电容分压绝缘芯体的防干扰结构、高压电器、隔离开关制造技术

技术编号:36879042 阅读:11 留言:0更新日期:2023-03-15 21:00
本发明专利技术创造涉及一种电容分压绝缘芯体的防干扰结构以及采用该绝缘芯体的高压电器、隔离开关,所述电容分压绝缘芯体包括设置在第一绝缘芯体内与绝缘层交替环绕设置的多个均压电容屏,多个均压电容屏构成均压电容,均压电容与分压电容串联构成电容分压器,在至少部分均压电容屏外环绕设有与绝缘层交替设置的多个屏蔽电容屏,多个屏蔽电容屏构成屏蔽防干扰电容,在第一绝缘芯体径向上,位于外侧的屏蔽电容屏与该屏蔽电容屏对应环绕的均压电容屏的距离大于位于内侧的屏蔽电容屏与该屏蔽电容屏对应环绕的均压电容屏的距离,能够减少吸收干扰信号的屏蔽电容屏对均压电容屏的影响,排除外部干扰信号,提高采集的信号的精度。提高采集的信号的精度。提高采集的信号的精度。

【技术实现步骤摘要】
电容分压绝缘芯体的防干扰结构、高压电器、隔离开关


[0001]本专利技术创造涉及高压电器领域,涉及一种电容分压绝缘芯体的防干扰结构、高压电器、隔离开关。

技术介绍

[0002]现有高压电器中包括套管、电缆终端、电压互感器、电流互感器、隔离开关、断路器、避雷器和绝缘子等,通过电容型的绝缘芯体进行绝缘保护,所述绝缘芯体内设有与绝缘层交替环绕设置的多个均压电容屏,多个均压电容屏将高电压逐步分压降为地电位,实现绝缘保护。进一步在绝缘芯体内还绕制有分压电容屏,均压电容屏构成均压电容C1,分压电容屏构成分压电容C2,均压电容C1和分压电容C2串联形成电容分压器,进一步形成电压互感器(这种低功耗的电压互感器也称为VT),此种类型的电压互感器VT功耗低,安全性高。但由于其电容量小容易受到干扰,存在采样精度不够高的问题。为了提高采样精度,现有技术还会在绝缘芯体内绕制屏蔽电容屏,屏蔽电容屏构成屏蔽电容C3,用于屏蔽外部干扰信号,经研究发现屏蔽电容C3的结构布局还需要进一步改进以提高采样精度。

技术实现思路

[0003]本专利技术创造的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种采样精度高的具有电容分压器功能的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,以及采用上述防干扰结构的高压电器。
[0004]为实现上述目的,本专利技术创造采用了如下技术方案:
[0005]一种电容分压绝缘芯体的防干扰结构,包括设置在第一绝缘芯体10内与绝缘层交替环绕设置的多个均压电容屏101,多个均压电容屏101构成均压电容C1,均压电容C1与分压电容C2串联构成电容分压器,在至少部分均压电容屏101外环绕设有与绝缘层交替设置的多个屏蔽电容屏103,多个屏蔽电容屏103构成屏蔽防干扰电容C3,在第一绝缘芯体10径向上,位于外侧的屏蔽电容屏103与该屏蔽电容屏103对应环绕的均压电容屏101的距离大于位于内侧的屏蔽电容屏103与该屏蔽电容屏103对应环绕的均压电容屏101的距离。
[0006]优选的,第一绝缘芯体10径向上,至少部分屏蔽电容屏103从内侧到外侧,沿第一绝缘芯体10轴向从第一绝缘芯体10的一端向第一绝缘芯体10另一端偏移,所述至少部分屏蔽电容屏103所环绕的至少部分均压电容屏101从内侧到外侧,沿第一绝缘芯体10轴向从第一绝缘芯体10的另一端向第一绝缘芯体10的一端偏移,所述至少部分屏蔽电容屏103的偏移方向与其环绕的至少部分均压电容屏101的偏移方向相反,使得所述至少部分屏蔽电容屏103与其环绕的至少部分均压电容屏101呈倒“V”字形或者“V”字形。
[0007]优选的,均压电容C1、分压电容C2和屏蔽防干扰电容C3均设置在第一绝缘芯体10内,分压电容C2由与绝缘层交替绕制的分压电容屏102构成。
[0008]优选的,屏蔽防干扰电容C3嵌设在屏蔽芯体内,屏蔽芯体套设在第一绝缘芯体10外。
[0009]优选的,构成屏蔽防干扰电容C3的多个屏蔽电容屏103包裹在均压电容C1和分压
电容C2外。
[0010]优选的,分压电容屏102构成的分压电容C2位于均压电容C1外侧,分压电容C2外设有接地电容屏,构成屏蔽防干扰电容C3的多个屏蔽电容屏103包裹在均压电容C1和分压电容C2外;最外侧的均压电容屏101为高压电容屏接高电压,最内侧的均压电容屏101接分压电容C2,多个屏蔽电容屏103中最内侧的屏蔽电容屏103接高电压,最外侧的屏蔽电容屏103接地电位,或者最内侧的均压电容屏101接高电压,最外侧的均压电容屏101接分压电容C2,多个屏蔽电容屏103中最外侧的屏蔽电容屏103接高电压,最内侧的屏蔽电容屏103接地电位。
[0011]优选的,第一绝缘芯体10内的均压电容屏101分为至少两组,其中一组的均压电容屏101为第一均压电容屏101

1,多个第一均压电容屏101

1与绝缘层交替环绕设置构成均压电容C1;其中另一组的均压电容屏101为第二均压电容屏101

2,多个第二均压电容屏101

2与绝缘层交替环绕设置构成第二均压电容C1

,构成屏蔽防干扰电容C3的多个屏蔽电容屏103环绕所述多个第一均压电容屏101

1设置。
[0012]优选的,分压电容屏102构成的分压电容C2位于第一均压电容屏101

1和第二均压电容屏101

2外侧,最内侧的第一均压电容屏101

1和第二均压电容屏101

2接高电压,分压电容C2外设有接地电容屏,多个屏蔽电容屏103沿第一绝缘芯体10轴向相互叠套且相互绝缘,包裹在第一均压电容C1和靠近第一均压电容屏101

1的部分分压电容屏102外,多个屏蔽电容屏103中最外侧的屏蔽电容屏103接高电压,最内侧的屏蔽电容屏103接地电位。
[0013]优选的,还包括形成绝缘信息采集电容C4的第二绝缘信息电容屏,从第二绝缘信息电容屏接出第三引出线,用于绝缘信息的在线监测。
[0014]优选的,所述绝缘信息采集电容C4串联在均压电容C1和分压电容C2之间,串联后的均压电容C1、绝缘信息采集电容C4和分压电容C2与屏蔽防干扰电容C3并联,第三引出线从均压电容C1和绝缘信息采集电容C4之间引出;或者,所述屏蔽防干扰电容C3和绝缘信息采集电容C4串联后的两端并联连接在串联的均压电容C1与分压电容C2的两端,第三引出线从屏蔽防干扰电容C3和绝缘信息采集电容C4之间引出。
[0015]优选的,在第一绝缘芯体10的轴向上,多个屏蔽电容屏103形成的电容屏屏蔽罩的整体长度大于或等于包绕的均压电容C1的整体长度。
[0016]本专利技术创造还提供一种高压电器,所述高压电器包括上述的绝缘芯体的防干扰结构。
[0017]优选的,所述高压电器为套管、电缆终端、电压互感器、电流互感器、隔离开关、断路器、避雷器和绝缘子等中的任意一种。
[0018]本专利技术创造还提供一种套管的优选方案,包括包覆在导电杆或导电管外的第一绝缘芯体10,第一绝缘芯体10的中部外侧固定设有安装法兰21,安装法兰21将第一绝缘芯体10分为套管第一部分和套管第二部分,在第一绝缘芯体10内设有与绝缘层交替环绕设置的多个电容屏,所述多个电容屏包括形成均压电容C1的多个均压电容屏101、形成分压电容C2的分压电容屏102和形成屏蔽防干扰电容C3的多个屏蔽电容屏103,均压电容C1和分压电容C2串联构成电容分压器,用于实现电压互感器功能,多个屏蔽电容屏103至少环绕部分均压电容屏101设置,在第一绝缘芯体10径向上,至少部分屏蔽电容屏103从内侧到外侧,沿第一绝缘芯体10轴向从第一绝缘芯体10的一端向第一绝缘芯体10另一端偏移,至少部分第一均
压电容屏101

1从内侧到外侧,沿第一绝缘芯体10轴向从第一绝缘芯体10的另一端到第一绝缘芯体10的一端偏移,所述至少部分屏蔽电容屏103的偏移方向与其环绕本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容分压绝缘芯体的防干扰结构,包括设置在第一绝缘芯体(10)内与绝缘层交替环绕设置的多个均压电容屏(101),多个均压电容屏(101)构成均压电容(C1),均压电容(C1)与分压电容(C2)串联构成电容分压器,在至少部分均压电容屏(101)外环绕设有与绝缘层交替设置的多个屏蔽电容屏(103),多个屏蔽电容屏(103)构成屏蔽防干扰电容(C3),其特征在于:在第一绝缘芯体(10)径向上,位于外侧的屏蔽电容屏(103)与该屏蔽电容屏(103)对应环绕的均压电容屏(101)的距离大于位于内侧的屏蔽电容屏(103)与该屏蔽电容屏(103)对应环绕的均压电容屏(101)的距离。2.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:第一绝缘芯体(10)径向上,至少部分屏蔽电容屏(103)从内侧到外侧,沿第一绝缘芯体(10)轴向从第一绝缘芯体(10)的一端向第一绝缘芯体(10)另一端偏移,所述至少部分屏蔽电容屏(103)所环绕的至少部分均压电容屏(101)从内侧到外侧,沿第一绝缘芯体(10)轴向从第一绝缘芯体(10)的另一端向第一绝缘芯体(10)的一端偏移,所述至少部分屏蔽电容屏(103)的偏移方向与其环绕的至少部分均压电容屏(101)的偏移方向相反,使得所述至少部分屏蔽电容屏(103)与其环绕的至少部分均压电容屏(101)呈倒“V”字形或者“V”字形。3.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:均压电容(C1)、分压电容(C2)和屏蔽防干扰电容(C3)均设置在第一绝缘芯体(10)内,分压电容(C2)由与绝缘层交替绕制的分压电容屏(102)构成。4.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:屏蔽防干扰电容(C3)嵌设在屏蔽芯体内,屏蔽芯体套设在第一绝缘芯体(10)外。5.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:构成屏蔽防干扰电容(C3)的多个屏蔽电容屏(103)包裹在均压电容(C1)和分压电容(C2)外。6.根据权利要求3所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:分压电容屏(102)构成的分压电容(C2)位于均压电容(C1)外侧,分压电容(C2)外设有接地电容屏,构成屏蔽防干扰电容(C3)的多个屏蔽电容屏(103)包裹在均压电容(C1)和分压电容(C2)外;最外侧的均压电容屏(101)为高压电容屏接高电压,最内侧的均压电容屏(101)接分压电容(C2),多个屏蔽电容屏(103)中最内侧的屏蔽电容屏(103)接高电压,最外侧的屏蔽电容屏(103)接地电位,或者最内侧的均压电容屏(101)接高电压,最外侧的均压电容屏(101)接分压电容(C2),多个屏蔽电容屏(103)中最外侧的屏蔽电容屏(103)接高电压,最内侧的屏蔽电容屏(103)接地电位。7.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:第一绝缘芯体(10)内的均压电容屏(101)分为至少两组,其中一组的均压电容屏(101)为第一均压电容屏(101

1),多个第一均压电容屏(101

1)与绝缘层交替环绕设置构成均压电容(C1);其中另一组的均压电容屏(101)为第二均压电容屏(101

2),多个第二均压电容屏(101

2)与绝缘层交替环绕设置构成第二均压电容(C1

),构成屏蔽防干扰电容(C3)的多个屏蔽电容屏(103)环绕所述多个第一均压电容屏(101

1)设置。8.根据权利要求7所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:分压电容屏(102)构成的分压电容(C2)位于第一均压电容屏(101

1)和第二均压电容屏(101

2)外侧,最内侧的第一均压电容屏(101

1)和第二均压电容屏(10...

【专利技术属性】
技术研发人员:王欢卓京水王维高刘朝辉
申请(专利权)人:北京瑞恒新源投资有限公司
类型:新型
国别省市:

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