一种微波介质陶瓷电镀方法技术

本发明专利技术涉及陶瓷电镀技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷电镀方法；将陶瓷依次进行磁控溅射钛和磁控溅射铜，在陶瓷表面形成钛层和第一铜层，得到第一处理物，将第一处理物依次进行电镀银和电镀铜，在第一处理物的表面形成第一银层和第二铜层，得到第二处理物，将第二处理物进行电镀银，在第二处理物的表面形成第二银层，得到电镀后的微波介质陶瓷，通过依次进行磁控溅射钛、铜，再依次电镀银、铜，最后进行电镀银，提高电镀后的微波介质陶瓷的稳定性强，实现电镀后的微波介质陶瓷满足射频电性能指标及附着力指标要求。指标及附着力指标要求。指标及附着力指标要求。

【技术实现步骤摘要】
一种微波介质陶瓷电镀方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷电镀
，尤其涉及一种微波介质陶瓷电镀方法。

技术介绍

[0002]陶瓷为无机非金属材料，部分工业应用为了在非金属表面金属化，采用磁控溅射法、化学电镀法、化学溶液镀法、金属浆料烧渗法、蒸镀法、离子镀膜法、DBC直接覆铜法等，为了满足高端客户刚需的射频性能指标及高要求物理性能指标，在微波介质陶瓷上采用磁控溅射镀后电镀增厚技术，完成陶瓷非金属表面金属化，弥补了磁控溅射成本及效率短板，也同时保证了非金属样件在量产应用的稳定性。
[0003]目前在陶瓷非金属表面金属化的过程中，磁控溅射金属后，直接在钛上进行电镀铜，再进行电镀银，上述方式中，得到的电镀后的微波介质陶瓷，无法满足射频电性能指标及附着力指标要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种微波介质陶瓷电镀方法，旨在解决现有技术中的电镀后的微波介质陶瓷，无法满足射频电性能指标及附着力指标要求的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的一种微波介质陶瓷电镀方法，包括如下步骤：
[0006]将陶瓷依次进行磁控溅射钛和磁控溅射铜，在陶瓷表面形成钛层和第一铜层，得到第一处理物；
[0007]将所述第一处理物依次进行电镀银和电镀铜，在所述第一处理物的表面形成第一银层和第二铜层，得到第二处理物；
[0008]将所述第二处理物进行电镀银，在所述第二处理物的表面形成第二银层，得到电镀后的微波介质陶瓷。
[0009]其中，在将所述第二处理物进行电镀银，在所述第二处理物的表面形成第二银层，得到电镀后的微波介质陶瓷的步骤中：
[0010]所述第一银层的厚度小于所述第二银层的厚度。
[0011]其中，在将陶瓷依次进行磁控溅射钛和磁控溅射铜，在陶瓷表面形成钛层和第一铜层，得到第一处理物的步骤中，磁控溅射过程为：
[0012]用50℃～80℃热水超声波清洗陶瓷3min，去除陶瓷表面的脏污及油脂；
[0013]用50℃～80℃去离子水清洗陶瓷3min，去除陶瓷表面附着的残余热水；
[0014]在温度为110℃～150℃的环境下，对陶瓷进行30min的烘干，烘干陶瓷表面水分，待陶瓷冷却至常温，在无尘车间内周转陶瓷；
[0015]将磁控溅射设备内空气后抽出，并注入氩气，开始对陶瓷表面进行磁控溅射；
[0016]在磁控溅射设备内设置温度参数250℃～300℃，溅射时间为60min～150min，对陶瓷进行钛轰击附着，在陶瓷表面形成所述钛层；
[0017]更换铜靶材，在磁控溅射设备内设置温度参数250℃～300℃，溅射时间为60min～
150min，对陶瓷进行铜轰击附着，在所述钛层上形成所述第一铜层，得到所述第一处理物；
[0018]测试所述钛层和所述第一铜层的膜厚，保证所述钛层厚为0.1μm～0.3μm之间，所述第一铜层厚为0.3μm～0.8μm之间；
[0019]等待所述第一处理物冷却至常温后，将所述第一处理物进行真空包装周转。
[0020]其中，在将所述第一处理物依次进行电镀银和电镀铜，在所述第一处理物的表面形成第一银层和第二铜层，得到第二处理物的步骤中，电镀过程为：
[0021]用50℃～80℃热水超声波清洗所述第一处理物3min，去除所述第一处理物表面的脏污及油脂；
[0022]用50℃～80℃去离子水清洗所述第一处理物3min，去除所述第一处理物表面附着的残余热水；
[0023]在温度为20℃～30℃下将所述第一处理物进行预镀化学银，在所述第一处理物的表面形成所述第一银层，预镀时间为1min～5min，所述第一银层厚为0.5μm
‑
1μm；
[0024]使用去离子水对所述第一处理物进行清洗，去离子水温度为20℃～30℃，清晰时间为1min；
[0025]采用微酸活化所述第一处理物的表面，活化温度为20℃～30℃，活化时间为1min；
[0026]将20g/L～60g/L焦铜溶液和250g/L～450g/L焦磷酸钾溶液混合，在温电镀度为50℃～80℃，电镀时间为60min下，在所述第一处理物表面进行电镀焦铜，在所述第一银层上形成所述第二铜层，所述第二铜层膜厚为6μm～15μm，得到所述第二处理物。
[0027]其中，在所述第二处理物的表面形成第二银层，得到电镀后的微波介质陶瓷的步骤中，电镀过程为：
[0028]在氰化银钾溶液内对所述第二处理物进行电镀银，在所述第二处理物的表面形成所述第二银层，得到电镀后的所述微波介质陶瓷，电镀温度为20℃～30℃，电镀时间为5min～15min，所述第二银层为1μm～5μm；
[0029]在烘干温度为110℃～150℃，烘干时间为30min下，烘干所述微波介质陶瓷的表面。
[0030]其中，在烘干温度为110℃～150℃，烘干时间为30min下，烘干所述微波介质陶瓷的表面的步骤之后：
[0031]等待所述微波介质陶瓷冷却至常温，测试所述微波介质陶瓷。
[0032]本专利技术的一种微波介质陶瓷电镀方法，首先将陶瓷依次进行磁控溅射钛和磁控溅射铜，在陶瓷表面形成所述钛层和所述第一铜层，得到所述第一处理物，然后将所述第一处理物依次进行电镀银和电镀铜，在所述第一处理物的表面形成所述第一银层和所述第二铜层，得到所述第二处理物，最后将所述第二处理物进行电镀银，在所述第二处理物的表面形成所述第二银层，得到电镀后的所述微波介质陶瓷，通过依次进行磁控溅射钛、铜，再依次电镀银、铜，最后进行电镀银，提高电镀后的所述微波介质陶瓷的稳定性强，实现电镀后的微波介质陶瓷满足射频电性能指标及附着力指标要求。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本专利技术的微波介质陶瓷电镀方法的步骤流程图。
[0035]图2是本专利技术的对陶瓷进行磁控溅射的步骤流程图。
[0036]图3是本专利技术的对第一处理物进行电镀的步骤流程图。
[0037]图4是本专利技术的对第二处理物进行电镀的步骤流程图。
具体实施方式
[0038]请参阅图1至图4，其中图1是微波介质陶瓷电镀方法的步骤流程图，图2是对陶瓷进行磁控溅射的步骤流程图，图3是对第一处理物进行电镀的步骤流程图，图4是对第二处理物进行电镀的步骤流程图。
[0039]本专利技术提供了一种微波介质陶瓷电镀方法，包括如下步骤：
[0040]S1：将陶瓷依次进行磁控溅射钛和磁控溅射铜，在陶瓷表面形成钛层和第一铜层，得到第一处理物；
[0041]S2：将所述第一处理物依次进行电镀银和电镀铜，在所述第一处理物的表面形成第一银层和第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波介质陶瓷电镀方法，其特征在于，包括如下步骤：将陶瓷依次进行磁控溅射钛和磁控溅射铜，在陶瓷表面形成钛层和第一铜层，得到第一处理物；将所述第一处理物依次进行电镀银和电镀铜，在所述第一处理物的表面形成第一银层和第二铜层，得到第二处理物；将所述第二处理物进行电镀银，在所述第二处理物的表面形成第二银层，得到电镀后的微波介质陶瓷。2.如权利要求1所述的微波介质陶瓷电镀方法，其特征在于，在将所述第二处理物进行电镀银，在所述第二处理物的表面形成第二银层，得到电镀后的微波介质陶瓷的步骤中：所述第一银层的厚度小于所述第二银层的厚度。3.如权利要求1所述的微波介质陶瓷电镀方法，其特征在于，在将陶瓷依次进行磁控溅射钛和磁控溅射铜，在陶瓷表面形成钛层和第一铜层，得到第一处理物的步骤中，磁控溅射过程为：用50℃～80℃热水超声波清洗陶瓷3min，去除陶瓷表面的脏污及油脂；用50℃～80℃去离子水清洗陶瓷3min，去除陶瓷表面附着的残余热水；在温度为110℃～150℃的环境下，对陶瓷进行30min的烘干，烘干陶瓷表面水分，待陶瓷冷却至常温，在无尘车间内周转陶瓷；将磁控溅射设备内空气后抽出，并注入氩气，开始对陶瓷表面进行磁控溅射；在磁控溅射设备内设置温度参数250℃～300℃，溅射时间为60min～150min，对陶瓷进行钛轰击附着，在陶瓷表面形成所述钛层；更换铜靶材，在磁控溅射设备内设置温度参数250℃～300℃，溅射时间为60min～150min，对陶瓷进行铜轰击附着，在所述钛层上形成所述第一铜层，得到所述第一处理物；测试所述钛层和所述第一铜层的膜厚，保证所述钛层厚为0.1μm～0.3μm之间，所述第一铜层厚为0.3μm～0.8μm之间；等待所述第一处理物冷却至常温后，将所述第一处理物进行真空包装周转。4.如权利要求1所述的微波介质陶瓷电镀方法，其特征在于，在将所述第一处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩哲，周陈欢，
申请(专利权)人：南京以太通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：