一种不同介质共烧LTCC滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种不同介质共烧LTCC滤波器，包括从下到上布置的电感层和表贴层，电感层采用K7S材料，表贴层采用MLS

【技术实现步骤摘要】
一种不同介质共烧LTCC滤波器


[0001]本技术涉及一种不同介质共烧LTCC滤波器，属于共烧LTCC滤波器


技术介绍

[0002]LTCC（LowTemperatureCo
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firedCeramic）低温共烧陶瓷，已经成为无源集成的主流技术。这种新型材料技术是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个被动组件埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，内外电极可分别使用银、铜、金等金属，在900℃下烧结，制成三维空间互不干扰的高密度电路，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块，可进一步将电路小型化与高密度化，特别适合用于高频通讯用组件。
[0003]滤波器是微波电路中一个重要的无源器件，是一个允许特定频段的波通过同时抑制屏蔽其他频段的设备。
[0004]不同的陶瓷介质材料有很多，其介电常数，介质损耗，耐腐蚀程度也不一样。目前市面上的LTCC滤波器均是根据设计需求，工程师折中考虑选取某一陶瓷介质材料来进行LTCC滤波器的设计。但目前市面上的陶瓷介质材料往往是损耗低的材料不耐腐蚀，耐腐蚀的材料损耗又偏高。这就导致在设计LTCC滤波器时，很难达到其电性能又好，又耐腐蚀的情况。出现产品可靠性与电性矛盾的情况。

技术实现思路

[0005]本技术要解决的技术问题是：提供一种不同介质共烧LTCC滤波器，以解决现有技术中存在的问题。
[0006]本技术采取的技术方案为： 一种不同介质共烧LTCC滤波器，包括从下到上布置的电感层和表贴层，电感层采用K7S材料，表贴层采用MLS
‑
88材料层, 电感层集成有电感，表贴层电镀后表贴LTCC的其他元器件。
[0007]电感包括输入电感L1、输出电感L1和耦合电感L2，集成电感L1和L2为两层螺旋电感，耦合电感L2两端接分别接变容二极管V1/V2/V3/V4，输入电感L1和输出电感L1接耦合电感L2的中间抽头。
[0008]其他元器件包括表贴单片机MCU、运算放大器OP、变容二极管V1/V2/V3/V4、电阻R1/R2/R3/R4/R5和电容C1/C2；单片机MCU依次通过运算放大器OP和电阻R1/R2连接到变容二极管V1/V2/V3/V4，旁路电容C1/C2连接到变容二极管V1/V2/V3/V4的输出端，用于隔离直流加载电压，运算放大器OP连接到电阻R1/R2的VT端还连接有保护电阻R3/R4。
[0009]本技术的有益效果：与现有技术相比，本技术采用共烧不同材料层的双层结构，用耐腐蚀的MLS
‑
88材料的表贴层，表贴元器件的镀金层不会脱落，表面元器件可靠性增加，K7s材料的电感层不耐腐蚀，但电性能好，因此，整体上提高LTCC滤波器的性能。
附图说明
[0010]图1是滤波器立体结构示意图；
[0011]图2是集成电感上层结构示意图；
[0012]图3是集成电感下层结构示意图；
[0013]图4是电感层上连接通孔布置图；
[0014]图5是表贴层俯视结构示意图；
[0015]图6是滤波器电路图；
[0016]图7是单片机MCU电路图；
[0017]图8是运算放大器电路图；
[0018]图9是各元器件引脚上层布置图；
[0019]图10是各元器件引脚下层布置图；
[0020]图11是各元器件引脚上层连接通孔布置图；
[0021]图12是各元器件引脚下层连接通孔布置图；
[0022]图13是各元器件焊盘布置图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图及具体的实施例对本技术进行进一步介绍。
[0024]实施例1：如图1
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13所示，一种不同介质共烧LTCC滤波器，包括从下到上布置的电感层1和表贴层2，电感层1采用K7S材料，表贴层2采用MLS
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88材料层, 电感层1集成有电感，表贴层2电镀后表贴LTCC的其他元器件。
[0025]如图2
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3所示，电感包括输入电感L1、输出电感L1和耦合电感L2，集成电感L1和L2为两层螺旋电感，通过图4通孔连接，耦合电感L2两端接分别接变容二极管V1/V2/V3/V4，输入电感L1和输出电感L1接耦合电感L2的中间抽头。
[0026]如图5
‑
8所示，其他元器件包括表贴单片机MCU、运算放大器OP、变容二极管V1/V2/V3/V4、电阻R1/R2/R3/R4/R5和电容C1/C2；单片机MCU依次通过运算放大器OP和电阻R1/R2连接到变容二极管V1/V2/V3/V4，电阻R1/R2旁路电容C1/C2连接到变容二极管V1/V2/V3/V4的输出端，用于隔离直流加载电压，运算放大器OP连接到电阻R1/R2的VT端还连接有保护电阻R3/R4，单片机MCU与运算放大器OP实现外接电压达到控制变容二极管V1/V2/V3/V4的电容值达到频率可调。电阻R1/R2隔离交流信号，旁路电容C1/C2隔离直流加载电压，电阻R3/R4保护电路，VT端连接运放OP。
[0027]各元器件引脚采用两层连接集成于LTCC内部，如图9，图10所示。两层连接层通过图11所示通孔连接。最终通过图12通孔，连接到图13的表面焊盘。
[0028]以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内，因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种不同介质共烧LTCC滤波器，其特征在于：包括从下到上布置的电感层（1）和表贴层（2），电感层（1）采用K7S材料，表贴层（2）采用MLS
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88材料层, 电感层（1）集成有电感，表贴层（2）电镀后表贴LTCC的其他元器件。2.根据权利要求1所述的一种不同介质共烧LTCC滤波器，其特征在于：电感包括输入电感L1、输出电感L1和耦合电感L2，集成电感L1和L2为两层螺旋电感，耦合电感L2两端接分别接变容二极管V1/V2/V3/V4，输入电感L1和输出电感L...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志伟，李青，刘肖，戴正立，周焕福，张海林，
申请(专利权)人：贵阳顺络迅达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：