质量分析装置制造方法及图纸

本发明专利技术的质量分析装置具备离子源，离子源(1)具备：离子化室(10)，具有离子射出口(101)与夹着离子光轴对置配置的电子导入口(102)及电子排出口(103)，在内部形成与外部大致划分的空间；反射电极(14)，配置在离子化室的内部且离子光轴上，形成将离子通过离子射出口向外部推出的电场；灯丝(11)，在电子导入口外侧以与离子光轴沿相同方向延伸的方式配置；阱电极(12)，配置在电子排出口的外侧；磁场形成部(13)，为了控制热电子的轨道而形成磁场，将电子导入口的离子射出口侧的端部与该侧的离子化室的壁部内表面之间的第1距离、及电子导入口的反射电极侧的端部与反射电极之间的第2距离双方或其中任一方规定为大于热电子的旋转半径。半径。半径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】质量分析装置


[0001]本专利技术涉及一种质量分析装置，更详细而言，涉及一种使用基于电子离子化(E I＝E l ectron I on i zat i on)法、化学离子化(CI＝Chemi ca lI on i zat i on)法或负化学离子化(NC I＝Negat i ve Chemi ca l I on i zat i on)法的离子源的质量分析装置。

技术介绍

[0002]在气相色谱仪质量分析装置(GC
‑
MS)中的质量分析装置中，为了使试样气体中的化合物离子化，主要利用EI法、CI法或NC I法等离子化法。导入到配置在真空腔室内的离子化室内的试样气体中的化合物通过上述那样的适当的离子化法而被离子化。然后，生成的离子被输送到四极滤质器等质量分离部，根据质荷比(严格地说是斜体字的“m/z”，但在本说明书中根据惯用称为“质荷比”)进行分离并检测。
[0003]图4是现有的一般的E I离子源的概略构成图，(A)是概略纵端视图，(B)是概略俯视图(参照专利文献1等)。为了便于说明，定义为在空间内相互正交的X、Y、Z本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种质量分析装置，具备使试样气体中包含的试样成分离子化的离子源，其特征在于，所述离子源具备：离子化室，具有离子射出口、和夹着从该离子射出口射出的离子流的中心轴即离子光轴而对置配置的电子导入口及电子排出口，在其内部形成与外部大致划分的空间；反射电极，配置在所述离子化室的内部且配置在所述离子光轴上，形成将在该离子化室内生成的离子通过所述离子射出口向外部推出的电场；灯丝，在所述电子导入口的外侧以与所述离子光轴沿相同方向延伸的方式配置；阱电极，配置在所述电子排出口的外侧；磁场形成部，为了控制从所述灯丝通过所述离子化室的内部并朝向所述阱电极的热电子的轨道而形成磁场，将第1距离及第2距离双方或其中任一方规定为大于使用赋予热电子的能量和由所述磁场形成部形成的磁场的强度而推定的热电子的旋转半径，所述第1距离为所述电子导入口的所述离子射出口侧的端部与形成有该离子射出口的所述离子化室的壁部内表面之间的沿着所述离子光轴的方向的距离，所述第2距离为所述电子导入口的所述反射电极侧的端部与该反射电极之间的沿着所述离子光轴的方向的距离。2.一种质量分析装置，具备使试样气体中包含的试样成分离子化的离子源，其特征在于，所述离子源具备：离子化室，具有离子射出口、和夹着从该离子射出口射出的离子流的中心轴即离子光轴而对置配置的电子导入口及电子排出...

【专利技术属性】
技术研发人员：西口克，下村学，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：