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一种硫空位-钒掺杂二硫化钼复合材料及其制备方法技术

技术编号:36853163 阅读:36 留言:0更新日期:2023-03-15 17:31
本发明专利技术提供了一种硫空位

【技术实现步骤摘要】
一种硫空位

钒掺杂二硫化钼复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电池材料
,具体涉及一种硫空位

钒掺杂二硫化钼复合材料。

技术介绍

[0002]锂离子电池(LIB)由于其长循环寿命、高能量密度和低环境污染而被广泛用作电动汽车(EV)、移动电子设备和航空航天技术中的主要电源。然而,有限的锂资源促使人们对低成本二次电池产生了强烈的关注。其中,钠离子电池(SIB)由于具有高能量密度、高安全性和丰富的钠资源,在大规模电能存储领域极具发展前景,受到越来越多的关注。然而,传统的石墨负极存储钠离子的容量较低,因此,限制SIB发展的一个关键因素是缺少合适的负极材料。
[0003]二硫化钼(MoS2)具有丰富的活性位点、大表面积和高理论可逆容量(670 mAh g
−1)而显示出巨大的潜力。特别地,MoS2具有良好的层状结构,其中二维平面层间距为0.62nm,有利于Na
+
的嵌入/脱出。然而,MoS2导电率低且充放电过程中体积变化大,导致其倍率性能和循环稳定性较差。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硫空位

钒掺杂二硫化钼复合材料,其特征在于,微观形貌为纳米片组装成的花状结构,包含二硫化钼基体和碳包覆层;所述二硫化钼基体中晶格内掺入有钒原子且含有硫空位;所述硫空位

钒掺杂二硫化钼复合材料的制备过程包括以下步骤:步骤1:按1:4的摩尔比分别称取四水合钼酸铵和硫代乙酰胺,并称取一定量的偏钒酸铵和葡萄糖,加入适量的去离子水中,搅拌充分至完全溶解;将溶液转移至反应釜中,置于180~220℃的烘箱中反应22~24h,随炉冷却;将样品进行抽滤,用去离子水和无水乙醇分别洗涤固体滤渣数次,真空干燥,得到钒掺杂二硫化钼复合材料;步骤2:称取一定量步骤1合成的样品放置于管式炉中,在Ar气气氛保护下升温至250~350℃,煅烧30~120min;然后升温至600~900℃并通入Ar

H2混合气体保温2~6h,以还原...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱岭席龙康佳廖成滕飞洋吴贤文杨学弦
申请(专利权)人:吉首大学
类型:发明
国别省市:

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