低维材料电学性能变温测试台及变温测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及低维材料电学性能变温测试台及变温测试装置，包括样品台，样品台上设置有凹槽，凹槽内设置有垫片，待测样品设置在垫片上；电极掩模板，覆盖设置在所述待测样品上；金属屏蔽环，其外径不大于所述垫片的外径，所述电极掩模板的外径小于所述金属屏蔽环的内径，且金属屏蔽环与垫片相抵接；探针，设置有至少四个，所述至少四个探针均沿所述凹槽周向设置在所述样品台上，所述电极掩模板上设置有至少四个探针孔，所述待测样品的电极端设置在所述探针孔内，所述探针的针尖穿过所述探针孔与所述待测样品的电极端相抵接，所述探针的另一端固定设置在所述样品台上。本发明专利技术易于精确定位，实验测试结果准确，测试效率较高。测试效率较高。测试效率较高。

【技术实现步骤摘要】
低维材料电学性能变温测试台及变温测试装置


[0001]本专利技术涉及材料电学性能测试
，尤其是指低维材料电学性能变温测试台及变温测试装置。

技术介绍

[0002]不同的材料具有不同的物化性质，使用未知物化性质的材料制造的器件不管是对精密度、还是对使用者的安全都会存在隐患，因此在科研领域中，需要将材料表征，即通过各种物理、化学等测试方法，揭示和确定材料的结构特征，材料被表征后，才能够被人们放心、安全的应用于各个领域中。而对材料电学性能的测量，是材料的表征中重要的一环，对人们探索和理解材料物理性能起到指导作用，通常采用电学性能测试装置对材料的电学性能、如电阻和介电等进行测试。
[0003]现有常规电学性能测试装置在面对低维材料，如纳米线、薄膜等的时候，由于低维材料特殊的晶体结构：体积小、基片影响大、表面电导率高等等，导致常规电学性能测试装置无法精确定位低维材料样品的电极位置，因此无法对低维材料的电学性能进行高效并准确的测量。

技术实现思路

[0004]为此，本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中，提供一种低维材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低维材料电学性能变温测试台，其特征在于，包括：样品台，所述样品台上设置有凹槽，所述凹槽内设置有垫片，待测样品设置在所述垫片上；电极掩模板，所述电极掩模板覆盖设置在所述待测样品上；金属屏蔽环，所述金属屏蔽环的外径不大于所述垫片的外径，所述电极掩模板的外径小于所述金属屏蔽环的内径，且所述金属屏蔽环与所述垫片相抵接；探针，所述探针设置有至少四个，所述至少四个探针均沿所述凹槽周向设置在所述样品台上，所述电极掩模板上设置有至少四个探针孔，所述待测样品的电极端设置在所述探针孔内，所述探针的针尖穿过所述探针孔与所述待测样品的电极端相抵接，所述探针的另一端固定设置在所述样品台上。2.根据权利要求1所述的低维材料电学性能变温测试台，其特征在于：所述垫片上设置有多个点电极，所述待测样品的电极端固定设置在所述点电极上，所述探针与所述点电极相抵接。3.根据权利要求1所述的低维材料电学性能变温测试台，其特征在于：所述探针远离针尖的一端通过螺丝固定设置在所述样品台上。4.根据权利要求2所述的低维材料电学性能变温测试台，其特征在于：所述探针远离针尖的一端上设置有螺丝滑移孔。5.根据权利要求1所述的低维材料电学性能变温测试台，其特征在于：所述探针设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤如俊，徐一锋，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：