【技术实现步骤摘要】
电容分压绝缘芯体的防干扰结构、高压电器、隔离开关
[0001]本专利技术创造涉及高压电器领域,涉及一种电容分压绝缘芯体的防干扰结构、高压电器、隔离开关。
技术介绍
[0002]现有高压电器中包括套管、电缆终端、电压互感器、电流互感器、隔离开关、断路器、避雷器和绝缘子等,通过电容型的绝缘芯体进行绝缘保护,所述绝缘芯体内设有与绝缘层交替环绕设置的多个均压电容屏,多个均压电容屏将高电压逐步分压降为地电位,实现绝缘保护。进一步在绝缘芯体内还绕制有分压电容屏,均压电容屏构成均压电容C1,分压电容屏构成分压电容C2,均压电容C1和分压电容C2串联形成电容分压器,进一步形成电压互感器(这种低功耗的电压互感器也称为VT),此种类型的电压互感器VT功耗低,安全性高。但由于其电容量小容易受到干扰,存在采样精度不够高的问题。为了提高采样精度,现有技术还会在绝缘芯体内绕制屏蔽电容屏,屏蔽电容屏构成屏蔽电容C3,用于屏蔽外部干扰信号,经研究发现屏蔽电容C3的结构布局还需要进一步改进以提高采样精度。
技术实现思路
[0003]本专利技术创造的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种采样精度高的具有电容分压器功能的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,以及采用上述防干扰结构的高压电器。
[0004]为实现上述目的,本专利技术创造采用了如下技术方案:
[0005]一种电容分压绝缘芯体的防干扰结构,包括设置在第一绝缘芯体10内与绝缘层交替环绕设置的多个均压电容屏101,多个均压电容屏101构成均压电容C1,均压电容C1与分压电容C ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电容分压绝缘芯体的防干扰结构,包括设置在第一绝缘芯体(10)内与绝缘层交替环绕设置的多个均压电容屏(101),多个均压电容屏(101)构成均压电容(C1),均压电容(C1)与分压电容(C2)串联构成电容分压器,在至少部分均压电容屏(101)外环绕设有与绝缘层交替设置的多个屏蔽电容屏(103),多个屏蔽电容屏(103)构成屏蔽防干扰电容(C3),其特征在于:在第一绝缘芯体(10)径向上,位于外侧的屏蔽电容屏(103)与该屏蔽电容屏(103)对应环绕的均压电容屏(101)的距离大于位于内侧的屏蔽电容屏(103)与该屏蔽电容屏(103)对应环绕的均压电容屏(101)的距离。2.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:第一绝缘芯体(10)径向上,至少部分屏蔽电容屏(103)从内侧到外侧,沿第一绝缘芯体(10)轴向从第一绝缘芯体(10)的一端向第一绝缘芯体(10)另一端偏移,所述至少部分屏蔽电容屏(103)所环绕的至少部分均压电容屏(101)从内侧到外侧,沿第一绝缘芯体(10)轴向从第一绝缘芯体(10)的另一端向第一绝缘芯体(10)的一端偏移,所述至少部分屏蔽电容屏(103)的偏移方向与其环绕的至少部分均压电容屏(101)的偏移方向相反,使得所述至少部分屏蔽电容屏(103)与其环绕的至少部分均压电容屏(101)呈倒“V”字形或者“V”字形。3.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:均压电容(C1)、分压电容(C2)和屏蔽防干扰电容(C3)均设置在第一绝缘芯体(10)内,分压电容(C2)由与绝缘层交替绕制的分压电容屏(102)构成。4.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:屏蔽防干扰电容(C3)嵌设在屏蔽芯体内,屏蔽芯体套设在第一绝缘芯体(10)外。5.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:构成屏蔽防干扰电容(C3)的多个屏蔽电容屏(103)包裹在均压电容(C1)和分压电容(C2)外。6.根据权利要求3所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:分压电容屏(102)构成的分压电容(C2)位于均压电容(C1)外侧,分压电容(C2)外设有接地电容屏,构成屏蔽防干扰电容(C3)的多个屏蔽电容屏(103)包裹在均压电容(C1)和分压电容(C2)外;最外侧的均压电容屏(101)为高压电容屏接高电压,最内侧的均压电容屏(101)接分压电容(C2),多个屏蔽电容屏(103)中最内侧的屏蔽电容屏(103)接高电压,最外侧的屏蔽电容屏(103)接地电位,或者最内侧的均压电容屏(101)接高电压,最外侧的均压电容屏(101)接分压电容(C2),多个屏蔽电容屏(103)中最外侧的屏蔽电容屏(103)接高电压,最内侧的屏蔽电容屏(103)接地电位。7.根据权利要求1所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:第一绝缘芯体(10)内的均压电容屏(101)分为至少两组,其中一组的均压电容屏(101)为第一均压电容屏(101
‑
1),多个第一均压电容屏(101
‑
1)与绝缘层交替环绕设置构成均压电容(C1);其中另一组的均压电容屏(101)为第二均压电容屏(101
‑
2),多个第二均压电容屏(101
‑
2)与绝缘层交替环绕设置构成第二均压电容(C1
’
),构成屏蔽防干扰电容(C3)的多个屏蔽电容屏(103)环绕所述多个第一均压电容屏(101
‑
1)设置。8.根据权利要求7所述的电容分压绝缘芯体的防干扰结构,其特征在于:分压电容屏(102)构成的分压电容(C2)位于第一均压电容屏(101
‑
1)和第二均压电容屏(101
‑
2)外侧,最内侧的第一均压电容屏(101
‑
1)和第二均压电容屏(10...
【专利技术属性】
技术研发人员:王欢,卓京水,王维高,刘朝辉,
申请(专利权)人:北京瑞恒新源投资有限公司,
类型:新型
国别省市:
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