用于气体放电灯镇流器的抗辉纹电路制造技术

一种抗辉纹电路采用反相器拓扑结构，其包括一对电子开关（Ｑ，Ｍ），按照交替方式使该对电子开关在导通状态与非导通状态之间切换，以在一个或多个灯（ＬＰ）上施加非对称电压波形，从而控制非对称电流波形（ｉ↓［ａａｃ］）流过灯（ＬＰ）。为了在没有消除灯（ＬＰ）中的可见辉纹的情况下使其最小化，与电子开关（Ｑ，Ｍ）的控制输入端（Ｂ，Ｇ）相连的非对称驱动器的阻抗可以是不相等的，和／或与电子开关（Ｑ，Ｍ）的电流路径（Ｃ－Ｅ，Ｄ－Ｓ）相连的非对称驱动器的阻抗可以是不相等的。此外，电子开关（Ｑ，Ｍ）的电流增益可以是不相等的，并且ＤＣ电流可以流过灯（ＬＰ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及用于驱动气体放电灯(例如各种荧光灯)的电子镇流器。本专利技术特别涉及一种对非对称电流波形流过荧光灯的镇流控制。
技术介绍
如本领域公知的，气体放电灯将电能转变为可见能，并且利用电子镇流器提供流过气体放电灯的电流波形形式的电能。尽管气体放电灯的设计经过多年的发展变得更加高效，但是沿着气体放电灯管的轴形成亮和暗区域的交替带阻止了该气体放电灯的高效工作。本领域中称作辉纹(striation)的这种现象特别对于荧光灯而言是一种不利的问题。形成辉纹的基础是对称电流波形(例如如图1所示的在正峰值周期TP1中具有正峰值振幅P1并且在负峰值周期TN1中具有负峰值振幅-P1的对称电流波形isac)流过气体放电灯。一种已知的解决方案是控制非对称电流波形(例如图1所示的在正峰值周期TP2中具有正峰值振幅P2并且在负峰值周期TN2中具有负峰值振幅-P3的非对称电流波形iaac)流过该气体放电灯。可选或同时能够将DC电流(未示出)添加到非对称电流波形iaac。
技术实现思路
尽管照明工业已经提供了大量的抗辉纹电流的结构配置，以在没有消除气体放电灯中的可见辉纹的情况下，使其最小化(例如美国专利No.4682082和5369339)，但是照明工业仍然努力改进这种电路。为此，本专利技术提供了新的且独特的抗辉纹电路结构配置，以在没有消除气体放电灯的辉纹的情况下使其最小化。具体而言，本专利技术是一种采用包括一对电子开关的反相器拓扑结构(例如推拉反相器或者半桥反相器)的抗辉纹电路。本专利技术的抗辉纹电路还采用了非对称驱动器，以用于按照交替的方式在导通状态与非导通状态之间非对称地切换该电子开关。本专利技术提供了各种结构形式的非对称驱动器，以用于将非对称电压波形施加在气体放电灯上，由此控制非对称电流波形流过该气体放电灯。在非对称电流波形中，正半周期和负半周期的持续时间和/或峰值振幅是不相等的。其结果是如果未消除气体放电灯中的可见辉纹，则使其最小化。附图说明通过结合相应附图详细描述目前的优选实施例，将进一步理解本专利技术中前述的形式以及其他形式、特征和优点。详细的说明和附图仅仅是为了说明本专利技术而非限制，本专利技术的范围是由权利要求及其等价物限定的。图1图示了本领域公知的用于驱动气体放电灯的示例性对称电流波形和示例性非对称电流波形；图2图示了根据本专利技术的用于电子镇流器的抗辉纹电路的第一实施例；图3图示了根据本专利技术的用于电子镇流器的抗辉纹电路的第二实施例；图4图示了根据本专利技术的用于电子镇流器的抗辉纹电路的第三实施例；图5图示了根据本专利技术的电子镇流器的一个实施例；图6图示了根据本专利技术的用于图5所示的电子镇流器的抗辉纹电路的第一实施例；图7图示了图6所示的抗辉纹电流的示例性操作；图8图示了根据本专利技术的用于图5所示的电子镇流器的抗辉纹电路的第二实施例；图9图示了图8所示的抗辉纹电流的示例性操作。具体实施例方式图1所示的抗辉纹电路20在没有消除灯LP1中的辉纹的情况下使其最小化。一般而言，电路20采用了变压器以及一对电子开关，该一对电子开关采用以推拉反相器拓扑结构安排的晶体管Q1和Q2的形式，并且非对称驱动器21将该变压器连接到晶体管Q1和Q2。晶体管Q1和Q2具有由其集电极端C和发射极端E限定的电流路径以及由其基极端B限定的用于控制该电流路径的断开/闭合状态的控制输入端。具体而言，电压源VDC1与节点N1和共用基准CREF1相连。电感L1与节点N1和晶体管Q1的集电极端C相连。电容C1与节点N1和节点N2相连。电容C2与节点N2和共用基准CREF1相连。电容C3与节点N2和节点N3相连。电感L2与节点N8和共用基准CREF1相连。驱动器21的电阻R1和二极管D1并联连接到节点N4和节点N5。晶体管Q1的基极端B与节点N5相连。晶体管Q1的发射极端E和晶体管Q2的集电极端C与节点N3相连。驱动器21的电阻R2与节点N6和节点N7相连。二极管D2和电阻R3串联连接到节点N6和N7。晶体管Q2的基极端B与节点N7相连。电阻R4与晶体管的发射极端E和节点N8相连。变压器包括4个绕组W1-W4。绕组W1与灯LP1相连。绕组W2与节点N2和N3相连。绕组W3与节点N3和N4相连。绕组W4与节点N6和N8相连。电路20能够包括本领域普通技术人员可以理解的附加电路(未示出)。如图所示的驱动器21的基本配置能够具体化为有助于按照交替方式使晶体管Q1和Q2在导通状态与非导通状态之间非对称地切换的许多形式。对于每个实施例而言，或者(1)电阻R1和R2的电阻级别相等或不等，或者(2)二极管D1和D2的拐点电压相等或不等，或者(3)包含或省略电阻R3，或者(4)包含或省略电阻R4。而且，晶体管Q1和Q2的电流增益β可以相等或不等(例如12.5的产品扩展)。图3所示的抗辉纹电路22在没有消除灯LP2的辉纹的情况下使其最小化。一般而言，电路22采用包括绕组W5和绕组W6的变压器以及一对电子开关，该一对电子开关采用以推拉反相器拓扑结构安排的晶体管Q3和Q4的形式，并且非对称驱动器23将该变压器连接到晶体管Q3和Q4。晶体管Q3和Q4具有由其集电极端C和发射极端E限定的电流路径以及由其基极端B限定的用于控制该电流路径的断开/闭合状态的控制输入端。具体而言，电压源VDC2与电感L3和共用基准CREF2相连。电感L3与绕组W6相连。绕组W5与灯LP2相连。电容C4与节点N9和节点N10相连。晶体管Q3的集电极端C与节点N9相连，并且晶体管Q4的集电极端C与节点N10相连。晶体管Q3的基极端B与节点N11相连，晶体管Q4的基极端B与节点N12相连。驱动器23的电感L4与节点N11和N12相连。驱动器23的电阻R5与节点N11和节点N13相连。驱动器23的电阻R6与节点N12和N13相连。电压源VDC3与节点N13和共用基准CREF2相连。晶体管Q3的发射极端E与共用基准CREF2相连。驱动器23的电阻R7与晶体管Q4的发射极端E和共用基准CREF2相连。电路22能够包括本领域普通技术人员可以理解的附加电路(未示出)。如图所示的驱动器23的基本配置能够具体化为有助于按照交替方式使晶体管Q3和Q4在导通状态与非导通状态之间非对称切换的许多形式。对于每个实施例而言，或者(1)电阻R5和R6的电阻级别相等或不等，或者(2)包含或省略电阻R7。而且，晶体管Q3和Q4的电流增益β可以相等或不等(例如12.5的产品扩展)。图4所示的抗辉纹电路24在没有消除灯LP3的辉纹的情况下使其最小化。一般而言，电路24采用半桥驱动器HBD以及一对电子开关，该一对电子开关采用以半桥拓扑结构所安排的MOSFETS M1和M2的形式，并且非对称驱动器25将该半桥驱动器HBD连接到MOSFETSM1和M2。MOSFETS M1和M2具有由其漏极端D和源极端S限定的电流路径以及由其栅极端G限定的用于控制该电流路径的断开/闭合状态的控制输入端。具体而言，电压源VDC4与MOSFET M1的漏极端D和共用基准CREF3相连。半桥驱动器HBD与节点N14和节点N16相连。驱动器25的二极管D3和电阻R8串联连接到节点N14和节点N15。驱动器25的电阻R9与节点N14和N15相连。MOSFET M1的栅极端G与节点N15相连。驱动器2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗辉纹电路（２０），包括：推拉反相器拓扑结构，包括第一电子开关（Ｑ１）、第二电子开关（Ｑ２）和变压器；非对称驱动器（２１），用于使第一电子开关（Ｑ１）和第二电子开关（Ｑ２）按照交替方式在导通状态与非导通状态之间非对称地切换，其中该非对称驱动器（２１）包括第一电阻（Ｒ１）与第一二极管（Ｄ１）的并联连接，其将第一电子开关（Ｑ１）的第一控制输入端（Ｂ）与变压器相连，以及其中该非对称驱动器（２１）包括第二电阻（Ｒ２）与第二二极管（Ｄ２）的并联连接，其将第二电子开关（Ｑ２）的第二控制输入端（Ｂ）与变压器相连。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y房，MY张，R文卡特拉曼，R潘利利奥，G阿伦，R赫塔帕尔，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]