半导体制冷片辅助电路及除湿机制造技术

本实用新型专利技术涉及电路技术领域，公开了一种半导体制冷片辅助电路，半导体制冷片辅助电路包括：第一供电电路、第二供电电路，第一供电电路与第二供电电路并联；第一供电电路、第二供电电路的输入端分别与外部信号控制端连接；第一供电电路的正极输出端、第二供电电路的负极输出端分别与半导体制冷片的一极连接，第一供电电路的负极输出端、第二供电电路的正极输出端分别与半导体制冷片的另一极连接；当外部信号控制端输入电平信号时，第一供电电路或第二供电电路导通。当第一供电电路导通时，制冷片进行制冷，当第二供电电路导通时，制冷片进行制热，从而实现了控制半导体制冷片的冷热面交换，进而提高除湿机的工作效率。进而提高除湿机的工作效率。进而提高除湿机的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体制冷片辅助电路及除湿机


[0001]本技术涉及电路领域，尤其涉及一种半导体制冷片辅助电路及除湿机。

技术介绍

[0002]在现有的技术中，除湿机又称为抽湿机、干燥机、除湿器，根据生活或者生产中对空气中水汽含量的要求而将空气中多余水汽去除，其原理是通过除湿器将空气中多余水蒸汽冷凝为水，使空气含量减少，使之符合要求。目前，家居除湿的常用方法有电力智能制冷除湿。电力智能制冷除湿是通过主动将密闭空间的潮湿空气在风扇的作用下吸入除湿风道，空气中的水汽经过半导体制冷芯片后冷凝成水，再通过导水管排出柜体，可以达到很好的除湿效果。其以除湿效果好、除湿量大、能长期使用等明显优势而越发受到人们的喜爱。
[0003]但是，在目前的电力智能制冷除湿器中，由于半导体制冷芯片在工作一段时间后会凝霜，影响半导体制冷芯片的制冷效果，进而影响除湿器的工作效率，使除湿器的工作效率低下。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种半导体制冷片辅助电路及除湿机，旨在解决现有技术中基于半导体制冷片的除湿器工作效能低下的的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术一方面提供一种半导体制冷片辅助电路，半导体制冷片辅助电路包括：第一供电电路、第二供电电路；
[0006]所述第一供电电路与所述第二供电电路并联；所述第一供电电路、所述第二供电电路的信号输入端分别与外部信号控制端连接；所述第一供电电路、所述第二供电电路的电源接入端分别与外部电源连接；所述第一供电电路的正极输出端、所述第二供电电路的负极输出端分别与所述半导体制冷片的一极连接，所述第一供电电路的负极输出端、所述第二供电电路的正极输出端分别与所述半导体制冷片的另一极连接；当所述外部信号控制端输入电平信号时，所述第一供电电路或所述第二供电电路导通，以向所述半导体制冷片供电。
[0007]可选的，所述第一供电电路包括：第一三极管、第一正极输出电路、第一负极输出电路；
[0008]所述第一三极管分别与所述第一正极输出电路、所述第一负极输出电路串联，所述第一正极输出电路与所述第一负极输出电路并联；所述第一三极管的基极与所述外部信号控制端连接，所述第一三极管的集电极与外部电源连接，所述第一三极管的发射极接地；所述第一正极输出电路的输入端与所述第一三极管的发射极连接、输出端接外部电源并与所述半导体制冷片的正极连接，所述第一负极输出电路的输入端与所述第一三极管的发射极连接、输出端接地并与所述半导体制冷片的负极连接。
[0009]可选的，所述第二供电电路包括：第二三极管、第二正极输出电路、第二负极输出电路；
[0010]所述第二三极管分别与所述第二正极输出电路、所述第二负极输出电路串联，所述第二正极输出电路与所述第二负极输出电路并联；所述第二三极管的基极与所述外部信号控制端连接，所述第二三极管的集电极与外部电源连接，所述第二三极管的发射极接地；所述第二正极输出电路的输入端与所述第二三极管的集电极连接、输出端接外部电源并与所述半导体制冷片的负极连接，所述第二负极输出电路的输入端与所述第二三极管的集电极连接、输出端接地并与所述半导体制冷片的正极连接。
[0011]可选的，所述第一正极输出电路包括第三三极管、第一MOS管，所述第一负极输出电路包括第四三极管、第二MOS管；
[0012]所述第三三极管的基极作为所述第一正极输出电路的输入端与所述第一三极管的发射极连接，所述第三三极管的集电极与外部电源连接，所述第三三极管的发射极与所述第一MOS管串联；
[0013]所述第四三极管的基极作为所述第一负极输出电路的输入端与所述第一三极管的发射极连接，所述第四三极管的集电极与外部电源连接，所述第四三极管的发射极与所述第二MOS管串联。
[0014]可选的，所述第二正极输出电路包括第五三极管、第三MOS管，所述第二负极输出电路包括第六三极管、第四MOS管；
[0015]所述第五三极管的基极作为所述第二正极输出电路的输入端与所述第二三极管的集电极连接，所述第五三极管的集电极与外部电源连接，所述第五三极管的发射极与所述第三MOS管串联；
[0016]所述第六三极管的基极作为所述第二负极输出电路的输入端与所述第二三极管的集电极连接，所述第六三极管的集电极与外部电源连接，所述第六三极管的发射极与所述第四MOS管串联。
[0017]可选的，所述第三三极管的发射极与所述第一MOS管串联，即为所述第三三极管的发射极与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极与外部电源连接，所述第一MOS管的漏极作为所述第一正极输出电路的输出端与所述半导体制冷片的正极连接；
[0018]可选的，所述第四三极管的发射极与所述第二MOS管串联，即为所述第四三极管的发射极与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极作为所述第二负极输出电路的输出端与所述半导体制冷片的负极连接。
[0019]可选的，所述第五三极管的发射极与所述第一MOS管串联，即为所述第五三极管的发射极与所述第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的源极与外部电源连接，所述第三MOS管的漏极作为所述第二正极输出电路的输出端与所述半导体制冷片的负极连接；
[0020]可选的，所述第六三极管的发射极与所述第四MOS管串联，即为所述第六三极管的发射极与所述第四MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的源极接地，所述第四MOS管的漏极作为所述第二负极输出电路的输出端与所述半导体制冷片的正极连接。
[0021]另一方面提供一种除湿机，包括如上所述的辅助电路。
[0022]本技术提供的技术方案中，在基于半导体制冷片辅助电路的除湿器工作一段时间后，为了防止制冷片冷端凝霜，进而影响除湿器工作效能低下，通过半导体制冷片的正负端加反向电压来控制半导体制冷片的冷热面交换，为原来的冷面加热，从而消除凝霜，进一步提高除湿机除湿效能。
附图说明
[0023]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0024]图1为本技术实施例的电路的结构示意图。
[0025]附图标记：101、第一电阻；102、第二电阻；103、第三电阻；104第四电阻；105、第五电阻；106、第六电阻；107、第七电阻；108、第八电阻； 109、第九电阻；110、第十电阻；111、第十一电阻；201、第一三极管；202、第二三极管；203、第三三极管；204、第四三极管；205、第五三极管；206、第六三极管；301、第一MOS管；302、第二MOS管；303、第三MOS管；304、第四MOS管。
具体实施方式
[0026]为了便于理解本技术，下面结合附图和具体实施例，对本技术进行更详细的说明。需要说明的是，当元件被表述“固定于”另一个元件，它可以直接在另一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷片辅助电路，其特征在于，所述半导体制冷片辅助电路包括：第一供电电路、第二供电电路；所述第一供电电路与所述第二供电电路并联；所述第一供电电路、所述第二供电电路的信号输入端分别与外部信号控制端连接；所述第一供电电路、所述第二供电电路的电源接入端分别与外部电源连接；所述第一供电电路的正极输出端、所述第二供电电路的负极输出端分别与所述半导体制冷片的一极连接，所述第一供电电路的负极输出端、所述第二供电电路的正极输出端分别与所述半导体制冷片的另一极连接；当所述外部信号控制端输入电平信号时，所述第一供电电路或所述第二供电电路导通，以向所述半导体制冷片供电。2.根据权利要求1所述的半导体制冷片辅助电路，其特征在于，所述第一供电电路包括：第一三极管、第一正极输出电路、第一负极输出电路；所述第一三极管分别与所述第一正极输出电路、所述第一负极输出电路串联，所述第一正极输出电路与所述第一负极输出电路并联；所述第一三极管的基极与所述外部信号控制端连接，所述第一三极管的集电极与外部电源连接，所述第一三极管的发射极接地；所述第一正极输出电路的输入端与所述第一三极管的发射极连接、输出端接外部电源并与所述半导体制冷片的正极连接，所述第一负极输出电路的输入端与所述第一三极管的发射极连接、输出端接地并与所述半导体制冷片的负极连接。3.根据权利要求1所述的半导体制冷片辅助电路，其特征在于，所述第二供电电路包括：第二三极管、第二正极输出电路、第二负极输出电路；所述第二三极管分别与所述第二正极输出电路、所述第二负极输出电路串联，所述第二正极输出电路与所述第二负极输出电路并联；所述第二三极管的基极与所述外部信号控制端连接，所述第二三极管的集电极与外部电源连接，所述第二三极管的发射极接地；所述第二正极输出电路的输入端与所述第二三极管的集电极连接、输出端接外部电源并与所述半导体制冷片的负极连接，所述第二负极输出电路的输入端与所述第二三极管的集电极连接、输出端接地并与所述半导体制冷片的正极连接。4.根据权利要求2所述的半导体制冷片辅助电路，其特征在于，所述第一正极输出电路包括第三三极管、第一MOS管，所述第一负极输出电路包括第四三极管、第二MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜学军，沈海彬，谢立明，
申请(专利权)人：深圳市易安电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：