微硅麦克风及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明专利技术的制备方法是利用ＩＣＰ技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微硅麦克风，包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，两膜之间留有空隙，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在单晶硅薄膜和多晶硅薄膜之间还设有绝缘层，绝缘层上设抗腐蚀层，其特征在于：在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，加强筋结构镶嵌在释放孔中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张大成，胡维，乔东海，李婷，王玮，田大宇，罗葵，李静，阮勇，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]