【技术实现步骤摘要】
一种微纳尺度片层状锂硼碳材料的制备方法
[0001]本专利技术属于半导体材料制
,具体涉及一种微纳尺度片层状锂硼碳材料的制备方法。
技术介绍
[0002]LiBC是由交错排列的六边形蜂窝状硼碳层及在其中心的锂原子层组成,其本身是一种半导体材料。但是,锂缺失会产生空穴掺杂效应,LiBC的部分σ电子会穿越费米能级,产生超导现象。Pickett曾预言,当空穴掺杂量(锂原子缺失)达到50%时,Li
0.5
BC的电
‑
声耦合作用要大大高于MgB2,其理论超导温度可达到100K。B.Johanson等人使用第一性原理计算的方法研究了Li
x
BC中Li的掺杂量(x)对电
‑
声耦合系数(λ)的影响。此时,理论计算得出的Li
x
BC超导转变温度为68K。当LiBC的物理尺寸下降到单层时,其理论的超导转变温度可达到70K。
[0003]然而,由于锂缺失程度无法实现精准控制,往往导致硼碳层结构被破坏,故而无法实现超导。目前,多采用高温固相法来合 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微纳尺度片层状锂硼碳材料的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、在充满惰性气体的手套箱中,将氢化锂、硼粉和纳米碳粉在玛瑙研钵中混合后进行研磨,得到混合粉体;步骤二、在充满惰性气体的手套箱中,将步骤一中得到的混合粉体放入压片模具后进行压制,得到原料圆片;步骤三、将步骤二中得到的原料圆片放入铌坩埚内,然后在流通的氩气气氛下进行高温烧结;步骤四、将步骤三中高温烧结后的铌坩埚放入充满惰性气体的手套箱中打开,得到片层状锂硼碳材料;所述片层状锂硼碳材料的片层横向尺寸为200nm~2μm。2.根据权利要求1所述的一种微纳尺度片层状锂硼碳材料的制备方法,其特征在于,步骤一中所述氢化锂的平均颗粒尺寸小于5μm,所述硼粉的平均颗粒尺寸为200nm~500nm,所述硼粉为质量纯度大于99.9%的高纯硼...
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