一种多波长激光器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多波长激光器及其制备方法及应用，该多波长激光器至少由封装衬底、热电冷却器、基板、载片以及激光器芯片构成，其中激光器芯片至少由以下部件依次构成：半导体衬底、分布反馈式Ｂｒａｇｇ光栅、下包层、下势垒层、激活区、上势垒层、上包层、分布反馈式Ｂｒａｇｇ光栅和金属电极，在激活区内设置有有源增益介质，其由多个预定的半导体介质材料的、由组分及尺寸调制的量子点带构成，每个量子点带内包含有多个尺寸相同且分布均匀的量子点；多个量子点带呈一字布列，每个量子点带对应不同的激射波长，且各个量子点带中的量子点的尺寸均不相同；本发明专利技术具有波长选择性好、量子转换效率高、输出光功率高等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多波长激光器，其特征在于，所述激光器从下至上至少由封装衬底、热电冷却器、基板、载片以及激光器芯片构成，其中，所述激光器芯片至少由以下部件依次构成：半导体衬底、分布反馈式Ｂｒａｇｇ光栅、下包层、下势垒层、激活区、上势垒层、上包层、分布反馈式Ｂｒａｇｇ光栅和金属电极，其中，所述激活区内设置有有源增益介质，所述有源增益介质由多个预定的半导体介质材料的、由组分及尺寸调制的量子点带构成，每个量子点带内包含有多个尺寸相同且分布均匀的量子点；所述多个量子点带呈一字布列，每个量子点带对应不同的激射波长，且各个量子点带中的量子点的尺寸均不相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄少华，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]