一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，包括传感器芯片，以及用于安装传感器芯片的外壳，以及将传感器芯片封装在外壳内的上壳；传感器芯片包括硼硅感压膜、硅基底和玻璃基底，三者至上而下依次连接；硅基底的一面设有腔体，硅基底将设有腔体一面与硼硅感压膜直接键合，形成真空参考腔；真空参考腔内设有抽气孔，通过硅基底的另一面与玻璃基底阳极键合封堵抽气孔，真空参考腔形成高真空。本发明专利技术通过在真空参考腔内部设有抽气孔，将形成真空参考腔的技术转变为硅

【技术实现步骤摘要】
一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器


[0001]本专利技术属于属于MEMS微机械加工领域和真空计量
，具体涉及一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器。

技术介绍

[0002]基于微机电系统(MEMS)压力传感器作为当今发展最快的压力传感器件之一，因其体积小、重量轻、成本低、易于集成和批量生产等优势，在一些领域逐步取代了传统的机械式压力传感器。MEMS 电容式真空传感器作为MEMS压力传感器的一员，主要用于大气压以下压力的测试，其具有灵敏度高、温度漂移低、直流响应好和功耗低等特性，因此，在各种MEMS 压力传感器的研究中越来越受到研究者的关注。
[0003]由于小量程压力测试对灵敏度的要求较高，对于MEMS电容薄膜真空传感器的研究较少，在提高压力灵敏度的同时，仍然面临着测量下限大于1000Pa、分辨率低、大量程压力时感压膜易破损等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对上述的不足之处提供一种分辨率高、灵敏度高的绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器。
[0005]本专利技术目的是这样实现的：一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，包括传感器芯片（1），以及用于安装传感器芯片的外壳（500），以及将传感器芯片（1）封装在外壳内的上壳（400）；其特征在于：所述传感器芯片（1）包括硼硅感压膜(11)、硅基底(12)和玻璃基底(13)，三者至上而下依次连接；所述硅基底(12)的一面设有腔体，硅基底(12)将设有腔体一面与硼硅感压膜(11)直接键合，并形成真空参考腔（123）；所述真空参考腔内（123）设有抽气孔（121），通过硅基底(12)的另一面与玻璃基底(13)阳极键合封堵抽气孔（121），真空参考腔（123）形成高真空；所述真空参考腔（123）内的下端面设有下电极（124），硼硅感压膜(11)的下端面设有绝缘层（114）；所述绝缘层（114）、下电极（124）与硼硅感压膜(11)构成电容结构；所述硼硅感压膜(11)上设有上引线电极（112）；所述硅基底(12)上在设有下引线电极（122）。2.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述硼硅感压膜(11)上设有保护环（113），保护环（113）将硼硅感压膜(11)与硅基底(12)分开。3.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述硼硅感压膜(11) 的基底材料为硼掺杂的晶圆级P型硅，电阻率＜0.006Ω
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cm。4.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述硼硅感压膜(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：许马会，冯勇建，单文桃，韩振华，韩晓东，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：