈形状螺旋结构耦合到信号发生器，所述信号发生器提供用于跨所述主动屏蔽件生成电磁(EM)场的信号，并且其中所述第二线圈形状螺旋结构耦合到接地电源。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一线圈形状螺旋结构和所述第二线圈形状螺旋结构被设置在叠加于密码电路上的相同层中，并且其中所述信号的频率与所述密码电路的操作频率配准或成谐波。8.根据权利要求7所述的设备，其中传输到所述螺旋结构中的所述信号具有与驱动所述底层电路的数字时钟相同的频率和相位。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一线圈形状螺旋结构和所述第二线圈形状螺旋结构提供组合的基于线圈的主动篡改保护屏蔽件作为用于保护底层电路免受访问信号或物理地修改底层电路的未经授权的尝试的对抗措施电路。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一线圈形状螺旋结构提供用于保护所述底层电路免受经由EM侧信道攻击的未经授权的访问的对抗措施电路。11.一种设备，包括：第一类型的主动屏蔽件，所述第一类型的主动屏蔽件具有线圈形状结构；和第二类型的主动屏蔽件，所述第二类型的主动屏蔽件具有与所述第一类型的主动屏蔽件相邻地设置的线形结构，其中所述第一类型的主动屏蔽件和所述第二类型的主动屏蔽件提供主动篡改保护屏蔽件和电磁(EM)屏蔽件作为用于保护底层密码电路的对抗措施电...

【专利技术属性】
技术研发人员：N，
申请(专利权)人：Arm有限公司，
类型：发明
国别省市：