40V车规MOS衬底结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种40V车规MOS衬底结构，包括：第一硅衬底通过第一连接结构与第二硅衬底固定在一起；第一连接结构形成第一硅衬底的底面；第二硅衬底通过第二连接结构与第一硅衬底形成电性固定连接；第二连接结构形成第二硅衬底的顶面；第一硅衬底掺杂浓度低于第二硅衬底掺杂浓度。本实用新型专利技术将常规浓度掺杂衬底形成在上部，将高浓度掺杂衬底形成在下部，通过第一连接结构和第二连接结构形成电性固定连接，能解决高浓度掺杂衬底的离子高温扩散造成污染机台腔体的问题的同时能降低MOS导通电阻。电阻。电阻。

【技术实现步骤摘要】
40V车规MOS衬底结构


[0001]本技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种40V车规MOS衬底结构。

技术介绍

[0002]随着新能源汽车全球兴起，国内各大整车厂对芯片的需求与日俱增，境外芯片的供应量明显不足，同时为了促进国产芯片的发展与供应，开发国产车规级芯片已成为我国芯片行业的当务之急。
[0003]为了提高40V MOS的性能，减少器件的静态损耗，需要降低MOS的导通电阻，进而能提高产品竞争力最关键的参数。国内通过增加衬底的参杂浓度，通过增加可移动载流子的数量作为一种解决方法，进行晶圆工艺。但是这类高浓度衬底在高温工艺中会发生扩散现象。导致衬底中的离子元素扩散到机台腔体内部，污染了半导体加工设备。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0005]本技术要解决的技术问题是提供一种能避免由于采用高浓度衬底造成机台腔体污染的40V车规MOS衬底结构。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供的40V车规MOS衬底结构，包括：
[0007]第一硅衬底，其通过第一连接结构与第二硅衬底固定在一起；
[0008]第一连接结构，其形成第一硅衬底的底面；
[0009]第二硅衬底，其通过第二连接结构与第一硅衬底形成电性固定连接；
[0010]第二连接结构，其形成第二硅衬底的顶面；
[0011]其中，第一硅衬底掺杂浓度低于第二硅衬底掺杂浓度。
[0012]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，第一连接结构位于第一硅衬底底面的位置与第二连接结构位于第二硅衬底顶面的位置形成对称分布，位于对称位置的第一连接结构和第二连接结构形状和尺寸相同。
[0013]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，各第一连接结构形状相同。
[0014]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，各第一连接结构形成为椭圆形或圆形片状结构，各第一连接结构均匀分布在第一硅衬底的底面。
[0015]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，各第一连接结构形成为“日”字形片状结构，各第一连接结构分布在第一硅衬底的四角。
[0016]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，分布在第一硅衬底四角的第一连接结构形状相同；
[0017]且，分布在第一硅衬底四角的第一连接结构形状与第一硅衬底几何中心的第一连
接结构形状不相同。
[0018]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，分布在第一硅衬底四角的第一连接结构形成为长条形片状结构，各长条形片状结构的一端指向第一硅衬底的几何中心，另一端指向第一硅衬底的四角；
[0019]分布在第一硅衬底几何中心的第一连接结构形成为椭圆形或圆形片状结构。
[0020]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，分布在第一硅衬底四角的第一连接结构形成为平行的两根长条形片状结构，相对远离第一硅衬底几何中心的长条形片状结构的长度短于相对靠近第一硅衬底几何中心的长条形片状结构的长度；
[0021]分布在第一硅衬底几何中心的第一连接结构形成为“十字架”形结构。
[0022]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，长条形片状结构延长线与第一硅衬底相邻两边夹角相等，“十字架”形结构的两边分别平行与硅衬底的长边或宽边。
[0023]可选择的，进一步改进所述的40V车规MOS衬底结构，第一连接结构采用铝制造，第二连接结构采用锗制造；
[0024]或，第一连接结构和第二连接结构均采用黄金制造；
[0025]或，第一连接结构采用黄金制造，第二连接结构采用铝制造。
[0026]本技术所提供40V车规MOS衬底结构的制造过程及技术效果如下：
[0027]使用常规浓度的衬底，进行整套现有工艺(外延生长)之后自底部将常规浓度衬底减薄，形成第一硅衬底。使用另一片浓参杂衬底，作为第二硅衬底。
[0028]分别在第一硅衬底底面形成第一连接结构，在第二硅衬底顶面形成第二连接结构。
[0029]利用键合将第一硅衬底底面的第一连接结构和第二硅衬底顶面的第二连接结构连接固定，完成常规浓度衬底和浓参杂衬底的结合；
[0030]不污染机台腔体的主要原因是浓掺杂衬底的离子高温扩散，本技术将常规浓度掺杂衬底形成在上部，将高浓度掺杂衬底形成在下部，通过第一连接结构和第二连接结构形成电性固定连接，能解决高浓度掺杂衬底的离子高温扩散造成污染机台腔体的问题的同时能降低MOS导通电阻。
附图说明
[0031]本技术附图旨在示出根据本技术的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本技术附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本技术附图不应当被解释为限定或限制由根据本技术的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细的说明：
[0032]图1是第二实施例结构示意图一。
[0033]图2是第二实施例结构示意图二。
[0034]图3是第四实施例结构示意图一。
[0035]图4是第四实施例结构示意图二。
[0036]图5是第六实施例结构示意图一。
[0037]图6是第六实施例结构示意图二。
[0038]图7是第七实施例结构示意图一。
[0039]图8是第七实施例结构示意图二。
[0040]附图标记说明
[0041]第一硅衬底1
[0042]第一连接结构2
[0043]第二硅衬底3
[0044]第二连接结构4
[0045]长条形片状结构延长线与第一硅衬底相邻两边夹角A。
具体实施方式
[0046]以下通过特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本技术的其他优点与技术效果。本技术还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离技术总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本技术下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。应当理解的是，当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种40V车规MOS衬底结构，其特征在于，包括：第一硅衬底，其通过第一连接结构与第二硅衬底固定在一起；第一连接结构，其形成第一硅衬底的底面；第二硅衬底，其通过第二连接结构与第一硅衬底形成电性固定连接；第二连接结构，其形成第二硅衬底的顶面；其中，第一硅衬底掺杂浓度低于第二硅衬底掺杂浓度。2.如权利要求1所述的40V车规MOS衬底结构，其特征在于：第一连接结构位于第一硅衬底底面的位置与第二连接结构位于第二硅衬底顶面的位置形成对称分布，位于对称位置的第一连接结构和第二连接结构形状和尺寸相同。3.如权利要求2所述的40V车规MOS衬底结构，其特征在于：各第一连接结构形状相同。4.如权利要求3所述的40V车规MOS衬底结构，其特征在于：各第一连接结构形成为椭圆形或圆形片状结构，各第一连接结构均匀分布在第一硅衬底的底面。5.如权利要求3所述的40V车规MOS衬底结构，其特征在于：各第一连接结构形成为“日”字形片状结构，各第一连接结构分布在第一硅衬底的四角。6.如权利要求2所述的40V车规MOS衬底结构，其特征在于：分布在第一硅衬底四角的第一连接结构形状相同；且，分布在第一硅衬底四角的第一连接结构形状与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑超，王学合，胡志平，
申请(专利权)人：上海芯华睿半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：