一种低压熔断器及其制造方法技术

技术编号:36903383 阅读:14 留言:0更新日期:2023-03-18 09:23
本发明专利技术提供了一种低压熔断器及其制造方法,涉及电子器件技术领域,低压熔断器包括壳体、触刀和熔体,所述壳体包括底座和封盖,所述底座与所述封盖形成有容纳空腔,所述容纳腔相对的两端设有固定部,两个所述固定部上设置有触刀,若干片所述熔体设置于所述容纳腔内,且每片所述熔体的两端分别连接两个所述触刀,解决了传统低压熔断器中瓷管内的熔体连接内帽,内帽连接外帽,触刀通过焊接的方式固定在外帽上的结构导致的接触电阻较高,电性能的稳定性和可靠性较差,且制造成本较高的问题,有效减小了接触电阻,提高了熔断器电性能的稳定性和可靠性,且降低了制造成本。且降低了制造成本。且降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种低压熔断器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及电子器件
,尤其涉及一种低压熔断器及其制造方法。

技术介绍

[0002]传统的低压熔断器结构参见图1,低压熔断器中的瓷管是整体结构,瓷管内的熔体连接内帽,内帽连接外帽,触刀通过焊接的方式固定在外帽上,这种结构的低压熔断器接触电阻较高,电性能的稳定性和可靠性较差,且制造成本较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开的一种低压熔断器及其制造方法,解决了传统结构的低压熔断器接触电阻较高,电性能的稳定性和可靠性较差,且制造成本较高的问题,有效减小了接触电阻,提高了熔断器电性能的稳定性和可靠性,且降低了制造成本。
[0004]为达到上述目的,本专利技术的技术方案具体是这样实现的:
[0005]本专利技术一方面公开一种低压熔断器,包括壳体、触刀和熔体,所述壳体包括底座和封盖,所述底座与所述封盖形成有容纳空腔,所述容纳腔相对的两端设有固定部,两个所述固定部上设置有触刀,若干片所述熔体设置于所述容纳腔内,且每片所述熔体的两端分别连接两个所述触刀。
[0006]进一步地,所述触刀上设有安装部,两个所述触刀均通过所述安装部卡扣在所述固定部上。
[0007]进一步地,所述安装部与所述固定部均为凹槽结构。
[0008]进一步地,所述壳体的材质为陶瓷或耐高温塑料或玻璃。
[0009]进一步地,所述熔体的两端通过焊接方式固定连接两个所述触刀。
[0010]进一步地,所述熔体与两个所述触刀为一体成型。
[0011]进一步地,所述容纳腔设有固定部的其中一个侧壁上开设有填充孔。
[0012]进一步地,对所述熔体进行折弯处理。
[0013]本专利技术另一方面公开一种低压熔断器的制造方法,包括以下步骤:
[0014]触刀通过模具冲压成型;
[0015]对触刀进行电镀处理;
[0016]将若干片熔体的两端分别固定连接所述触刀;
[0017]将固定连接有若干片熔体的触刀固定在底座上;
[0018]将底座与封盖连接在一起;
[0019]通过填充孔向容纳腔内填灌灭弧介质;
[0020]利用孔塞将填充孔堵住;
[0021]利用硅胶将所述孔塞填满;
[0022]在壳体上标识低压熔断器。
[0023]进一步地,若干片所述熔体的两端分别通过焊接方式固定连接所述触刀。
[0024]有益技术效果:
[0025]1、本专利技术公开一种低压熔断器,包括壳体、触刀和熔体,所述壳体包括底座和封盖,所述底座与所述封盖形成有容纳空腔,所述容纳腔相对的两端设有固定部,两个所述固定部上设置有触刀,若干片所述熔体设置于所述容纳腔内,且每片所述熔体的两端分别连接两个所述触刀,解决了传统结构的低压熔断器接触电阻较高,电性能的稳定性和可靠性较差,且制造成本较高的问题,有效减小了接触电阻,提高了熔断器电性能的稳定性和可靠性,且降低了制造成本;
[0026]2、本专利技术中,对熔体进行折弯处理,使得熔体之间的间距分布更加均匀;
[0027]3、本专利技术中公开的低压熔断器的制造方法,包括以下步骤:触刀通过模具冲压成型;对触刀进行电镀处理;将若干片熔体的两端分别固定连接所述触刀;将固定连接有若干片熔体的触刀固定在底座上;将底座与封盖连接在一起;通过填充孔向容纳腔内填灌灭弧介质;利用孔塞将填充孔堵住;利用硅胶将所述孔塞填满;在壳体上标识低压熔断器,该制造方法简单,易于实现且制造成本低。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0029]图1为传统低压熔断器的结构示意图;
[0030]图2为专利技术所述的实施例一中的一种低压熔断器的整体结构图;
[0031]图3为专利技术所述的实施例一中的一种低压熔断器中底座的结构示意图;
[0032]图4为专利技术所述的实施例一中的一种低压熔断器中封盖的结构示意图;
[0033]图5为专利技术所述的实施例一中的一种设置一片熔体的低压熔断器的内部结构图;
[0034]图6为专利技术所述的实施例一中的一种设置两片熔体的低压熔断器的内部结构图;
[0035]图7为专利技术所述的实施例二中的一种低压熔断器的整体结构图;
[0036]图8为专利技术所述的实施例二中的一种低压熔断器的剖面图;
[0037]图9为本专利技术所述的一种低压熔断器制造方法的步骤流程图。
[0038]其中,1

壳体,2

触刀,3

熔体,11

底座,12

封盖,13

容纳空腔,131

固定部,21

安装部,132

填充孔,4

内帽,5

外帽。
具体实施方式
[0039]下面详细描述本专利技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。
[0040]下面结合附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。
[0041]除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。同时,应当明白,为了便于描述,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而
不是作为限制。因此,示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0042]在本专利技术的描述中,需要理解的是,方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,在未作相反说明的情况下,这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术保护范围的限制;方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
[0043]为了便于描述,在这里可以使用空间相对术语,如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等,用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是,空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的器件被倒置,则描述为“本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压熔断器,包括壳体(1)、触刀(2)和熔体(3),其特征在于,所述壳体(1)包括底座(11)和封盖(12),所述底座(11)与所述封盖(12)形成有容纳空腔(13),所述容纳腔(13)相对的两端设有固定部(131),两个所述固定部(131)上设置有触刀(2),若干片所述熔体(3)设置于所述容纳腔(13)内,且每片所述熔体(3)的两端分别连接两个所述触刀(2)。2.根据权利要求1所述的一种低压熔断器,其特征在于,所述触刀(2)上设有安装部(21),两个所述触刀(2)均通过所述安装部(21)卡扣在所述固定部(131)上。3.根据权利要求2所述的一种低压熔断器,其特征在于,所述安装部(21)与所述固定部(131)均为凹槽结构。4.根据权利要求1所述的一种低压熔断器,其特征在于,所述壳体(1)的材质为陶瓷或耐高温塑料或玻璃。5.根据权利要求1所述的一种低压熔断器,其特征在于,所述熔体(3)的两端通过焊接方式固定连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐丹杨漫雪
申请(专利权)人:南京萨特科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:

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