单片硅基微型电容式麦克风及其制作方法技术

本发明专利技术属电声技术领域，具体为一种结构新型的单片硅基微型电容式麦克风。其中，振膜采用弹性系数高的单晶硅膜制作，背极板采用聚酰亚胺厚膜制成，振膜电极和背电极均采用浓硼埋层电极引出，仅在热压脚上制作厚度大于１μｍ的金属层。在背极板上有微型声学孔。此外，在形成振膜的单晶硅衬底正面集成一个ＪＦＥＴ源极跟随器，以达到阻抗变换的目的。单晶硅膜的释放采用ＨＦ汽相腐蚀工艺，在振膜与背极板之间不会产生粘连现象，使芯片成品率大大提高。本发明专利技术提出的单片硅基微型电容式麦克风，制作工艺简单，成品率高，生产成本低，适宜于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单片硅基微型电容式麦克风，其特征在于其芯片包括一个Ｎ↑［－］型或Ｐ↑［－］型硅基片（１）、在硅基片（１）的正面经扩散硼形成的高电导的硅单晶振膜（２）、一个背极板（６）和一个出背极板（６）支撑的背电极（５），其中，硅基片（１）背面具有方形开口（３），深度到达硅单晶振膜（２）；在硅基片（１）背面有一层二氧化硅和氮化硅的复合膜（４）作为保护层；硅基片（１）正面沉积有１－５μｍ的ＳｉＯ↓［２］作牺牲层，在牺牲层上沉积有低阻多晶硅作背电极（５）；在背电极上面有耐高温的聚酰亚胺膜作背极板（６），厚度为６－１０微米；背极板（６）上面开有孔径为Φ５－１０微米、孔间距≤５－１０微米的大量圆形声学孔（７）；背...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈绍群，夏钟福，王丽，李军，胡绘钧，胡宗保，冯艺，纪新明，
申请(专利权)人：复旦大学，深圳豪恩电声科技有限公司，同济大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]