一种存储器的模式调整方法、存储器以及电子设备技术

本申请公开了一种存储器的模式调整方法、存储器以及电子设备，该存储器的模式调整方法包括：存储器触发进入预设模式；检测预设信号线的电压情况；判断电压情况是否满足预设电压情况；若不满足，则退出预设模式。上述方法，能够减小因为误触进入预设模式导致存储器初始化失败的概率。化失败的概率。化失败的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器的模式调整方法、存储器以及电子设备


[0001]本申请涉及存储
，特别是涉及一种存储器的模式调整方法、存储器以及电子设备。

技术介绍

[0002]目前电子存储设备已经广泛应用在人们生活的各个方面，SD卡种类也变的越来越多，功能也变得越来越复杂，LVS(Low Voltage Signaling，低电压信号)是发展中比较重要的一种功能；设备端在支持LVS功能的SD卡时，根据SD协议LVS触发的条件，SD卡识别不精确的情况下，可能误进入LVS mode，从而导致设备端与SD卡端初始化模式不匹配，导致SD卡上盘失败。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种存储器的模式调整方法、存储器以及电子设备。
[0004]为解决上述技术问题，本申请采用的技术方案包括：提供一种存储器的模式调整方法，方法包括：存储器触发进入预设模式；检测预设信号线的电压情况；判断电压情况是否满足预设电压情况；若不满足，则退出预设模式。
[0005]其中，检测预设信号线的电压情况，包括：检测存储器进入预设模式后的第一预设时间段内预设信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的模式调整方法，其特征在于，所述方法包括：存储器触发进入预设模式；检测预设信号线的电压情况；判断所述电压情况是否满足预设电压情况；若不满足，则退出所述预设模式。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测预设信号线的电压情况，包括：检测所述存储器进入预设模式后的第一预设时间段内所述预设信号线的第一电压值；所述判断所述电压情况是否满足预设电压情况，包括：判断所述第一电压值与所述第一预设电压值是否相等，其中，所述第一预设电压值表示与所述存储器连接的设备端进入预设模式后的第一预设时间段内的电压值；若不相等，则确定所述电压情况不满足所述预设电压情况。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判断所述电压情况是否满足预设电压情况，还包括：若所述第一电压值与所述第一预设电压值相等，则检测所述存储器进入预设模式后的第二预设时间段内所述预设信号线的第二电压值；判断所述第二电压值与所述第二预设电压值是否相等，其中，所述第二预设电压值表示所述设备端进入预设模式后的第二预设时间段内的电压值，所述第一预设时间段与所述第二预设时间段不同，所述第一预设电压值与所述第二预设电压值不同；若所述第二电压值与所述第二预设电压值不相等，则确定所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓恩华，林杰华，胡震江，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：