枢轨静态接触电阻测试装置及应用制造方法及图纸

本发明专利技术涉及枢轨静态接触电阻测试装置及应用，属于电磁轨道发射技术领域。本发明专利技术首次提出在枢轨间有压力条件下利用直流低电阻仪，通过高电流位、高电压位、低电流位、低电压位的配合来直接测出枢轨间静态接触电阻。本发明专利技术利用四柱平压机给枢轨间提供预紧力以及改变枢轨间的静态接触压力，利用四线法原理测试枢轨间的静态接触电阻，并且用直流低电阻仪读取接触电阻数值，从而得到不同接触压力下的枢轨间静态接触电阻数值，有效的模拟了枢轨实际服役工况，具有操作简单、数据读取方便等特点。本发明专利技术装置设计合理，应用工艺简单可控，所得数据可信度高，便于大规模应用。便于大规模应用。便于大规模应用。

【技术实现步骤摘要】
枢轨静态接触电阻测试装置及应用


[0001]本专利技术涉及枢轨静态接触电阻测试装置及应用，属于电磁轨道发射


技术介绍

[0002]电磁轨道发射技术是一项利用电磁能驱动电枢滑动至超高速发射的技术，具有初速大，隐蔽性好，作战效能高等特点。在电磁轨道发射过程中，作为工作部件的电枢与轨道(简称枢轨)间存在滑动电接触，其接触特性始终影响着电磁轨道发射行为以及轨道寿命。其中，接触电阻作为定量化表征枢轨接触状态的参数之一受到广泛研究。目前，枢轨间接触电阻数值的获取多采用数值模拟、公式计算等方式，存在与实际工况不符、计算结果为近似值等问题，且基于发射后的枢轨静态接触电阻测量研究较少，未能测量枢轨在一定接触压力的静态接触电阻。本申请的目的在于，针对电磁轨道发射后枢轨间静态接触电阻测试技术的不足，提供一种异型件间接触电阻测量装置及技术，使用该接触电阻测量装置及技术，能够给枢轨提供预紧力且直接测量不同接触压力下的枢轨间静态接触电阻。
[0003]电磁发射技术是一项通过电磁力推进物体实现超高速精准连续发射的先进发射技术，其工作部件由两根平行的轨道及携本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.枢轨静态接触电阻测试装置，其特征在于：所述枢轨包括上轨、下轨、电枢，定义加压状态下，上轨与电枢接触的一面为上轨工作面，所述上轨工作面有上轨凸起部分A和平行于上轨预留面B的上轨边沿C，所述上轨预留面B与上轨工作面相对；加压状态下，下轨与电枢接触的一面为下轨工作面；所述下轨工作面有下轨凸起部分D和平行于下轨预留面E的下轨边沿F，所述下轨预留面E与下轨工作面相对；所述枢轨静态接触电阻测试装置包括直流低电阻测试仪、四根连接线、压力供给装置、4根铜导线、绝缘胶布、导电胶构成的4根胶柱；所述4根铜导线中2根通过导电胶粘结到上轨的上轨边沿C上，构成第一胶柱、第二胶柱；且这2根铜导线与上轨边沿C存在接触，所述2根铜导线的间距大于等于2cm，且第一胶柱、第二胶柱的间距大于等于2cm；所述4根铜导线中另外2根铜导线通过导电胶粘结到下轨的下轨边沿F上，且这2根铜导线与上轨边沿F存在接触，构成第三胶柱、第四胶柱；所述2根铜导线的间距大于等于2cm，且第三胶柱、第四胶柱的间距大于等于2cm；所述直流低电阻测试仪与四根连接线的一端相连，四根连接线的另一端分别与第一胶柱、第二胶柱、第三胶柱、第四胶柱中的铜线相连；在上轨预留面B和下轨预留面E上布置有绝缘胶布；布置完绝缘胶布后，再于压力供给装置相连；组装后，电枢位于上轨和下轨之间，加压后电枢和上轨、下轨接触；组装后，第一胶柱、第二胶柱、第三胶柱、第四胶柱位于同一侧；按照电枢发射方向，第一胶柱位于第二胶柱前；第三胶柱位于第四胶柱前；且第一胶柱中的铜线通过连接线与直流低电阻仪中的高电流位相连，第二胶柱中的铜线通过连接线与直流低电阻仪中的高电压位相连；且第三胶柱中的铜线通过连接线与直流低电阻仪中的低电流位相连，第四胶柱中的铜线通过连接线与直流低电阻仪中的低电压位相连；或按照电枢发射方向，第一胶柱位于第二胶柱前；第三胶柱位于第四胶柱前；且第一胶柱中的铜线通过连接线与直流低电阻仪中的低电流位相连，第二胶柱中的铜线通过连接线与直流低电阻仪中的低电压位相连；且第三胶柱中的铜线通过连接线与直流低电阻仪中的高电流位相连，第四胶柱中的铜线通过连接线与直流低电阻仪中的高电压位相连。2.根据权利要求1所述的枢轨静态接触电阻测试装置，其特征在于：所述压力供给装置为四柱平压机。3.根据权利要求1所述的枢轨静态接触电阻测试装置，其特征在于：直流低电阻仪器具有20mΩ～2MΩ的高量程以及0.001mΩ的高分辨率。4.根据权利要求1所述的枢轨静态接触电阻测试装置，其特征在于：四根胶柱的高度一致，其高度为3～5mm。5.根据权利要求1所述的枢轨静态接触电阻测试装置，其特征在于：按照电枢发射方向，电流位必须要在电压位之前，即电枢从轨...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚萍屏，康丽，王兴，徐宇轩，邓敏文，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：