后溢中音信号吸收式中低音扬声器制造技术

本实用新型专利技术为后溢中音信号吸收式中低音扬声器，包含盆架、与盆架固定的表面振膜、与振膜固定的音圈架、与音圈架固定的音圈和定心支片、位于扬声器后部的导磁体、与导磁体固定的环状磁铁、环状磁铁上部的导磁板以及与导磁体固定的位于扬声器振膜中部的相位锥，在振膜与定心支片之间设有由吸音材料制成的吸音层。通过在现有中低音扬声器振膜与定心支片间增设吸音层，可显著降低中低音扬声器后方中音成分的溢出；同时，该吸音层还起到第二定心支片的作用，客观上又提高了扬声器的线性范围。该中低音扬声器由于自身带有后溢中音吸收功能，当倒相式音箱使用该扬声器时，可减化或省去滤除后溢中音所需的相应结构，从而使音箱的结构简单。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种后溢中音信号吸收式中低音扬声器，包含盆架（１）、与盆架连接的表面振膜（２）、与振膜固定的音圈架（３）、与音圈架固定的音圈（４）和定心支片（５）、位于扬声器后部的导磁体（６）、与导磁体固定的环状磁铁（７）、环状磁铁上部的导磁板（８）以及与导磁体固定的位于扬声器振膜中部的相位锥（９），其特征为：在振膜与定心支片之间设有由吸音材料制成的吸音层（１０）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郝晋青，
申请(专利权)人：郝晋青，
类型：实用新型
国别省市：14[中国|山西]