用于调节光学装置的系统和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包括预曝光元件(134)的台系统(130)，并且涉及一种采用预曝光元件来调节光学系统(100)的方法。预曝光元件包括在台系统的表面处的辐射接收区域，其中辐射接收区域包括被配置为接收辐射的至少一个预曝光板。台系统还包括控制器(140)，其中控制器能够控制预曝光元件的光学参数，由此控制被预曝光元件反射的所接收辐射的一部分。件反射的所接收辐射的一部分。件反射的所接收辐射的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于调节光学装置的系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月10日提交的EP申请20185138.3的优先权，并且其通过整体引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及光刻，并且更具体地涉及用于调节光学装置的系统和方法，尤其涉及用于改善成像性能(例如，叠加和/或聚焦)的光刻装置。

技术介绍

[0004]光刻装置是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如借助于投射系统将图案化装置(例如，掩模)的图案(通常也被称为“设计布局”或“设计”)投射到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]在光刻装置中，由光刻装置中的辐射曝光衬底的结果是，包括光刻装置的图案化装置、投射系统和照明系统的光路被曝光辐射加热。即，由投射系统接收的辐射剂量导致投射系统的加热和随后的冷却。由此，投射系统在投射图像中引起一些像差，从而不利地影响光刻工艺的成像性能(例如，叠加和/或聚焦)。
[0006]随着半导体制造工艺不断本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种台系统，包括：预曝光元件，用于调节光学系统，所述预曝光元件在所述台系统的表面处具有辐射接收区域，其中所述辐射接收区域包括被配置为接收辐射的至少一个预曝光板；以及控制器，其中所述控制器能够控制所述预曝光元件的光学参数，由此控制由所述预曝光元件反射的所接收辐射的一部分。2.根据权利要求1所述的台系统，其中所述预曝光元件还包括至少部分反射的光学构件，并且所述控制器被布置为通过控制所述至少部分反射的光学构件的反射率来控制所述预曝光元件的光学特性。3.根据权利要求2所述的台系统，其中所述至少部分反射的光学构件的反射率通过所述至少部分反射的光学构件围绕所述至少部分反射的光学构件处的中心轴线上的点的旋转来控制。4.根据权利要求2所述的台系统，其中所述至少部分反射的光学构件是电可调光学元件，所述电可调光学元件能够借助于电信号在反射状态与透射状态之间改变。5.根据前述权利要求中任一项所述的台系统，其中所述预曝光元件用清洗流体而被清洗。6.根据前述权利要求中任一项所述的台系统，其中所述预曝光元件包括一个或多个检测器以测量辐射强度，所述辐射强度是针对所接收辐射的量度。7.根据权利要求1所述的台系统，包括多个预曝光板，每个预曝光板具有彼此不同的反射率，其中通过从所述多个预曝光板中选择一个预曝光板来控制所述预曝光元件的所述光学参数。8.根据权利要求7所述的台系统，其中至少一个预曝光板是电可调光学元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：O，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：