一种上电复位电路、电源系统、芯片及电子设备技术方案

本公开实施例中提供了一种上电复位电路、电源系统、芯片及电子设备。本公开实施例提供的上电复位电路，由发射区面积不同的BJT管作为电流比较器的输入，当电源系统上电后，通过电流镜缓慢抬高施密特触发器的电源电压，使得上电复位电路输出翻转为低电平。当电源电压继续增大，比较器的电源电压达到翻转阈值后，使得施密特触发器的电源电压下降，上电复位电路输出翻转为高电平，同时该上电复位电路集成掉电检测功能，当系统掉电后可产生复位脉冲，避免系统工作在不定态，通过本公开的方案，通过比较器实现上电复位快速响应，具有电路结构简单、小面积、响应速度快等优点，同时集成了掉电复位检测功能，具有更好的鲁棒性。具有更好的鲁棒性。具有更好的鲁棒性。

【技术实现步骤摘要】
一种上电复位电路、电源系统、芯片及电子设备


[0001]本专利技术涉及电路
，具体涉及一种上电复位电路、电源系统、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]上电复位是指上电压从无到有在RST处会先处于高电平一段时间，然后由于该点通过电阻接地，则RST该点的电平会逐渐的改变为低电平，从而使得单片机复位口电平从1转到0，达到给单片机复位功能的一种复位方式。
[0003]传统的上电复位电路在系统上电后通过对片上电容充电触发脉冲对全部电路复位，上电瞬间，电容充电电流最大，电容相当于短路，RST端为高电平，自动复位；电容两端的电压达到电源电压时，电容充电电流为零，电容相当于开路，RST端为低电平，程序正常运行，避免电路上电后处于不确定状态。
[0004]然而，现有方法由于需要对片上电容充电，其速度较慢，在通信系统中可能导致响应时间过长，不利于实现高质量的人机交互。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开实施例提供一种上电复位电路、电源系统、芯片及电子设备，至少部分解决现有技术中存在的问题。/>[0006]第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，应用于电源系统中，其特征在于，包括：电流比较器、施密特触发器和反相器；所述电流比较器由发射区面积不同的BJT管构成，所述电流比较器连接于电源电压和所述施密特触发器的输入端之间；所述施密特触发器的输出端与所述反相器连接，用于输出复位电压。2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述电流比较器包括：第一电阻R1、发射区面积不同的第一BJT管Q1、第二BJT管Q2和第三BJT管Q3、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6；所述第一电阻连接于所述电源电压、所述第二BJT管Q2的基极、第一BJT管Q1的集电极和所述第一BJT管Q1的基极之间；所述第二BJT管Q2的集电极与所述第一MOS管M1的栅极和源极连接；所述第三BJT管Q3的集电极与所述第三MOS管M3的栅极和源极连接；所述第一MOS管M1的栅极与所述第二MOS管M2的栅极和所述第一MOS管M1的源极连接；所述第二MOS管M2的源极与所述第六MOS管M6的源极和所述施密特触发器的输入连接；所述第三MOS管M3的栅极与所述第四MOS管M4的栅极和所述第三MOS管M3的源极连接；所述第四MOS管M4的源极与所述第五MOS管M5的源极连接；所述第五MOS管M5的栅极与所述第六MOS管M6的栅极和所述第四MOS管M4的源极连接；所述第三BJT管Q3的基极、所述第一MOS管M1的漏极、所述第二MOS管M2的漏极、所述第三MOS管M3的漏极、所述第四MOS管M4的漏极、与所述电源电压连接；所述第一BJT管Q1的发射极、所述第五MOS管M5的漏极、所述第六MOS管M6的漏极接地。3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述电流比较器还包括：第二电阻R2，与所述电源电压、所述第一电阻R1和所述第三BJT管Q3的基极连接。4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述电流比较器还包括：第三电阻R3，所述第三电阻R3的...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾蔚如，
申请(专利权)人：上海川土微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：