控制芯片以及开关电源制造技术

提供了控制芯片以及开关电源。控制芯片包括高压芯片、低压芯片、母线电压接收引脚、功率开关管漏极引脚、供电引脚、电流检测引脚、以及内部参数设置引脚，其中：高压芯片的第一端子连接到母线电压接收引脚、第二端子连接到功率开关管漏极引脚、第三端子连接到供电引脚，低压芯片的第一端子连接到电流检测引脚、第二端子连接到内部参数设置引脚，高压芯片的第四端子连接到低压芯片的第三端子，用于向低压芯片供电，高压芯片的第五端子至第七端子分别连接到低压芯片的第四端子至第六端子，用于高压芯片与低压芯片之间的信号传输。片与低压芯片之间的信号传输。片与低压芯片之间的信号传输。

【技术实现步骤摘要】
控制芯片以及开关电源


[0001]本技术涉及电路领域，尤其涉及一种控制芯片以及开关电源。

技术介绍

[0002]LED驱动控制芯片需要使用高压器件以连接至系统中的高压节点，用于驱动或对高压信息进行采集。由于高压器件的面积相对于低压器件大很多，所以出于成本和实现方式的考虑，通常电源系统的控制部分使用低压器件进行设计，驱动和供电部分使用高压器件进行设计。传统芯片制造工艺为了满足高压器件的耐压需求，和电源低压控制部分的小尺寸需求，需要集成高压工艺和低压工艺。然而，这样无法在面积成本方面做到最优，并且也缺乏灵活性，因为在具有相同架构和相同控制方式的情况下，通常需要根据不同应用的高压耐压需求来重新设计整个芯片。此外，高压器件在生产测试中相比于低压器件更难进行全面验证，良率更低，在高压器件出现问题时，整个芯片就需要重新设计，使得芯片成本和时间成本会大幅提高。

技术实现思路

[0003]鉴于上述一个或多个问题，本技术提供了一种控制芯片以及开关电源。
[0004]根据本技术实施例的控制芯片，包括高压芯片、低压芯片、母线电压接收引脚、功率开关管漏极引脚、供电引脚、电流检测引脚、以及内部参数设置引脚，其中：所述高压芯片的第一端子连接到所述母线电压接收引脚、第二端子连接到所述功率开关管漏极引脚、第三端子连接到所述供电引脚，所述低压芯片的第一端子连接到所述电流检测引脚、第二端子连接到所述内部参数设置引脚，所述高压芯片的第四端子连接到所述低压芯片的第三端子，用于向所述低压芯片供电，所述高压芯片的第五端子至第七端子分别连接到所述低压芯片的第四端子至第六端子，用于所述高压芯片与所述低压芯片之间的信号传输。
[0005]在一些实施例中，所述控制芯片还包括接地引脚，其中：所述高压芯片的第八端子连接到所述接地引脚，所述低压芯片的第七端子连接到所述接地引脚。
[0006]在一些实施例中，所述高压芯片包括低压差线性稳压器以及驱动单元，其中：所述低压差线性稳压器的第一输入端连接到所述高压芯片的第三端子、第一输出端连接到所述驱动单元的输入端、第二输出端连接到所述高压芯片的第四端子。
[0007]在一些实施例中，所述高压芯片还包括第一功率开关管以及第二功率开关管，其中：所述驱动单元的第一输出端连接到所述第一功率开关管的栅极、第二输出端连接到所述第二功率开关管的栅极，所述第一功率开关管的漏极连接到所述高压芯片的第一端子、源极连接到所述高压芯片的第五端子，所述第二功率开关管的漏极连接到所述高压芯片的第二端子、源极连接到所述高压芯片的第六端子。
[0008]在一些实施例中，所述高压芯片还包括检测单元，其中：所述检测单元的输入端连接到所述高压芯片的第三端子、输出端连接到所述高压芯片的第七端子。
[0009]在一些实施例中，所述低压芯片包括检测控制单元以及驱动单元，其中：所述检测
控制单元的第一输入端连接到所述低压芯片的第三端子、第二输入端连接到所述低压芯片的第六端子、第三输入端连接到所述低压芯片的第一端子、第四输入端连接到所述低压芯片的第二端子、第一输出端连接到所述驱动单元的第一输入端、第二输出端连接到所述低压芯片的第七端子。
[0010]在一些实施例中，所述驱动单元的第二输入端连接到所述低压芯片的第三端子、第三输入端连接到所述低压芯片的第一端子、第一输出端连接到所述低压芯片的第四端子、第二输出端连接到所述低压芯片的第五端子、第三输出端连接到所述低压芯片的第七端子。
[0011]根据本技术实施例的开关电源，包括如上所述的控制芯片。
[0012]在一些实施例中，在如上所述的开关电源中，所述母线电压接收引脚连接到高压母线以及隔离二极管的阳极，所述供电引脚连接到所述隔离二极管的阴极、输出电容的第一端、以及输出负载的第一端，所述功率开关管漏极引脚连接到所述输出电容的第二端、以及所述输出负载的第二端。
[0013]在一些实施例中，所述输出负载包括一个或多个LED。
[0014]根据本技术实施例的控制芯片以及开关电源大幅减少了芯片生产和设计成本，并且提高了应用时的灵活性。
附图说明
[0015]从下面结合附图对本技术的具体实施方式的描述中可以更好地理解本技术，其中：
[0016]图1示出了根据本技术实施例的控制芯片的封装示意图；
[0017]图2示出了根据本技术实施例的图1所示的控制芯片的引脚的示意图；
[0018]图3示出了根据本技术实施例的图1所示的控制芯片中的高压芯片的示意图；
[0019]图4示出了根据本技术实施例的图1所示的控制芯片中的低压芯片的示意图；以及
[0020]图5示出了根据本技术实施例的图1所示的控制芯片的内部结构以及包括图1所示的控制芯片的开关电源的示意图。
具体实施方式
[0021]下面将详细描述本技术的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本技术的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术的更好的理解。本技术决不限于下面所提出的任何具体配置，而是在不脱离本技术的精神的前提下覆盖了元素和部件的任何修改、替换和改进。在附图和下面的描述中，没有示出公知的结构和技术，以便避免对本技术造成不必要的模糊。另外，需要说明的是，这里使用的用语“A与B连接”可以表示“A与B直接连接”也可以表示“A与B经由一个或多个其他元件间接连接”。
[0022]基于现有的LED驱动控制芯片存在的一个或多个问题，提出了一种双芯片封装的
LED驱动控制芯片，其将高压芯片和低压芯片放在一个引线框架内进行封装，在性能与传统的高压芯片完全一致的前提下，大幅减少了芯片生产和设计成本。
[0023]图1示出了根据本技术实施例的控制芯片100的封装示意图。如图1所示，控制芯片100可以包括高压芯片102、低压芯片104、以及八个引脚(图1中示为引脚1至8)。
[0024]在一些实施例中，高压芯片102可以包括高压金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET) (以下简称MOS管)、高压结晶型场效应晶体管(Junction Field
‑
effectTransistor，JFET)等耐高压器件，并且可以包括产生低压芯片104所需要的低压域电源的必要模块，如低压差线性稳压器(Low DropoutRegulator，LDO)等。低压芯片104可以包括系统的主要控制部分，通过高压芯片102提供的电源工作。
[0025]在一些实施例中，如图1所示，高压芯片102的耐高压器件的耐高压节点或端子可以通过引脚3、引脚4以及引脚5连接至系统的高压节点。低压芯片10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制芯片，其特征在于，包括高压芯片、低压芯片、母线电压接收引脚、功率开关管漏极引脚、供电引脚、电流检测引脚、以及内部参数设置引脚，其中：所述高压芯片的第一端子连接到所述母线电压接收引脚、第二端子连接到所述功率开关管漏极引脚、第三端子连接到所述供电引脚，所述低压芯片的第一端子连接到所述电流检测引脚、第二端子连接到所述内部参数设置引脚，所述高压芯片的第四端子连接到所述低压芯片的第三端子，用于向所述低压芯片供电，所述高压芯片的第五端子至第七端子分别连接到所述低压芯片的第四端子至第六端子，用于所述高压芯片与所述低压芯片之间的信号传输。2.根据权利要求1所述的控制芯片，其特征在于，还包括接地引脚，其中：所述高压芯片的第八端子连接到所述接地引脚，所述低压芯片的第七端子连接到所述接地引脚。3.根据权利要求2所述的控制芯片，其特征在于，所述高压芯片包括低压差线性稳压器以及驱动单元，其中：所述低压差线性稳压器的第一输入端连接到所述高压芯片的第三端子、第一输出端连接到所述驱动单元的输入端、第二输出端连接到所述高压芯片的第四端子。4.根据权利要求3所述的控制芯片，其特征在于，所述高压芯片还包括第一功率开关管以及第二功率开关管，其中：所述驱动单元的第一输出端连接到所述第一功率开关管的栅极、第二输出端连接到所述第二功率开关管的栅极，所述第一功率开关管的漏极连接到所述高压芯片的第一端子、源极连接到所述高压芯片的第五端子，所述第二功率开关管的漏极连接到所述高压芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卓研，朱力强，李可，李萌，
申请(专利权)人：昂宝电子上海有限公司，
类型：新型
国别省市：