一种溅射靶材用高纯度高分散钼粉及其工艺制备方法技术

本发明专利技术公开了一种溅射靶材用高纯度高分散钼粉及其工艺制备方法。所述工艺制备方法包括：在内衬TiO2的回转炉中对纯度为5N级的三氧化钼进行一段还原，得到还原的二氧化钼；将还原的二氧化钼在十五管还原炉中进行二段还原，得到所述高纯度高分散钼粉。本发明专利技术可通过简单的两段还原工艺，得到纯度达到5N级、颗粒分散均匀、且颗粒粒径在3.0~6.0um范围内可调节的高纯度高分散钼粉。高纯度高分散钼粉。

【技术实现步骤摘要】
一种溅射靶材用高纯度高分散钼粉及其工艺制备方法


[0001]本专利技术涉及溅射靶材用钼粉的


技术介绍

[0002]钼溅射靶材作为溅射中的阴极源，其材料中的杂质和气孔中的氧气、水汽是沉积薄膜的主要污染源，当受污染的薄膜应用于电子行业时，若其存在易在绝缘层中成为可移动性离子的碱金属离子（如Na
+
、K
+
），则会降低元器件性能，若存在铁、镍等离子，则会产生界面漏电及氧元素增加等，因此，高纯度是对钼溅射靶材的一个基本特性要求。钼靶材的纯度越高，溅射薄膜的性能越好。一般钼溅射靶材的纯度至少需要达到99.95%，但随着LCD行业玻璃基板尺寸的不断提高，要求配线的长度延长、线宽变细，为了保证薄膜的均匀性以及布线的质量，对钼溅射靶材的纯度的要求也相应提高。因此，根据溅射玻璃基板的尺寸以及使用环境，钼溅射靶材的纯度要求提高到了99.99%~99.999%甚至更高。
[0003]若要制备99.99%~99.999%及以上纯度的钼粉，则需要99.99%~99.999%及以上纯度的三氧化钼为原料。但在高纯度三氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅射靶材用高纯度高分散钼粉的工艺制备方法，其特征在于，其包括：对纯度为5N级的三氧化钼进行一段还原，得到还原的二氧化钼；将所述还原的二氧化钼进行二段还原，得到所述高纯度高分散钼粉；其中，所述一段还原在内衬二氧化钛的回转炉中进行，还原剂使用高纯氢气，还原中分五个温区进行加热，各温区温度分别为：420℃、500℃、570℃、640℃、640℃，氢气流量为80m3/h，氢气露点为：
‑
20～
‑
10℃；所述二段还原在十五管还原炉中进行，还原剂使用高纯氢气，还原中分三个温区进行加热，加热温度分别为：800～1000℃、850～1100℃、1050～1100℃，氢气流量为12～20m3/h，氢气露点为：
‑
5～
‑
10℃。2.根据权利要求1所述的工艺制备方法，其特征在于，所述一段还原中，炉管转速设置为5r/min，进料电机转速设置为80kg/h。3.根据权利要求1所述的工艺制备方法，其特征在于，所述二段还原中，装舟量设置为1.0～1.8kg，推舟速度设置15～20min。4.根据权利要求1所述的工艺制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖俊虎，韩珍珍，熊峰，蒋月冰，余伟，
申请(专利权)人：成都虹波实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：