半导体封装装置制造方法及图纸

本申请涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：基板；导电垫，位于基板上并且具有各向异性晶体结构；电连接线，与导电垫电接触。该半导体封装装置利用具有高度定向结构的各向异性晶体形成导电垫，能够提高导电垫的致密度，降低导电垫表面的氧化层厚度，有利于提高导电垫和电连接线的接合强度，以及提高导电垫和电连接线的接合品质。和电连接线的接合品质。和电连接线的接合品质。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置


[0001]本申请涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置。

技术介绍

[0002]目前打线(Wire Bonding)制程中主要由芯片上的铝垫打线至基板上，芯片的铝垫与铜线的材料不同，因此铝垫会因不同金属间的电位差在有湿度的环境中出现电解腐蚀现象。此外，不同金属之间会形成金属间化合物(IntermetallicCompound，IMC)，消耗铝垫的材料，导致铝垫脆化，造成后续可靠度问题。此外，金属间化合物的形成会使铝垫中出现孔洞，造成铝垫的阻抗增大，影响结构的导电性。
[0003]若将铝垫改为与铜线相同的材料(即铜垫)，由于铜容易氧化，铜垫表面的氧化层会影响铜线与铜垫的接合，降低接合的品质。
[0004]若在铜垫表面电镀抗氧化层(例如镍层)避免铜氧化，其成本较高，并且还是会在铜垫与抗氧化层之间形成金属间化合物。
[0005]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

[0006]本申请提供了一种半导体封装装置，用于提高导电垫和电连接线的接合品质。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：基板；导电垫，位于所述基板上并且具有各向异性晶体结构；电连接线，与所述导电垫电接触；所述各向异性晶体结构为高度定向结构；所述导电垫的表面具有氧化层，所述电连接线穿过所述氧化层。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述高度定向结构的晶体方向为(1,1,1)方向。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述各向异性晶体结构为纳米孪晶结构。4.根据权利要求1所述的半导体封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：林而儒，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：