一种半导体无氰电镀金镀液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体电镀技术领域，尤其是涉及一种半导体无氰电镀金镀液及其制备方法。一种半导体无氰电镀金镀液，所述镀液包含：金的亚硫酸盐15

【技术实现步骤摘要】
一种半导体无氰电镀金镀液及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体电镀
，尤其是涉及一种半导体无氰电镀金镀液及其制备方法。

技术介绍

[0002]晶圆是制造半导体器件的基础性原材料，晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构，再经切割、封装、测试成为芯片，广泛应用到各类电子设备当中。金是导电导热方面仅次于银和铜的金属，金具有极佳化学稳定性，常温或加热条件下不会被氧化，且与大部分化学物质都不发生反应，可焊性好，可热压键合，接触电阻低。因此，在晶圆上电镀金被广泛用于电子线路板、电子连接器、半导体制造等领域。
[0003]目前，镀金过程中使用的电镀金镀液，在电镀金过程中镀金速率不易控制，使晶圆表面镀金层的厚度不均一，电镀后金层的厚度均一性会直接影响芯片的焊接效果和外观效果。公开号为CN111349917A提供了一种用于半导体芯片的镀金液，将镀金液的pH调为酸性，氰化亚金钾在有柠檬酸且溶液为酸性的体系中可以稳定存在，不会析出，且镀金过程中产生的氰酸会与柠檬酸产生氢键而稳定存在于溶液中，不会以有害气体的形式溢出，因此可使芯片表面镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体无氰电镀金镀液，其特征在于，所述镀液包含：金的亚硫酸盐15
‑
30g/L、导电盐20
‑
40g/L、pH缓冲剂5
‑
10g/L、络合剂10
‑
15g/L、添加剂5
‑
10mg/L；所述添加剂包括酒石酸锑钾、亚硒酸铵、聚乙二醇和异构醇聚氧乙烯醚；所述酒石酸锑钾、亚硒酸铵、聚乙二醇和异构醇聚氧乙烯醚的质量比为（0.6
‑
0.8）:（0.5
‑
0.7）:（1.2
‑
1.6）:（0.8
‑
1.2）；所述络合剂为乙二胺四亚甲基膦酸和丙二胺的复配；所述乙二胺四亚甲基膦酸和丙二胺的质量比为（2
‑
3）:1。2.根据权利要求1所述的一种半导体无氰电镀金镀液，其特征在于，所述酒石酸锑钾、亚硒酸铵、聚乙二醇和异构醇聚氧乙烯醚的质量比为0.7:0.6:1.4:1。3.根据权利要求2所述的一种半导体无氰电镀金镀液，其特征在于，所述异构醇聚氧乙烯醚由异构八醇聚氧乙烯醚和异构十三醇聚氧乙烯醚按质量比1:（0.6
‑
0.8）混合而成。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓麒俊，吴家麟，
申请(专利权)人：江门市优彼思半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：