一种半导体器件及其制造方法技术

本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底、栅极、第二介质层、场板，其中衬底上具有第一介质层，第一介质层在第一区域的厚度大于在第一区域之外的第二区域的厚度，栅极位于衬底上且位于第一区域，栅极包括垂直衬底表面的方向上连接的第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构垂直衬底表面的方向上贯穿第一介质层，第二栅极结构形成于第一介质层远离所述衬底的一侧且覆盖部分第一介质层，第二介质层覆盖栅极和第一介质层，场板位于第二介质层上，且同时存在于第一区域和第二区域，这样，第二栅极结构和漏极之间的电容降低，而场板与沟道之间的电容增加，使器件的寄生电容减小，提高器件在高频下的增益特性。的增益特性。的增益特性。的增益特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：汤岑，饶进，刘涛，李海军，鲁微，乐伶聪，马俊彩，张志利，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：