【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热处理炉以及包括该热处理炉的立式热处理装置。
技术介绍
在半导体装置的制造中，为了对作为被处理体的半导体晶片实施氧化、扩散、CVD (Chemical Vapor Deposition:化学汽相淀积)等处 理，采用各种热处理装置。 一般的热处理装置包括热处理炉，该热处 理炉主要由用于收容半导体晶片并对其进行热处理处理容器(反应管) 和以覆盖该处理容器的周围的方式设置的对处理容器内的晶片进行加 热的加热器(加热装置)构成。上述加热器主要由圆筒状绝热部件以 及通过支持体设置在该绝热部件的内周的发热电阻体构成。作为上述发热电阻体，例如在可以批量处理的热处理装置的情况 下，采用沿着圆筒状的绝热部件的内壁面配置的螺旋状加热线(发热 电阻线)。这样可以将炉内加热到例如800 1000°C左右的高温。此外， 作为上述绝热部件，例如采用通过将由陶瓷纤维等构成的绝热材料烧 成圆筒状的绝热部件。这样可以减少作为辐射热和传导热损失的热量， 可以促进有效的加热。作为上述支持体，例如采用陶瓷制的支持体。 这样，在可能热膨胀和热收缩的状态下，能够以规定的间隔支持上述 加热线...
【技术保护点】
一种热处理炉，其包括用于收容被处理体并进行热处理的处理容器、和以覆盖该处理容器的周围的方式设置的对所述被处理体进行加热的圆筒状加热器，其特征在于： 所述加热器包括： 圆筒状的绝热部件； 在该绝热部件的内周，在轴方向上形成多层槽状的搁板部；和 沿着各搁板部配置的螺旋图形的发热电阻线， 在所述绝热部件上以适当的间隔配设有销部件，所述销部件以所述发热电阻线在加热器的径方向能够移动并且不从所述搁板部脱落的方式保持所述发热电阻线。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小林诚，市川贵，山贺健一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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