【技术实现步骤摘要】
一种高通量快速构筑MOF/COF膜的算法
[0001]本专利技术涉及金属有机框架材料,具体为一种高通量快速构筑MOF/COF膜的算法。
技术介绍
[0002]金属有机框架材料(MOF)和共价有机框架材料(COF)材料的化学组成和晶体结构等性质可高度调控,因此该类材料的种类极其多样,从理论上讲,MOF/COF的种类可以达数以百万计。因此,在发展MOF/COF材料的某一类特定应用时,如何快速的筛选出具有最优性能的MOF/COF材料变得极为困难。通过计算机分子模拟技术,可以快速的计算MOF/COF的吸附、分离等性质,已被证明是一种高通量地设计出具有特定应用或功能的MOF/COF结构的有效方法。
[0003]MOF/COF材料的高通量理论模拟研究的开展,必须为计算机提供大量的结构模型。当前,此类模型主要为MOF/COF的三维周期性晶体结构模型。而将MOF/COF应用于吸附、分离、催化等应用领域时,其表界面作用和晶面取向的影响同样不可忽视。此外,以MOF/COF构筑膜材料是应用其性能优势的重要手段,而当前对其大规模计算机筛选的研究中,仍然基于MOF/COF三维周期性模型估算膜材料的性能;因此难以考虑膜材料的弯曲和变形,并且对分子模拟方法的选择也会造成一定限制,导致计算结果存在局限性。因此,有必要发展一种快速构建MOF/COF膜模型的方法,以提供大量的MOF/COF膜的模型,该模型可以反映材料的表界面性质,从而为MOF/COF材料的高通量筛选方法的进一步发展提供重要的研究基础。
[0004]然而,MOF/COF的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高通量快速构筑MOF/COF膜的算法,其特征在于:该算法的步骤如下:S1,调整晶面;读取MOF/COF的晶体结构,选择层板模型所要暴露的晶面以及层板模型的厚度,根据所要暴露的晶面重新定义MOF/COF的三条晶轴,即a,b轴为该选定晶面所在平面内的晶轴,c轴为该选定晶面所在平面外的晶轴;根据定义的三条晶轴,重新计算相应的原子坐标;S2,构建超晶胞模型;根据层板模型的厚度,对MOF/COF的晶体结构在c轴方向上进行周期性延拓,构建超晶胞,使得超晶胞在垂直于晶面的方向即z轴方向上的高度超过层板模型的厚度,且z轴方向上的高度至少超出对应MOF/COF单晶胞的高度的二倍;S3,划分结构组成单元;根据MOF/COF材料实际合成特点,分析超晶胞内部的结构组成单元;对于MOF晶体,结构组成单元主要通过金属节点划分,包括金属节点结构组成单元和非金属结构组成单元;对于COF晶体,结构组成单元主要通过特征键划分,特征键包括亚胺键或硼酸键常见COF的特征键;S4,构建层板模型主要结构;根据需要设定的层板模型的厚度h,在超晶胞结构z轴方向上,设定出一个层板模型的厚度为h的高度区域,该高度区域的最低点和最高点对应的位置分别记为z
min
和z
max
;S5,表面结构处理;对于MOF,根据模拟需求选择是否进行表面质子化;若需要MOF膜的模型进行表面质子化,根据保留的多原子结构组成单元,分析与多原子结构组成单元连接的金属离子是否保留在输出文件中,若是相应的金属离子未保留,则在与多原子结构组成单元连接的金属原子上连接一个氢质子;若是模拟需求选择不需要MOF膜的模型进行表面质子化,则不进行表面结构处理;对于COF晶体,结构组成单元中的部分原子包含在特征键之中,对于不同的特征键,预先定义相应反应物的反应位点结构,然后对于层板表面结构组成单元,按照预先定义的结构增加相应的原子,以修复表面结构,得到合理的表面结构;在修复过程中,根据模拟需求选择是否添加相应的质子;S6,保存输出结构;根据模拟需求,在输出的结构文件中,定义真空层的高度,以及所输出的MOF/COF膜模型的晶轴和晶轴夹角信息,与以上步骤中输出的结构信息共同构成所需要的MOF/COF膜的模型,并存储为计算机模拟程序可识别的文件格式;按照以上步骤循环处理下一个MOF/COF结构输入文件,直到所有的MOF/COF结构输入文件被处理完毕。2.根据权利要求1所述的一种高通量快速构筑MOF/COF膜的算法,其特征在于:所述S1中的调整晶面,对于不同的MOF/COF模型需要暴露不同的晶面,在高通量构筑膜模型的过程,无法针对每个MOF/COF模型一一指定合适的晶面,所选择的晶面根据一定的算法自动指定合理的暴露晶面。3.根据权利要求2所述的一种高通量快速构筑MOF/COF膜的算法,其特征在于:提供一种自动指定合理暴露晶面的算法,通过该算法高效地实现MOF/COF膜模型的高通量构筑;具体步骤为:
S11...
【专利技术属性】
技术研发人员:张仕通,张政清,贺艳静,仲崇立,
申请(专利权)人:天津工业大学,
类型:发明
国别省市:
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