【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板以及包括薄膜晶体管基板的显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年9月3日提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0117990以及2021年12月31日提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0194208的优先权权益,通过引用将这些专利申请并入本文,如同在本文完全阐述一样。
[0003]本专利技术涉及一种薄膜晶体管基板以及包括薄膜晶体管基板的显示装置。
技术介绍
[0004]随着多媒体的发展,显示装置变得越来越重要,并且平板显示装置比如液晶显示装置、等离子体显示装置和有机发光显示装置已经投入商业使用。
[0005]具有各种功能的薄膜晶体管设置在平板显示装置中。例如,有机发光显示装置包括用于驱动像素的驱动晶体管和用于控制驱动晶体管的开关晶体管。为了改进显示质量并有效地控制像素的发光,各种薄膜晶体管比如用于控制发光的晶体管和用于感测晶体管的功能的晶体管可设置在显示装置中。 />[0006]近来本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板,包括:在基础基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中所述第一薄膜晶体管包括:在所述基础基板上的第一有源层;以及与所述第一有源层分隔开的第一栅极,其中所述第二薄膜晶体管包括:在所述基础基板上的第二有源层;与所述第二有源层分隔开的第二栅极;以及在所述第二有源层和所述第二栅极之间的辅助栅极,其中所述第一有源层和所述第二有源层形成为一体并且彼此连接,所述辅助栅极与所述第一栅极形成为一体并且与所述第二有源层和所述第二栅极分隔开,所述第二栅极与所述辅助栅极的至少一部分交叠。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中与施加给所述第一栅极的电压相同的电压被施加给所述辅助栅极。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中所述第一薄膜晶体管被配置为在所述第二薄膜晶体管导通时导通。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中在第二栅极电压被施加给所述第二栅极时,第一栅极电压被施加给所述第一栅极。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中所述第二有源层包括:沟道部;与所述沟道部的一侧接触的第一连接部;以及与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部,所述沟道部的一部分与所述辅助栅极交叠,所述沟道部的另一部分不与所述辅助栅极交叠。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中所述沟道部的不与所述辅助栅极交叠的另一部分与所述第二栅极交叠。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中所述沟道部的面向所述第一连接部的部分与所述辅助栅极交叠,并且不与所述第二栅极交叠。8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中所述沟道部的面向所述第二连接部的部分与所述辅助栅极交叠,并且不与所述第二栅极交叠。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中所述第一有源层和所述第二有源层包含IGZO(InGaZnO)基氧化物半导体材料、IZO(InZnO)基氧化物半导体材料、IGZTO(InGaZnSnO)基氧化物半导体材料、ITZO(InSnZnO)基氧化物半导体材料、FIZO(FeInZnO)基氧化物半导体材料、ZnO基氧化物半导体...
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