【技术实现步骤摘要】
太赫兹全频段等离子体包覆对材料反射率影响的测定方法
[0001]本专利技术涉及等离子体
，尤其涉及一种太赫兹全频段等离子体包覆对材料反射率影响的测定方法。
技术介绍
[0002]飞行器高速飞行时，飞行器的边界会与大气层发生相互作用，在头部周围形成一个强弓形激波，由于粘性耗散效应和激波的强烈压缩，使其迅速减速，巨大的动能损失中的一部分要转变为激波层内气体的内能，温度的升高致使气体形成等离子。飞行器被等离子体包覆，形成等离子鞘套。等离子的高温效应不仅发生在物面附近的边界层内，而且通过对流热交换以及高温气体的热辐射，致使表面材料升温。太赫兹光波段等离子鞘套包覆飞行器表面隔热材料和吸波材料等复合介质材料的反射率特征不仅依赖于材料的信息和温度分布，还受到等离子的影响。尽管目前提出了很多太赫兹频段等离子传输特性的研究，主要是基于等离子体的透射测量。而对于太赫兹全频段下等离子包覆对于材料反射率影响的研究工作没尚未有成熟的测量方法。
技术实现思路
[0003](一)要解决的技术问题
[0004]本专利技术的目的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太赫兹全频段等离子体包覆对材料反射率影响的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一封闭盒体、一等离子体发生器、一用于固定待测件的支架以及设置在所述封闭盒体内的测量光路，所述支架位于所述封闭盒体内，所述等离子体发生器能够向位于所述支架上的所述待测件提供包覆用的等离子体，所述测量光路能够将进入所述封闭盒体内的太赫兹光波聚焦至所述待测件后再反射至能量收集装置；选择已知反射率的金属板作为参考板，当所述参考板作为待测件时，将其固定在所述支架，向所述测量光路提供准直太赫兹光波，且在未被等离子体包覆情况下，对所述参考板进行测量，所述测量光路能够将太赫兹光波聚集至所述参考板后再反射至所述能量收集装置，获得所述参考板在未被等离子体包覆情况下的反射能量P
参
；待测样品板作为待测件，将所述待测样品板固定在所述支架，在未被等离子体包覆的情况下，对所述待测样品板进行测量，获得所述待测样品板在未被等离子体包覆情况下的反射能量P
待
；打开所述等离子体发生器，将位于所述支架上的所述待测样品板被等离子体包覆，对所述待测样品板进行测量，获得所述待测样品板在被等离子体包覆情况下的反射能量P
′
待
；通过式(1)获得未被等离子包覆时所述待测样品板的反射率：通过式(2)获得被等离子包覆时所述待测样品板的反射率：通过式(3)得到等离子体包覆对样品反射率的影响系数：2.根据权利要求1所述的测定方法，其特征在于：所述封闭盒体内填充有氮气或者干燥空气。3.根据权利要求1所述的测定方法，其特征在于：在所述封闭盒体的侧壁上设有排气扇，用于排出制造等离子体产生的多余气体；所述封闭...
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