一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路；该检测电路可应用于采用泵电路方式实现的驱动电路系统；该系统包括有高边驱动、泵电路、电压检测电路和功率管NM1_H；所述高边驱动上电性连接有所述泵电路，所述泵电路上电性连接有所述功率管NM1_H，所述电压检测电路的输入端与所述功率管NM1_H的栅极和源极分别电性连接，所述电压检测电路的输出端与所述泵电路电性连接；所述电压检测电路中包括有高压管PM1、高压管PM2、高压管NM3、高压管NM4、偏置电流I1、偏置电流I2、偏置电流I3、稳压二极管Z1和反相器INV1；本发明专利技术利用稳压二极管的反向击穿电压作为判断阈值，对两个输入信号之间的压差进行检测，实现对高边功率管的保护，使用器件少，成本低，功耗很低。功耗很低。功耗很低。

【技术实现步骤摘要】
一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路


[0001]本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路。

技术介绍

[0002]随着电子技术的不断发展，电子设备需要满足小型化、高性能、低功耗的要求。开关电源得以广泛应用，而驱动电路作为开关电源中重要的一部分，也在不断优化。目前驱动电路功率管常采用NMOS功率管，根据NMOS功率管接在电源端还是地端，可分为高边管和低边管两种。在高边NMOS驱动电路中，NMOS管漏极接电源端，其栅极电压必须高于电源电压一个导通电压，否则功率管上将产生很大的导通压降。
[0003]目前给功率管提供足够大的栅极电压，主要采用自举电路和电荷泵电路，这两种方式会带来电路结构复杂，功耗大，成本高的问题。如果采用泵电路的方式，将电源电压实现倍压，其输出可作为高边NMOS功率管的栅极电压，并且泵电路只在高边NMOS功率管需要导通时工作，其它情况关闭，可降低功耗。集成电路中常选用薄栅氧的NMOS功率管，其栅源耐压值约为5.5V。NMOS功率管栅极电压不能过大，否则会烧坏功率管，因此需要一个结构简本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路，其特征在于：包括有电压检测电路，可应用于采用泵电路方式实现的驱动电路系统，该系统包括有高边驱动、泵电路、电压检测电路和功率管NM1_H；所述电压检测电路通过对高边功率管的栅极电压VG_UP和源极电压V_SW之间的压差进行检测，判断该压差是否超过功率管栅源耐压值，输出判断信号VOUT，对泵电路的工作状态进行控制调节；所述功率管NM1_H根据栅极电压VG_UP的高低实现导通或关断的控制调节；所述电压检测电路中包括有高压管PM1、高压管PM2、高压管NM3、高压管NM4、偏置电流I1、偏置电流I2、偏置电流I3、稳压二极管Z1和反相器INV1。2.根据权利要求1所述的一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路，其特征在于：采用泵电路方式实现的驱动电路系统包括有高边驱动、泵电路、电压检测电路和功率管NM1_H；所述高边驱动上电性连接有输入信号VIN_UP，所述高边驱动上电性连接有所述泵电路，所述泵电路上电性连接有所述功率管NM1_H，所述电压检测电路的输入端与所述功率管NM1_H的栅极和源极分别电性连接，所述电压检测电路的输出端与所述泵电路电性连接，所述高边驱动、所述泵电路和所述功率管NM1_H的漏极分别电性连接有电源电压VM；所述高边驱动用于接收所述输入信号VIN_UP，并且将所述输入信号VIN_UP进行电平转换，逻辑判断，然后输出VG_H；所述泵电路用于产生一个高于所述电源电压VM的电压VG_UP，并且电压VG_UP和电源电压VM的关系如下：VG_UP＝2*VM。3.根据权利要求2所述的一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路，其特征在于：所述电源电压VM为功率管电源电压，变化范围较大，会出现高压情况；所述功率管NM1_H的栅源耐压值一般为5.5V，且所述功率管NM1_H的导通阻抗很小，在所述功率管NM1_H导通时，输出V_SW近似等于所述电源电压VM；所述功率管NM1_H导通时，所述泵电路的输出VG_UP＝2*VM，所述功率管NM1_H的栅源电压约为VG_UP
‑
V_SW＝VM，当所述电源电压VM大于器件栅源耐压时，所述功率管NM1_H的栅源电压将超出耐压，造成器件损坏。4.根据权利要求3所述的一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路，其特征在于：所述电压检测电路对所述泵电路进行控制调节；所述电压检测电路对所述泵电路的输出VG_UP、所述功率管NM1_H的输出V_SW的压差进行检测，当VG_UP
‑
V_SW<5.5V时，所述泵电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文嘉，权磊，罗晟，刘浩，杨悦，
申请(专利权)人：无锡中微爱芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：