一种宽频带吸透一体化频选表面制造技术

本发明专利技术涉及一种宽频带吸透一体化频选表面，包括：第一损耗层，用于对中、高频部分的宽带透波和低频部分的吸波，所述第一损耗层包括阵列排布的m

【技术实现步骤摘要】
一种宽频带吸透一体化频选表面


[0001]本专利技术涉及天线隐身
，具体涉及一种宽频带吸透一体化频选表面。

技术介绍

[0002]随着现代雷达技术的发展，对装备提出了宽频带隐身和双站RCS(Radar Cross section，雷达波散射截面积)减缩的要求，而装备隐身的一个重点在于天线的隐身。传统天线的隐身依赖于频率选择天线罩，它能够依靠本身的外形将雷达波散射到其他方向上，通过降低单站RCS来实现隐身。但是这种天线罩会在特定方向上造成双站RCS的激增，满足不了现代装备的隐身需求。因此为了同时缩减单站和双站RCS，研究人员提出了吸波透波一体化的频率选择表面天线罩(AFSS，Absorptive Frequency Selective Surface)，它能够在通带内实现低损耗传输，同时在通带外实现吸波，通过将电磁波的能量转化为热量来缩减RCS。
[0003]目前的宽频带吸透一体化频选表面采用基于加载方阻膜的开口谐振环的宽频带吸透频选，它由两层不同大小的开口谐振环与底层带通频选组成，分别实现位于低频和高频的吸波带，在中频两层结构单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽频带吸透一体化频选表面，其特征在于，所述宽频带吸透一体化频选表面包括：第一损耗层，用于对中、高频部分的宽带透波和低频部分的吸波，所述第一损耗层包括阵列排布的m
×
n个第一单元；第一泡沫基板，位于所述第一损耗层之下；第二损耗层，位于所述第一泡沫基板之下，用于对中频部分的透波和高频部分的吸波，所述第二损耗层包括阵列排布的m
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n个第二单元；第二泡沫基板，位于所述第二损耗层之下；带通频选层，位于所述第二泡沫基板之下，用于对中频的宽带透波以及为低频和高频的吸波提供地板，所述带通频选层包括阵列排布的m
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n个第三单元。2.根据权利要求1所述的宽频带吸透一体化频选表面，其特征在于，每个所述第一单元包括第一方形介质板、四个绕线电感、四个电容条带、八个电容通孔和第一石墨烯方阻片，其中：所述四个绕线电感嵌入在所述第一方形介质板中，所述四个电容条带和所述第一石墨烯方阻片位于所述第一方形介质板远离所述第一泡沫基板的一面；所述四个电容条带与所述第一石墨烯方阻片的四边对应设置，每个所述电容条带的两端设置有贯穿所述第一方形介质板的电容通孔；每个所述绕线电感的一端与所述第一石墨烯方阻片的一边相连接，另一端通过过孔与所述电容条带相连通。3.根据权利要求2所述的宽频带吸透一体化频选表面，其特征在于，所述第一方形介质板的厚度的取值范围为0.3
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0.5mm，相对介电常数取值范围为3
‑
4。4.根据权利要求1所述的宽频带吸透一体化频选表面，其特征在于，每个所述第二单元包括第二方形介质板、四个平面螺旋电感、四个金属条带、四个金属化过孔和第二石墨烯方阻片，其中：所述四个平面螺旋电感位于所述第二方形介质板靠近所述第一泡沫基板的一面，所述四个金属条带和所述第二石墨烯方阻片位于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴边，毛思博，庞晓宇，赵生辉，苏涛，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司济南特种结构研究所，
类型：发明
国别省市：