一种近红外发光材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种近红外光LED荧光粉，其化学表示式为：Ba

【技术实现步骤摘要】
一种近红外发光材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于发光材料
，尤其涉及一种近红外发光材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]近年来，植物照明领域受到广泛的关注。在传统的植物照明中，高压钠灯、金属卤化物灯有着能耗大、功率高等缺点。植物补光发光二极管(LED)相比之下有着耗能小、效率高等优势，引起业内极大的兴趣。在植物光合作用过程中，蓝光(400～500nm)、红光(600～690nm)和近红外光(700～750nm)起着调节植物生长、促进植物发育等极为重要的作用。有研究表明，额外的近红外(700～750nm)补光能有效地提高光合作用等过程的效率。
[0003]在植物照明近红外LED市场中，主流的近红外植物补光LED以730nm、740nm发射的近红外半导体芯片为主体，实现的是窄带的发射。相比之下，宽带发射的荧光转换发光二极管(pc
‑
LED)非常匮乏，而近红外LED芯片的照度、发光强度上理论上难以匹及性能优异的pc
‑
LED。同时，相比较于近红外LED芯片，近红外pc
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外发光材料，具有式I通式：Ba
a
M7‑
b
‑
a
(BO3)3(SiO4)X:bMn
4+
式I；式I中，M选自Mg、Ca、Sr中的一种或者几种，X选自卤族元素；0.0001≤b≤0.4，0≤a≤6.9999。2.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，0.01≤a≤3。3.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，0.005≤b≤0.09。4.一种权利要求1所述的近红外发光材料的制备方法，包括：将M源、钡源、硼源、硅源、X源及锰源混合，得到混合物；将所述混合物进行焙烧，得到近红外发光材料；所述M选自Mg、Ca、Sr中的一种或者几种；所述X选自卤族元素。5.根据权利要求4所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜丽宏，王九天，庞然，张粟，李达，李成宇，张洪杰，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：